2SA1 037
晶体管（ PNP ）
特点
优秀
FE
线性度。
Complments的2SC2412
SOT-23
1.基地
2.辐射源
3.收集
标记： FQ ， FR ， FS
最大额定值（T
A
= 25℃除非另有说明）
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
英镑
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
集电极耗散功率
结温
储存温度
参数
价值
-60
-50
-6
150
200
150
-55-150
单位
V
V
V
mA
mW
℃
℃
电气特性（除非另有规定环境温度Tamb = 25℃）
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
f
T
C
ob
TEST
条件
民
-60
-50
-6
-0.1
-0.1
120
560
-0.5
140
4.0
5.0
V
兆赫
pF
典型值
最大
单位
V
V
V
μA
μA
I
C
=-50μA,I
E
=0
I
C
=-1mA,I
B
=0
I
E
=-50μA,I
C
=0
V
CB
=-60V,I
E
=0
V
EB
=-6V,I
C
=0
V
CE
=-6V,I
C
=-1mA
I
C
=-50mA,I
B
=-5mA
V
CE
=-12V,I
C
=-2mA,f=30MHz
V
CB
=-12V,I
E
=0,f=1MHz
分类
秩
范围
h
FE
Q
120 - 270
R
180 - 390
S
270 - 560
１
金隅
半导体
www.htsemi.com
Ｄ½½½：２０１１／０５
2SA1037
公司Bauelemente
-0.15A ， -60V
PNP硅通用晶体管
符合RoHS产品
的“-C”后缀指定卤素和无铅
特点
优秀
FE
线性度。
补充2SC2412的
A
L
3
SOT-23
机械数据
案例： SOT -23 ，模压塑料
重量： 0.008克（约）
1
3
顶视图
2
C B
1
2
K
E
D
分类h及
FE
产品等级
范围
记号
2SA1037-Q
120~270
FQ
2SA1037-R
180~390
FR
2SA1037-S
270~560
FS
F
G
毫米
分钟。
马克斯。
2.80
3.04
2.10
2.55
1.20
1.40
0.89
1.15
1.78
2.04
0.30
0.50
H
J
REF 。
A
B
C
D
E
F
REF 。
G
H
J
K
L
毫米
分钟。
马克斯。
0.09
0.18
0.45
0.60
0.08
0.177
0.6 REF 。
0.89
1.02
包装信息
包
SOT-23
MPQ
3K
LeaderSize
7'寸
1
BASE
集热器
3
2
辐射源
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
收藏家Currrent
集电极耗散功率
结&储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
J
, T
英镑
评级
-60
-50
-6
-150
200
+150, -55 ~ +150
单位
V
V
V
mA
mW
℃
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流增益
跃迁频率
集电极输出电容
http://www.SeCoSGmbH.com/
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
h
FE
f
T
C
ob
分钟。
-60
-50
-6
-
-
-
120
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
140
4.0
马克斯。
-
-
-
-0.1
-0.1
-0.5
560
-
5.0
单位
V
V
V
μA
μA
V
测试条件
I
C
= -50μA ，我
E
=0
I
C
= -1μA ，我
B
=0
I
E
= -50μA ，我
C
=0
V
CB
= -60V ，我
E
=0
V
EB
= -6V ，我
C
=0
I
C
= -50mA ，我
B
=-5mA
V
CE
=-6V,I
C
=-1mA
兆赫
pF
V
CE
= -12V ，我
E
= -2mA ， F = 30MHz的
V
CB
= -12V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
规范的任何更改将不个别通知。
31日-12月2010版本C
第1页2
2SA1037
公司Bauelemente
-0.15A ， -60V
PNP硅通用晶体管
特性曲线
http://www.SeCoSGmbH.com/
规范的任何更改将不个别通知。
31日-12月2010版本C
第2页2
2SA1037
公司Bauelemente
- 0.15A ， - 50V
小信号塑料封装晶体管
符合RoHS产品
的" - C"后缀指定卤素&无铅
3.Collector
SOT-23
1.基地
2.辐射源
A
L
3
顶视图
B·S
2
特点
1
.
