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SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SA1388
·
描述
·采用TO- 220Fa包
·低集电极饱和电压
·高速开关时间
·为了配合2SC3540
应用
·高电流开关应用
钉扎
针
1
2
3
描述
辐射源
集热器
BASE
绝对最大额定值（Ta = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流（脉冲）
T
a
=25
P
C
集电极耗散功率
T
C
=25
T
j
T
英镑
结温
储存温度
25
150
-55~150
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
-100
-80
-7
-5
-8
2
W
单位
V
V
V
A
A
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SA1388
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
Trainsition频率
集电极输出电容
条件
I
C
= -10mA ;我
B
=0
I
C
= -3A ，我
B
=-0.15A
I
C
= -3A ，我
B
=-0.15A
V
CB
= -100V ;我
E
=0
V
EB
= -7V ;我
C
=0
I
C
= -1A ; V
CE
=-1V
I
C
= -3A ; V
CE
=-1V
I
C
= -1A ; V
CE
=-4V
I
E
=0; V
CE
=-10V;f=1MHz
70
30
60
200
兆赫
pF
民
-80
-0.2
-0.9
-0.4
-1.2
-1
-1
240
典型值。
最大
单位
V
V
V
A
A
符号
V
（ BR ） CEO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
C
ob
开关时间
t
on
t
s
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
B1
=-I
B2
=-0.15A
V
CC
=30V;R
L
=10A
0.2
1.0
0.1
s
s
s
h
FE-1
分类
O
70-140
Y
120-240
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SA1388
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.15 MM）
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SA1388
4
JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SA1388
描述
·带
TO- 220Fa包
ULOW
集电极饱和电压
高
高速开关时间
·补充
为2SC3540
应用
高
电流开关应用
钉扎
针
1
2
3
描述
辐射源
集热器
BASE
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流（脉冲）
T
a
=25℃
P
C
集电极耗散功率
T
C
=25℃
T
j
T
英镑
结温
储存温度
25
150
-55~150
℃
℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
-100
-80
-7
-5
-8
2
W
单位
V
V
V
A
A
JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SA1388
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） CEO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
C
ob
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
Trainsition频率
集电极输出电容
条件
I
C
= -10mA ;我
B
=0
I
C
= -3A ，我
B
=-0.15A
I
C
= -3A ，我
B
=-0.15A
V
CB
= -100V ;我
E
=0
V
EB
= -7V ;我
C
=0
I
C
= -1A ; V
CE
=-1V
I
C
= -3A ; V
CE
=-1V
I
C
= -1A ; V
CE
=-4V
I
E
=0; V
CE
=-10V;f=1MHz
70
30
60
200
兆赫
pF
民
-80
-0.2
-0.9
-0.4
-1.2
-1
-1
240
典型值。
最大
单位
V
V
V
μA
μA
开关时间
t
on
t
s
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
B1
=-I
B2
=-0.15A
V
CC
=30V;R
L
=10Ω
0.2
1.0
0.1
μs
μs
μs
h
FE-1
分类
O
70-140
Y
120-240
2
JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SA1388
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.15 MM）
3
JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SA1388
4
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SA1388
描述
·带
TO- 220Fa包
ULOW
集电极饱和电压
高
高速开关时间
·补充
为2SC3540
应用
·
高
电流开关应用
钉扎
针
1
2
3
描述
辐射源
集热器
BASE
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流（脉冲）
T
a
=25℃
P
C
集电极耗散功率
T
C
=25℃
T
j
T
英镑
结温
储存温度
25
150
-55~150
℃
℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
-100
-80
-7
-5
-8
2
W
单位
V
V
V
A
A
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SA1388
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） CEO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
C
ob
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
Trainsition频率
集电极输出电容
条件
I
C
= -10mA ;我
B
=0
I
C
= -3A ，我
B
=-0.15A
B
民
-80
典型值。
最大
单位
V
-0.2
-0.9
-0.4
-1.2
-1
-1
V
V
μA
μA
I
C
= -3A ，我
B
=-0.15A
B
V
CB
= -100V ;我
E
=0
V
EB
= -7V ;我
C
=0
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= -1A ; V
CE
=-1V
I
C
= -3A ; V
CE
=-1V
I
C
= -1A ; V
CE
=-4V
I
E
=0; V
CE
=-10V;f=1MHz
70
30
60
200
240
兆赫
pF
开关时间
t
on
t
s
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
B1
=-I
B2
=-0.15A
V
CC
=30V;R
L
=10Ω
0.2
1.0
0.1
μs
μs
μs
h
FE-1
分类
O
70-140
Y
120-240
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SA1388
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.15 MM）
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SA1388
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299-93-614-10-002
2SC2434
2075-1000
2SC4437
2SD1457AQ
2SD2420P
2SC5085-Y
2SC5085Y
2N4861JAN
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    2SA1388
    -
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    -
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