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产品speci fi cation

www.jmnic.com

硅NPN功率晶体管

2SC3465

描述

·带

TO- 3封装

高

电压

·快速

开关速度

应用

For

开关稳压器的应用

钉扎（参照图2）

针

1

2

3

BASE

辐射源

集热器

Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号

描述

绝对最大额定值（Ta =

℃)

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

P

T

T

j

T

英镑

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

总功耗

结温

储存温度

T

C

=25℃

条件

发射极开路

开基

集电极开路

价值

1100

800

7

12

160

200

-65~200

单位

V

V

V

A

W

℃

℃

产品speci fi cation

www.jmnic.com

硅NPN功率晶体管

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） EBO

V

CESAT

V

BESAT

I

CBO

I

EBO

h

FE-1

h

FE-2

f

T

C

OB

参数

集电极 - 发射极击穿电压

集电极 - 基极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

直流电流增益

过渡freuquency

集电极输出电容

条件

I

C

= 5毫安;

BE

=∞

I

C

= 1毫安;我

E

=0;

I

E

= 1毫安;我

C

=0;

I

C

=6A;I

B

=1.2A

I

C

=6A;I

B

=1.2A

V

CB

=800V;I

E

=0

V

EB

=7V;I

C

=0

I

C

= 0.8A ; V

CE

=5V

I

C

= 4A ; V

CE

=5V

I

C

= 0.8A ; V

CE

=10V

I

E

=0 ;V

CB

=10V,f=1MHz

10

10

15

240

民

800

1100

7

典型值。

2SC3465

最大

单位

V

V

V

2.0

1.5

10

10

40

V

V

μA

μA

兆赫

pF

h

FE-1

分类

K

10-20

L

15-30

M

20-40

2

产品speci fi cation

www.jmnic.com

硅NPN功率晶体管

包装外形

2SC3465

图2外形尺寸

3

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

2SC3465

描述

·带

TO- 3封装

高

电压

·快速

开关速度

应用

For

开关稳压器的应用

钉扎（参照图2）

针

1

2

3

BASE

辐射源

集热器

Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号

描述

绝对最大额定值（Ta =

℃)

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

P

T

T

j

T

英镑

参数

导½

半

ND

固电

ICO

SEM

GE

的HAn

INC。

条件

集电极 - 基极电压

发射极开路

集电极 - 发射极电压

开基

发射极 - 基极电压

集电极电流

总功耗

结温

储存温度

T

C

=25℃

集电极开路

OR

CT

U

价值

1100

800

7

12

160

200

-65~200

单位

V

V

V

A

W

℃

℃

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） EBO

V

CESAT

V

BESAT

I

CBO

I

EBO

h

FE-1

h

FE-2

f

T

C

OB

参数

集电极 - 发射极击穿电压

集电极 - 基极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

直流电流增益

条件

I

C

= 5毫安;

BE

=∞

I

C

= 1毫安;我

E

=0;

I

E

= 1毫安;我

C

=0;

I

C

=6A;I

B

=1.2A

I

C

=6A;I

B

=1.2A

V

CB

=800V;I

E

=0

V

EB

=7V;I

C

=0

I

C

= 0.8A ; V

CE

=5V

I

C

= 4A ; V

CE

=5V

10

民

800

1100

7

典型值。

2SC3465

最大

单位

V

V

V

2.0

1.5

10

10

V

V

μA

μA

导½

半

ND

固电

ICO

SEM

GE

的HAn

INC。

过渡freuquency

I

C

= 0.8A ; V

CE

=10V

集电极输出电容

I

E

=0 ;V

CB

=10V,f=1MHz

10

OR

CT

U

40

15

240

兆赫

pF

h

FE-1

分类

K

10-20

L

15-30

M

20-40

2

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

包装外形

2SC3465

导½

半

ND

固电

ICO

SEM

GE

的HAn

INC。

图2外形尺寸

OR

CT

U

3

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

2SC3465

描述

·采用TO-3封装

·高电压

·快速开关速度

应用

·对于开关稳压器的应用

钉扎（参照图2）

针

1

2

3

BASE

辐射源

集热器

Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号

描述

绝对最大额定值（Ta =

)

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

P

T

T

j

T

英镑

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

总功耗

结温

储存温度

T

C

=25

条件

发射极开路

开基

集电极开路

价值

1100

800

7

12

160

200

-65~200

单位

V

V

V

A

W

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

特征

Tj=25

除非另有说明

参数

集电极 - 发射极击穿电压

集电极 - 基极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

直流电流增益

过渡freuquency

集电极输出电容

条件

I

C

= 5毫安;

BE

=6

I

C

= 1毫安;我

E

=0;

I

E

= 1毫安;我

C

=0;

I

C

=6A;I

B

=1.2A

I

C

=6A;I

B

=1.2A

V

CB

=800V;I

E

=0

V

EB

=7V;I

C

=0

I

C

= 0.8A ; V

CE

=5V

I

C

= 4A ; V

CE

=5V

I

C

= 0.8A ; V

CE

=10V

I

E

=0 ;V

CB

=10V,f=1MHz

10

10

民

800

1100

7

2SC3465

符号

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） EBO

V

CESAT

V

BESAT

I

CBO

I

EBO

h

FE-1

h

FE-2

f

T

C

OB

典型值。

最大

单位

V

V

V

2.0

1.5

10

10

40

V

V

A

A

15

240

兆赫

pF

h

FE-1

分类

K

10-20

L

15-30

M

20-40

2

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

包装外形

2SC3465

图2外形尺寸

3

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电话：0755-82780082

联系人：杨小姐

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终端采购配单精选

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联系人：陈泽强

地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318

2SC3465

SANYO/三洋

2443+

23000

TO-3

一级代理专营，原装现货，价格优势

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联系人：夏小姐/朱先生

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SANYO/三洋

24+

32000

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