优秀线性度。
.
外延平面型。
.
PNP硅晶体管。
FE
V
G
C
D
H
K
J
暗淡
民
2.800
1.200
0.890
0.370
1.780
0.013
0.085
0.450
0.890
2.100
0.450
最大
3.040
1.400
1.110
0.500
2.040
0.100
0.177
0.600
1.020
2.500
0.600
机械数据
A
B
C
D
G
H
J
K
L
S
V
.
案例： SOT -23 ，模压塑料
.
码头：每MIL -STD- 202焊接的，
方法208
.
极性：见下面图表
.
重量： 0.008克（约）
.
安装位置：任意
单位：mm外形尺寸
绝对最大额定值
等级25的环境温度，除非另有规定。
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％ 。
类型编号
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
工作温度
存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
英镑
范围
- 60
- 50
-6
- 0.15
0.2
150
-55 ~ +150
单位
V
V
V
A
W
http://www.SeCoSGmbH.com/
的说明书中的任何改变将不被通知个人
2SA1037
公司Bauelemente
- 0.15A ， - 50V
小信号塑料封装晶体管
电气特性（Ta = 25
类型编号
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
跃迁频率
输出电容
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （SAT）
h
FE
f
T
COB
分钟。
- 60
- 50
-6
-
-
-
120
-
-
)
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
140
4.0
马克斯。
-
-
-
- 0.1
- 0.1
- 0.5
560
-
5.0
单位
V
V
V
A
A
V
-
兆赫
pF
测试条件
I
C
= 50 A
I
C
= 1 A
I
E
= 50 A
V
CB
= 60 V
V
EB
= 6 V
I
C
/ I
B
= 50毫安/ 5毫安
V
CE
= 6 V，I
C
= 1毫安
V
CE
= 12 V，I
E
= 2毫安，
F = 30 MHz的
V
CB
= 12 V，I
E
= 0 A,
F = 1 MHz的
h
FE
值被分类如下：
项
h
FE
记号
Q
120 ~ 270
FQ
R
180 ~ 390
FR
S
270 ~ 560
FS
电气特性曲线
50
集电极电流：IC （
毫安）
集电极电流：我
C
(
毫安）
20
10
5
2
1
0.5
0.2
0.1
集电极电流：我
C
(
mA
)
Ta=100C
25C
40C
V
CE
=6V
10
35.0
Ta=25C
100
31.5
28.0
24.5
Ta=25C
500
450
400
350
300
8
80
6
21.0
17.5
60
250
200
4
14.0
10.5
40
150
100
2
7.0
3.5A
20
50A
I
B
=0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6
0
0.4
0.8
1.2
1.6
I
B
=0
2.0
0
1
2
3
4
5
基地发射极电压： V
BE
(
V)
收藏家米特电压： V
CE
(
V)
集电极到发射极电压： V
CE
(
V)
图1发射极接地传播
特征
图2接地发射极输出
特性（I）的
图3接地发射极输出
特性（II）的
http://www.SeCoSGmbH.com/
的说明书中的任何改变将不被通知个人
01君2002年修订版A
第1页2
2SA1037
公司Bauelemente
- 0.15A ， - 50V
小信号塑料封装晶体管
集电极饱和电压： V
CE （ SAT ）
(
V)
500
500
Ta=25C
V
CE
=5V
3V
1V
直流电流增益：H
FE
200
Ta=100C
25C
40C
1
Ta=25C
直流电流增益：H
FE
0.5
200
100
0.2
I
C
/I
B
=50
100
0.1
20
10
50
50
V
CE
=6V
5 10 20 50 100
0.05
0.2 0.5 1
2
