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2SA1255
东芝三极管
PNP硅三重扩散（ PCT程序）
2SA1255
高电压开关应用
高电压： V
CBO
=
200
V（分钟）
V
首席执行官
=
200
V（分钟）
小型封装
补充2SC3138
单位：mm
绝对最大额定值
（大
=
25°C)
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
等级
200
200
5
50
20
150
125
55~125
单位
V
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
JEDEC
TO-236MOD
JEITA
SC-59
注：在重负载下连续使用的（如高的应用
东芝
2-3F1A
温度/电流/电压和在显著变化
温度等）可能会导致此产品在减少
重0.012克（典型值）
可靠性显著即使工作条件下（即
工作温度/电流/电压等）内的
绝对最大额定值。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验
报告与估计的故障率，等）。
记号
1
2007-11-01
2SA1255
电气特性
（大
=
25°C)
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
开启时间
开关时间
贮存时间
下降时间
符号
I
CBO
I
EBO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
h
FE
（注）
V
CE （SAT）
V
BE （SAT）
f
T
C
ob
t
on
t
英镑
t
f
测试条件
V
CB
= 200
V，I
E
=
0
V
EB
= 5
V，I
C
=
0
I
C
= 0.1
妈，我
E
=
0
I
C
= 1
妈，我
B
=
0
V
CE
= 3
V，I
C
= 10
mA
I
C
= 10
妈，我
B
= 1
mA
I
C
= 10
妈，我
B
= 1
mA
V
CE
= 10
V，I
C
= 2
mA
V
CB
= 10
V，I
E
=
0, f
=
1兆赫
V
CC
= 50
V，I
C
= 6
mA
I
B1
=
I
B2
=
0.6毫安
脉冲宽度
=
5
μs
占空比
＆ LT ;
2%
=
民
200
200
70
50
典型值。
0.2
0.75
100
3
0.3
2
0.4
最大
0.1
0.1
240
1
1.5
7
μs
V
V
兆赫
pF
单位
μA
μA
V
V
注：H
FE
分类○： 70 140 ， Y： 120 240
2
2007-11-01
2SA1255
3
2007-11-01
2SA1255
4
2007-11-01
2SA1255
限制产品使用
此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。
20070701 - EN GENERAL
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，半导体
在一般的设备可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时，买方的责任，以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统，并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命，人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外，请记住注意事项，
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
（计算机，个人设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器，
等） ，这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害（ “意外用法” ） 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表，飞机或
太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制仪表，
医疗器械，各种安全装置等。东芝产品的非预期使用中列出了他
文件应在客户自己的风险进行。
本文档中所描述的产品，不得使用或嵌入到任何下游产品，其中
制造，使用和/或出售的任何可适用的法律，法规禁止的。
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有
承担因东芝专利或其它第三方权利的任何侵犯其
可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或其他任何专利或其他权利
东芝或第三方。
请符合有关本文档中联系您的销售代表产品对产品的细节
兼容性。请本文档中遵守所有适用法律和法规使用这些产品
该规范的受控物质列入或使用。东芝公司不承担损害或损失不承担任何责任
如发生不遵守适用的法律和法规的结果。
5
2007-11-01
SMD型
PNP硅三重扩散型
2SA1255
SOT-23
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
晶体管
单位：mm
+0.1
2.4
-0.1
特点
高电压。
小包装。
+0.1
1.3
-0.1
1
2
0.95
+0.1
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
0.55
0.4
3
+0.05
0.1
-0.01
+0.1
0.97
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
等级
-200
-200
-5
-50
-20
150
125
-55到+125
单位
V
V
V
mA
mA
mW
电气特性TA = 25
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
开启时间
贮存时间
下降时间
符号
I
CBO
I
EBO
Testconditons
V
CB
= -200 V，I
E
= 0
V
EB
= -5 V，I
C
= 0
-200
-200
70
-0.2
-0.75
50
100
3
0.3
2
0.4
7
240
-1
-1.5
V
V
兆赫
pF
ìs
ìs
ìs
民
典型值
最大
-0.1
-0.1
单位
ìA
ìA
V
V
V
（ BR ） CBO
I
C
= -0.1毫安，我
E
= 0
V
（ BR ） CEO
I
C
= -1毫安，我
B
= 0
h
FE
V
CE
= -3 V，I
C
= -10毫安
V
CE （SAT）
I
C
= -10毫安，我
B
= -1毫安
V
BE （SAT）
I
C
= -10毫安，我
B
= -1毫安
f
T
C
ob
吨
TSTG
tf
V
CE
= -10 V，I
C
= -2毫安
V
CB
= -10 V，I
E
= 0中，f = 1 MHz的
脉冲宽度= 5是，占空比2
I
B2
=-I
B1
-0.6毫安
V
CC
=-50V,I
C
=-6mA
h
FE
分类
记号
秩
的hFE
OO
O
70 140
OY
Y
120 240
+0.1
0.38
-0.1
0-0.1
www.kexin.com.cn
1
DIP
TYPE
SMD型
SMD
TYPE
晶体管
IC
晶体管
晶体管
产品speci fi cation
2SA1255
SOT-23
