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INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC4437
描述
·带
TO- 3PML包
速度
击穿电压
可靠性
应用
·超高解像度
彩色显示器
·水平
偏转输出应用
钉扎
1
2
3
描述
BASE
集热器
Fig.1简化外形( TO- 3PML )和符号
辐射源
绝对最大额定值(Ta = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
1500
800
7
5
16
3
P
C
集电极耗散功率
T
C
=25℃
T
j
T
英镑
结温
储存温度
50
150
-55~150
W
单位
V
V
V
A
A
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC4437
特征
除非另有说明, TJ = 25 ℃
符号
V
CEO ( SUS )
V
CESAT
V
BESAT
I
CES
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
参数
集电极 - 发射极电压维持
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
条件
I
C
= 100毫安;我
B
=0
I
C
=4A;I
B
=1A
I
C
=4A;I
B
=1A
V
CE
=1500V
V
CB
= 800V ;我
E
=0
V
EB
= 4V ;我
C
=0
I
C
= 1A ; V
CE
=5V
I
C
= 4A ; V
CE
=5V
8
4
6
800
5
1.5
1.0
10
1.0
典型值。
最大
单位
V
V
V
mA
μA
mA
开关时间
t
英镑
t
f
贮存时间
下降时间
I
C
=4A;I
B1
=0.8A;
I
B2
=-1.6A;
V
CC
=250V
3.0
0.3
μs
μs
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC4437
图2外形尺寸
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC4437
4
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC4437
描述
·采用TO- 3PML包
·高速
·高击穿电压
高可靠性
应用
·超高清晰度彩色显示器
·水平偏转输出应用
钉扎
1
2
3
描述
BASE
集热器
Fig.1简化外形( TO- 3PML )和符号
辐射源
绝对最大额定值( TA = 25 )
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
1500
800
7
5
16
3
P
C
集电极耗散功率
T
C
=25
T
j
T
英镑
结温
储存温度
50
150
-55~150
W
单位
V
V
V
A
A
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC4437
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极电压维持
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
条件
I
C
= 100毫安;我
B
=0
I
C
=4A;I
B
=1A
I
C
=4A;I
B
=1A
V
CE
=1500V
V
CB
= 800V ;我
E
=0
V
EB
= 4V ;我
C
=0
I
C
= 1A ; V
CE
=5V
I
C
= 4A ; V
CE
=5V
8
4
6
800
5
1.5
1.0
10
1.0
典型值。
最大
单位
V
V
V
mA
A
mA
符号
V
CEO ( SUS )
V
CESAT
V
BESAT
I
CES
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
开关时间
t
英镑
t
f
贮存时间
下降时间
I
C
=4A;I
B1
=0.8A;
I
B2
=-1.6A;
V
CC
=250V
3.0
0.3
s
s
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC4437
图2外形尺寸
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC4437
4
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    联系人:杨小姐
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    2SC4437
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    -
    -
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联系人:吴小姐
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联系人:陈泽强
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一级代理专营,原装现货,价格优势
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联系人:何小姐
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全新原装正品/质量有保证
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全新原装正品/质量有保证
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√ 欧美㊣品
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