5 10 20
50 100
0.2 0.5 1
2
5 10 20
50 100
0.2 0.5 1
2
集电极电流：我
C
(
毫安）
集电极电流：我
C
(
毫安）
集电极电流：我
C
(
毫安）
图4直流电流增益与
集电极电流（I）
图5直流电流增益与
集电极电流（II）的
图6集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流（I）
集电极饱和电压： V
CE （ SAT ）
(
V)
l
C
/l
B
=10
0.5
跃迁频率：F
T
(
兆赫）
Ta=25C
V
CE
=12V
集电极输出电容：玉米棒（
pF的）
发射极输入电容
： CIB （
pF的）
1
1000
20
兴业银行
10
500
Ta=25C
f=1MHz
I
E
=0A
I
C
=0A
Co
b
0.2
Ta=100C
25C
40C
200
5
0.1
100
2
0.05
0.2 0.5 1
2
5 10 20
50 100
50
0.5
1
2
5
10
20
50
100
0.5
1
2
5
10
20
集电极电流：我
C
(
毫安）
发射极电流：我
E
(
毫安）
集电极 - 基极电压： V
CB
(V)
发射极 - 基极电压： V
EB
(V)
图7集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流（II）的
图8的增益带宽积主场迎战
发射极电流
图9集电极输出电容主场迎战
集电极 - 基极电压
发射inputcapacitance与
发射极 - 基极电压
http://www.SeCoSGmbH.com/
01君2002年修订版A
的说明书中的任何改变将不被通知个人
第2页2
乐山无线电公司， LTD 。
2SA1037AK*LT1
图7集电极 - 发射极饱和电压与
集电极电流（ ）
V
CE （ SAT ）
，集电极饱和电压（ V）
–1
图8的增益带宽积与发射极电流
1000
I
C
/I
B
= 10
f
r
过渡频率（MHz）
500
T
A
= 25°C
V
CE
= –12V
–0.5
–0.2
200
–0.1
T
A
= 100°C
25°C
–40°C
100
–0.05
50
–0.2
–0.5
–1
–2
–5
–10
–20
–50
–100
–0.2
–0.5
–1
–2
–5
–10
–20
–50
–100
I
C
，集电极电流（毫安）
I
E
，发射极电流（毫安）
图9集电极输出电容vs.collector - 基极电压
发射inputcapacitance与发射极 - 基极电压
C
ob
，集电极输出电容（pF ）
C
ib
极，发射极输入电容（pF ）
20
C
ib
10
T
A
= 25°C
F = 1MHz的
I
E
= 0A
I
C
= 0A
C
ob
5
2
–0.5
–1
–2
–5
–10
–20
V
CB
，集电极到基极电压（ V）
V
EB
，发射器基极电压（ V）
M35–3/3
晶体管
2SA1037AK / 2SA1576A / 2SA1774 /
2SA2029 / 2SA933AS
通用晶体管
(50V,
0.15A)
2SA1037AK / 2SA1576A / 2SA1774 / 2SA2029 /
2SA933AS
！特点
1 ）优秀
FE
线性度。
2 ）补充了2SC2412K /
2SC4081 / 2SC4617 / 2SC5658 /
2SC1740S.
!
外形尺寸
（单位：毫米）
2SA1037AK
(1)
2SA1576A
(1)
0.95 0.95
1.9
2.9
0.65 0.65
0.8
0.7
0.4
(3)
0.3
(2)
(3)
1.25
1.6
2.8
0.15
0.15
2.1
0.2
(2)
0.8
1.1
!
结构
外延平面型。
PNP硅晶体管
0.3to0.6
0to0.1
0.1to0.4
每根导线具有相同的尺寸
每根导线具有相同的尺寸
ROHM ： SMT3
EIAJ ： SC- 59
（1 ）发光体
（2）相应的
（ 3 ）集电极
0to0.1
ROHM ： UMT3
EIAJ ： SC- 70
（1 ）发光体
（2）相应的
（ 3 ）集电极
缩写符号：F
缩写符号：F
2SA1774
0.2
(1)
(2)
2SA2029
1.2
0.8
(2)
(3)
(1)
0.5 0.5
1.0
0.3
0.8
1.6
0.15
0.2
1.2
0.32
0.13
0to0.1
0.55
0.5
0.1Min.
0to0.1
0.7
0.15Max.
