【初步数据表重复性雪崩和dv / dt评分MOSFET晶体管P通道60伏， 0.015，抗辐射MOSF】,IC型号2N7524,2N7524 PDF资料,2N7524经销商,ic,电子元器件-51电子网

初步数据表

重复性雪崩和dv / dt评分

MOSFET晶体管P通道

60伏， 0.015

，抗辐射MOSFET

包装： SMD- 2

产品概述

六角尺寸

技术

抗辐射

DSS

-60V

DS （ ON）

0.015

-75*A

2N7524

绝对最大额定值

参数

@ V

= -12V ，T

= 25°C

@ V

= -12V ，T

= 100°C

@ T

= 25°C

连续漏电流

功耗

栅极 - 源极电压

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

重复性雪崩能量

工作结范围

价值

-75*

-58

300

±20

500

-75

-55到150

单位

°C

预辐照

电气特性@ T

= 25 ℃（除非另有规定）

参数

DSS

DS （ ON）

GS （ TH）

DSS

GSS

漏极至源极击穿电压

静态漏 - 源极导通状态

阻力

栅极阈值电压

零栅极电压漏极电流

栅极 - 源极漏进

栅极 - 源极漏反

总栅极电荷

民

-60

-2.0

典型值。

最大

0.015

-4.0

-10

-25

-100

100

140

单位

测试条件

= 0V时，我

=-1.0mA

= -12V ，我

=-58A

, I

=-1.0mA

= -48V, V

=0V

= -48V ，T

=125°C

=-20V

=20V

= -12V ，我

=-45A

热阻

参数

thJC

结到外壳

民

典型值。

最大

0.42

单位

° C / W

测试条件

*电流由内部电线大小的限制

01/23/01

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