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2SB1197K
晶体管
低频晶体管（ 32V ， 0.8A ）
2SB1197K
特点
1 ）低V
CE （ SAT ）
.
0.5V
V
CE （ SAT ）
I
C
/ I
B
= 0.5A / 50毫安
2) I
C
= 0.8A.
3 ）补充了2SD1781K 。
外形尺寸
（单位：毫米）
2.9
±
0.2
1.9
±
0.2
0.95 0.95
(1)
(2)
1.1
+
0.2
0.1
0.8
±
0.1
结构
外延平面型
PNP硅晶体管
0.3
0.6
(3)
所有终端都有
相同的尺寸
0.4
+
0.1
0.05
1.6
+
0.2
0.1
2.8
±
0.2
0~0.1
+
0.1
0.15
0.06
ROHM ： SMT3
EIAJ ： SC- 59
缩写符号： AH
（1 ）发光体
（2）相应的
（ 3 ）集电极
指H
绝对最大额定值
（ TA = 25℃ ）
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
Tj
TSTG
范围
40
32
5
0.8
0.2
150
55
150
FE
单位
V
V
V
A
W
°C
°C
电气特性
（ TA = 25℃ ）
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
跃迁频率
输出电容
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
h
FE
f
T
COB
分钟。
40
32
5
120
典型值。
200
12
马克斯。
0.5
0.5
0.5
390
30
单位
V
V
V
I
C
= 50μ
A
I
C
= -1mA
I
E
= 50μ
A
V
CB
= 20V
V
EB
= 4V
I
C
/I
B
= -0.5A / -50mA
V
CE
= 3V,
I
C
= -100mA
V
CE
= 5V,
I
E
=50mA,
f=100MHz
V
CB
= 10V,
I
E
=0A,
f=1MHz
条件
μ
A
μ
A
V
兆赫
pF
Rev.A的
1/2
2SB1197K
晶体管
包装规格和h
FE
包
CODE
TYPE
2SB1197K
h
FE
QR
基本订购单位（件）
TAPING
T146
3000
集电极电流：我
C
（MA ）
电气特性曲线
1000
500
200
100
50
20
10
5
2
1
0.5
0.2
0.1
0
Ta
=
25°C
V
CE
=6V
h
FE
值被分类如下：
项
h
FE
Q
120至270
R
180 390
0.4
0.8
1.2
1.6
基地发射极电压： V
BE
(V)
Fig.1
发射极接地传播
特征
Ta=25°C
200
集电极电流：我
C
（MA ）
Ta=25°C
集电极电流：我
C
（MA ）
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
4
A
1.0m
0.9mA
500
直流电流增益：H
FE
0.8mA
0.7mA
14mA
16mA
18mA
400
20mA
1k
mA
10mA
12
A
8m
500
200
100
50
20
10
5
2
V
CE
= 3V
2V
1V
0.6mA
0.5mA
0.4mA
A
6m
300
A
4m
mA
I
B
=
2
200
0.3mA
0.2mA
0.1mA
I
B
=0mA
8
12
16
20
100
0
0
0.2
0.4
0.6
Ta=25°C
0.8
1.0
1
1m
10m
100m
1
集电极到发射极电压： V
CE
(V)
集电极到发射极电压： V
CE
(V)
集电极电流：我
C
(A)
Fig.2
接地发射极输出
特点（ ）
Fig.3
接地发射极输出
特点（ ）
Fig.4
直流电流增益主场迎战
集电极电流
集电极饱和电压： V
CE （SAT）
（毫伏）
集电极输出电容：玉米棒
（PF ）
发射极输入电容
： CIB
（PF ）
1000
500
200
100
50
20
10
5
2
1
1m
10m
100m
1000
跃迁频率：F
T
（兆赫）
Ta=25°C
500
200
100
50
20
10
5
2
1
1m
10m
100m
Ta
=
25°C
V
CE
= 5V
1000
500
200
100
50
C
ob
20
10
5
2
1
0.1
1
10
C
ib
Ta
=
25°C
f
=
1MHz
I
E
=
0A
I
C
/I
B
=50
20
10
1
1
100
集电极电流：我
C
(A)
发射极电流：我
E
(A)
集电极 - 基极电压： V
CB
(V)
发射器基极电压
: V
EB
(V)
Fig.5
集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流
Fig.6
增益带宽积主场迎战
发射极电流
Fig.7
集电极输出电容与
集电极 - 基极电压
发射器的输入电容与
发射极 - 基极电压
Rev.A的
2/2
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
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推荐型号
20D-1A15N17
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27LV256-30P
27LV25630P
252A203B60TA
293D105X9035B2TE3
210-997-76-38
24LC32AX-I/SM
20KP32CA
253C104A60NA
200-SER-X2
212X01S324FD3
2SA1255
2SC4220L
20KP72A
2SA1580-4
24A12
2-1445058-8
2SC5337QR
270T824R501A1A1
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