0.22
ROHM ： EMT3
EIAJ ： SC- 75A
（1 ）发光体
（2）相应的
（3） Collecto
ROHM ： VMT3
EIAJ ：
缩写符号：F
缩写符号：F
2SA933AS
4
3
2
(15Min.)
3Min.
0.45
2.5
5
(1) (2) (3)
0.5 0.45
大坪规格
ROHM ： SPT
EIAJ ：SC- 72
（1 ）发光体
（ 2 ）集电极
（3 ）基
指H
FE
0.4 0.4
(3)
1.6
0.2
0.2
（ 1 ）基本
（2）发射
（ 3 ）集电极
0.9
1.3
2.0
晶体管
!
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
2SA1037AK ， 2SA1576A
2SA1037AK / 2SA1576A / 2SA1774 /
2SA2029 / 2SA933AS
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
范围
60
50
6
0.15
0.2
P
C
0.15
0.3
Tj
TSTG
150
55~+150
C
C
W
单位
V
V
V
A（ DC ）
集电极电源
耗散
2SA2029 ， 2SA1774
2SA933AS
结温
储存温度
!
电气特性
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
跃迁频率
输出电容
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
h
FE
f
T
COB
分钟。
60
50
6
120
典型值。
140
4.0
马克斯。
0.1
0.1
0.5
560
5.0
单位
V
V
V
A
A
V
兆赫
pF
I
C
=50A
I
C
=1A
I
E
=50A
V
CB
=60V
V
EB
=6V
I
C
/I
B
=50mA/5mA
V
CE
=6V,
I
C
=1mA
V
CE
=12V,
I
E
=
2毫安，女
=
30MHz
V
CB
=12V,
I
E
=
0A ，女
=
1MHz
条件
!
包装规格和h
FE
包
CODE
基本订购
单位（件）
T146
3000
T106
3000
TAPING
TL
3000
T2L
8000
TP
5000
TYPE
2SA2029
h
FE
QRS
2SA1037AK QRS
2SA1576A
2SA1774
2SA933AS
QRS
QRS
QRS
h
FE
值被分类如下：
项
h
FE
Q
120~270
R
180~390
S
270~560
晶体管
!
电气特性曲线
50
集电极电流：IC （
毫安）
2SA1037AK / 2SA1576A / 2SA1774 /
2SA2029 / 2SA933AS
V
CE
=6V
集电极电流：我
C
(
毫安）
10
35.0
Ta=25C
31.5
28.0
24.5
6
21.0
17.5
4
14.0
10.5
2
7.0
3.5A
0
0.4
0.8
1.2
1.6
I
B
=0
2.0
100
集电极电流：我
C
(
mA
)
20
10
5
2
1
0.5
0.2
0.1
Ta=100C
25C
40C
Ta=25C
500
450
400
350
300
8
80
60
250
200
40
150
100
20
50A
I
B
=0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6
基地发射极电压： V
BE
(
V)
0
1
2
3
4
5
收藏家米特电压： V
CE
(
V)
集电极到发射极电压： V
CE
(
V)
图1发射极接地传播
特征
图2接地发射极输出
特性（I）的
图3接地发射极输出
特性（II）的
集电极饱和电压： V
CE （ SAT ）
(
V)
500
500
Ta=25C
V
CE
=5V
3V
1V
直流电流增益：H
FE
200
Ta=100C
25C
40C
1
Ta=25C
直流电流增益：H
FE
0.5
200
100
0.2
I
C
/I
B
=50
0.1
20
10
100
50
50
V
CE
=6V
5 10 20 50 100
0.05
0.2 0.5 1
2
5 10 20
50 100
0.2 0.5 1
2
5 10 20
50 100
0.2 0.5 1
2
集电极电流：我
C
(
毫安）
集电极电流：我
C
(
毫安）
集电极电流：我
C
(
毫安）
图4直流电流增益与
集电极电流（I）
图5直流电流增益与
集电极电流（II）的
图6集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流（I）
集电极饱和电压： V
CE （ SAT ）
(
V)
l
C