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
单位：mm
+0.1
2.4
-0.1
特点
高电压。
小包装。
+0.1
1.3
-0.1
1
2
0.95
+0.1
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
0.55
0.4
3
+0.05
0.1
-0.01
+0.1
0.97
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
等级
-200
-200
-5
-50
-20
150
125
-55到+125
单位
V
V
V
mA
mA
mW
电气特性TA = 25
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
开启时间
贮存时间
下降时间
符号
I
CBO
I
EBO
Testconditons
V
CB
= -200 V，I
E
= 0
V
EB
= -5 V，I
C
= 0
-200
-200
70
-0.2
-0.75
50
100
3
0.3
2
0.4
7
240
-1
-1.5
V
V
兆赫
pF
ìs
ìs
ìs
民
典型值
最大
-0.1
-0.1
单位
ìA
ìA
V
V
V
（ BR ） CBO
I
C
= -0.1毫安，我
E
= 0
V
（ BR ） CEO
I
C
= -1毫安，我
B
= 0
h
FE
V
CE
= -3 V，I
C
= -10毫安
V
CE （SAT）
I
C
= -10毫安，我
B
= -1毫安
V
BE （SAT）
I
C
= -10毫安，我
B
= -1毫安
f
T
C
ob
吨
TSTG
tf
V
CE
= -10 V，I
C
= -2毫安
V
CB
= -10 V，I
E
= 0中，f = 1 MHz的
脉冲宽度= 5是，占空比2
I
B2
=-I
B1
-0.6毫安
V
CC
=-50V,I
C
=-6mA
h
FE
分类
记号
秩
的hFE
OO
O
70 140
OY
Y
120 240
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
+0.1
0.38
-0.1
0-0.1
1 1
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200-SER-X2
212X01S324FD3
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20KP72A
2SA1580-4
24A12
2-1445058-8
2SC5337QR
270T824R501A1A1
2SD2260Q
2SA1809SM
2SK1268
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    2SA1255
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市世品佳电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：296271020 复制
电话：0755-/83218466/83200833
联系人：销售部
地址：深圳市罗湖区北站路1号中贸大厦402
2SA1255
HAMOS/汉姆
24+
22000
SOT-23
原装正品假一赔百！
深圳市创芯联盈电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881793588 复制

电话：0755-88291559
联系人：陈泽强
地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
2SA1255
TOSHIBA/东芝
2443+
23000
SOT-23
一级代理专营，原装现货，价格优势
德国显周集团有限公司
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电话：13910052844（微信同步）
联系人：刘先生
地址：北京市海淀区增光路27号2-1-1102
2SA1255
√ 欧美㊣品
▲10/11+
8544
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
北京首天伟业科技有限公司
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电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：刘经理
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
2SA1255
TOSHIBA
14+
56000
DIP
全新原装正品/质量有保证
深圳市成源运利电子科技有限公司
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电话：0755-15913992480
联系人：林
地址：深圳市福田区东方时代A2705
2SA1255
TOSHIBA
23+
2900
23
全新原装现货 市场最低价！
深圳市金亿泰电子有限公司
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电话：755-83252273
联系人：郑
地址：中航路新亚洲二期N3D039
2SA1255
TOSHIBA/东芝
18+
16238
SOT-23
房间现货原装低价
上海熠富电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：565106636 复制 点击这里给我发消息 QQ：414322027 复制
电话：15026993318 // 13764057178 // 15821228847
联系人：销售部
地址：门市：上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
2SA1255
NEC
2024
18000
SOT-23
上海原装现货库存，欢迎咨询合作
深圳青禾创新科技有限公司
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电话：0755-82778126
联系人：曾先生
地址：深圳市福田区华强北上步工业区501栋317室 ★★诚信经营★★
2SA1255
TOSHIBA
21+
7600
SOT-23
★★一级分销商，正品
上海熠富电子科技有限公司
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电话：15821228847 // 13764057178 // 15026993318
联系人：销售部
地址：门市：上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
2SA1255
NEC
2024
18000
SOT-23
原装现货上海库存，欢迎咨询
北京元坤国际科技有限公司
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电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：何小姐
地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
2SA1255
NEC
2015+ROHS
13000
SOT-23
全新原装正品/质量有保证
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