/l
B
=10
0.5
跃迁频率：F
T
(
兆赫）
Ta=25C
V
CE
=12V
集电极输出电容：玉米棒（
pF的）
发射极输入电容
： CIB （
pF的）
1
1000
20
兴业银行
10
500
Ta=25C
f=1MHz
I
E
=0A
I
C
=0A
Co
b
0.2
Ta=100C
25C
40C
200
5
0.1
100
2
0.05
0.2 0.5 1
2
5 10 20
50 100
50
0.5
1
2
5
10
20
50
100
0.5
1
2
5
10
20
集电极电流：我
C
(
毫安）
发射极电流：我
E
(
毫安）
集电极 - 基极电压： V
CB
(V)
发射极 - 基极电压： V
EB
(V)
图7集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流（II）的
图8的增益带宽积主场迎战
发射极电流
图9集电极输出电容主场迎战
集电极 - 基极电压
发射inputcapacitance与
发射极 - 基极电压
2SA1 037
晶体管（ PNP ）
特点
优秀
FE
线性度。
Complments的2SC2412
SOT-23
1.基地
2.辐射源
3.收集
标记： FQ ， FR ， FS
最大额定值（T
A
= 25℃除非另有说明）
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
英镑
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
集电极耗散功率
结温
储存温度
参数
价值
-60
-50
-6
150
200
150
-55-150
单位
V
V
V
mA
mW
℃
℃
电气特性（除非另有规定环境温度Tamb = 25℃）
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
f
T
C
ob
TEST
条件
民
-60
-50
-6
-0.1
-0.1
120
560
-0.5
140
4.0
5.0
V
兆赫
pF
典型值
最大
单位
V
V
V
μA
μA
I
C
=-50μA,I
E
=0
I
C
=-1mA,I
B
=0
I
E
=-50μA,I
C
=0
V
CB
=-60V,I
E
=0
V
EB
=-6V,I
C
=0
V
CE
=-6V,I
C
=-1mA
I
C
=-50mA,I
B
=-5mA
V
CE
=-12V,I
C
=-2mA,f=30MHz
V
CB
=-12V,I
E
=0,f=1MHz
分类
秩
范围
h
FE
Q
120 - 270
R
180 - 390
S
270 - 560
１
金隅
半导体
www.htsemi.com
Ｄ½½½：２０１１／０５
技术规格
半导体
SOT- 23双极晶体管
晶体管（ PNP ）
RECTRON
2SA1037
特点
*功耗
P
CM
:
0.2
W（环境温度Tamb = 25
O
C)
*集电极电流
I
CM
:
-0.15
A
*集电极 - 基极电压
V
（ BR ） CBO
:
-60
V
工作和存储结温范围
*
T
J
,T
英镑
: -55
O
Cto+150
O
C
SOT-23
集热器
3
机械数据
*
*
*
*
*
BASE
案例：模压塑料
环氧树脂： UL94V-O率阻燃
导语： MIL -STD- 202E方法208C保证
安装位置：任意
重量： 0.008克
1
辐射源
2
0.055(1.40)
0.047(1.20)
0.006(0.15)
0.003(0.08)
0.020(0.50)
0.012(0.30)
0.043(1.10)
0.035(0.90)
0.004(0.10)
0.000(0.00)
0.020(0.50)
0.012(0.30)
0.100(2.55)
0.089(2.25)
最大额定值和电气特性
在25℃的环境温度额定值除非另有规定。
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％ 。
O
0.019(2.00)
0.071(1.80)
1
3
2
0.118(3.00)
0.110(2.80)
尺寸以英寸（毫米）
电气特性
( @ T
A
= 25
o
C除非另有说明）
特征
集电极 - 基极击穿电压（I
C
= -50mA ，我
E
=0)
集电极 - 发射极击穿电压（I
C
= -1mA ，我
B
=0)
发射极 - 基极击穿电压（I
E
= -50mA ，我
C
=0)
集电极截止电流（V
CB
= -60V ，我
E
=0)
发射极截止电流（V
EB
= -6V ，我
C
=0)
直流电流增益（V
CE
= -6V ，我
C
= -1mA ）
集电极 - 发射极饱和电压（I
C
= -50mA ，我
B
= -5mA ）
Transistion频率（V
CE
= -12V ，我
C
= -2mA ， F = 30MHz的）
分类h及
FE
秩
范围
记号
Q
120-270
FQ
R
180-390
FR
S
270-560
FS
2006-3
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
f
T
分钟。
-60
-50
-6
-
-
120
-
120
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
-
-
-
-0.1
-0.1
560
-0.5
-
单位
V
V
V
mA
mA
-
V
兆赫
免责声明
RECTRON公司保留随时更改，恕不另行通知任何产品的权利
此规范，责令改正，修改，增强或其他
变化。 RECTRON公司或任何代其不承担任何责任或liabi-
lity的任何错误或不准确之处。数据表规格及其信息
包含的意在仅提供一个产品的描述。 "Typical" paramet-
这可能包括在RECTRON数据表和/或规格ERS钙
n和做不同的应用和实际性能可能会随TI-
我。 RECTRON公司不承担因应用程序的任何责任或
使用任何产品或电路。
RECTRON产品不是设计，意或授权使用的医疗，
救命的植入物或用于生命维持或其他厘清的其他应用程序
泰德应用组件或电路的故障或失灵可能迪
rectly或间接导致伤害或威胁生命没有明确的书面appr-
对使用或销售RECTRON组件在使用RECTRON公司客户椭圆形
这样的应用程序这样做在自己的风险，并应同意完全赔偿Rect-
罗恩公司及其子公司的所有索赔，损失和expendit-无害
URES 。
RECTRON
RoHS指令
2SA1037
PNP外延硅晶体管
SOT-23
低FREQRENCY ，低噪声放大器
3
补
为2SC2712
集电极电流IC = -100mA
集电极Emiller电压： V
CE
=-45V
1.
1
2
2.4
1.3
绝对最大额定值
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散
TA = 25℃ *
结温
储存温度
o
符号
V
CBO
V
首席执行官
电气特性
参数
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 基截止电流
发射基截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极击穿电压＃
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基射极电压上
输出电容
电流增益带宽积
噪声系数
W
J
E
E
C
E
L
R
T
V
EBO
Ic
T
j
P
D
T
英镑
O
N
-50
-50
600
C
I
等级
-50
-45
-5
-100
225
150
V
V
V
nA
nA
V
V
V
PF
dB
C
O
0.4
O
1.BASE
2.EMITTER
3.COLLECTOR
2.9
1.9
0.95
0.95
L
,
.
o
D
T
单位：mm
（ TA = 25℃ ）
单位
V
V
V
mA
mW
O
-55~150
C
C
（ TA = 25℃ ）
o
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
MIN 。 TYP 。 MAX 。 UNIT
-50
-45
-5
条件
I
C
= -100 A I
E
=0
I
C
= -1mA我
B
=0
I
E
= -100 A I
C
=0
V
CB
=-50V, V
C
=0
V
CB
= -5V ，我
C
=0
V
CE
= -5V ，我
C
=1mA
I
C
= -100mA ，我
B
=-5mA
I
C
= -100mA ，我
B
=-5mA
V
C
e
= -5V ，我
C
=-2mA
V
CB
= -10V ，我
E
= 0，F = 1MHz的
V
CE
= -5V我
C
=-0.2mA
F = 1MHz的卢比= 1千欧姆
H
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
60
200
-0.20 -0.7
-0.82 100
-0.6 -0.67 -0.75
4.5
100 190
0.7
10
7
C
ob
f
T
兆赫V
CE
= -5V我
C
=-10mA
NF
*器件总功耗： FR = 1X0.75X0.062在局减额
25 C
#
脉冲测试：脉冲宽度300US占空比2 ％
器件标识：
2SA1037=M6
o
永而佳电子有限公司。
HTTP ： // www.wej.cn
电子信箱： wej@yongerjia.com
QQ：2880707522 复制
