【小信号晶体管TO- 39案例（续）型号描述VCBO(V)VCEO(V)* VCERVEBO(V)IC】,IC型号2N5679,2N5679 PDF资料,2N5679经销商,ic,电子元器件-51电子网

小信号晶体管

TO- 39案例（续）

型号

描述

VCBO

(V)

VCEO

(V)

* VCER

VEBO

(V)

ICBO @

(A)

* ICEO

** ICES

*** ICEV

**** ICER

民

4.0

7.0

6.5

5.0

7.0

6.0

3.0

5.5

6.0

5.5

6.0

5.5

6.0

5.5

6.0

5.0

7.0

5.0

6.0

4.0

6.0

4.0

5.0

3.5

1.00

0.01

100**

0.05

5.00***

1.00**

0.50

1.00**

100

10**

5.00

10

50

1.00

10***

150

60

50

30

20

100

35

60

30

100

75

100

75

90

60

80

100

175

280

100

120

100

120

75

60

45

民

20

100

25

40

35

30

40

30

70

30

70

30

70

35

30

40

30

40

30

60

30

60

30

40

20

最大

200

300

100

150

120

90

200

90

200

90

200

--

130

250

130

250

120

150

120

240

120

240

150

120

150

100

10

150

500

30

50

1,000

2,500

500

100

500

1,000

2,000

50

250

1,000

1,200

1,600

10

1.0

25

15

5.0

1.0

4.0

2.0

10

2.0

最大

5.00

0.25

0.50

0.80

0.70

1.00

0.50

0.85

5.00

0.85

5.00

0.75

1.00

0.80

0.50

0.80

0.70

1.20

1.00

0.70

2.50

1.00

0.50

0.75

1.00

10

150

500

1.0

30

100

2,000

3,000

2,000

3,000

2,500

1.0

1,000

500

2,000

50

500

1,000

1,200

1,600

VCB

(V)

的hFE

@ IC @ VCE VCE （ SAT ） @ IC的fT

（MA ）

(V)

（毫安）（兆赫）

* TYP

COB

（PF ）

* TYP

吨

（纳秒）

* TYP

花花公子

（纳秒）

* TYP

NF

（ dB）的

* TYP

民

2N4930

2N4931

2N4943

2N4960

2N5022

2N5023

2N5058

2N5059

2N5109

2N5147

2N5148

2N5149

2N5150

2N5151

2N5152

2N5153

2N5154

2N5189

2N5262

2N5320

2N5321

2N5322

2N5323

2N5333

2N5334

2N5335

2N5336

2N5337

2N5338

2N5339

2N5415

2N5416

2N5679

2N5680

2N5681

2N5682

2N5781

2N5782

2N5783

PNP高压

NPN幅度/ SWITCH

PNP核心驱动力

NPN高压

NPN高频

民

200

250

80

60

50

30

300

250

20

80

35

50

75

50

75

50

80

60

80

100

200

350

100

120

100

120

65

50

40

民

20

12

250

170

200

30

1,200

--

60

70

60

70

250

50

30

40

30

15

30

8.0

最大

20

--

15

25

10

3.5

--

70

250

12

--

75

250

25

50

--

最大

--

40

--

40

30

80

100

--

最大

--

90

--

70

60

800

1,000

--

最大

--

3.0*

--

200

250

120

60

50

30

300

250

40

100

60

75

100

75

100

75

100

60

80

100

200

350

100

120

100

120

80

65

45

PNP HIGH CURRENT

NPN HIGH CURRENT

PNP HIGH CURRENT

NPN HIGH CURRENT

PNP HIGH CURRENT

NPN HIGH CURRENT

PNP HIGH CURRENT

NPN HIGH CURRENT

NPN核心驱动力

NPN幅度/ SWITCH

PNP幅度/ SWITCH

NPN幅度/ SWITCH

NPN快速开关

NPN HIGH CURRENT

PNP高压

PNP幅度/ SWITCH

NPN幅度/ SWITCH

PNP幅度/ SWITCH

64

W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米

PNP / NPN高压硅晶体管

博卡半导体公司

BSC

这些都是高电压&高电流，通用晶体管

绝对最大额定值。

描述

符号

2N5679

2N5681

100

2N5680

2N5682

120

2N5679

2N5680

PNP

TO-39

2N5681

2N5682

NPN

TO-39

单位

V

A

W

毫瓦/摄氏度

W

毫瓦/摄氏度

摄氏度

VCEO

集电极发射极电压

VCBO

集电极基极电压

VEBO

4.0

发射极基极电压连续

IC

1.0

连续集电极电流

IB

0.5

基极电流

PD

1.0

功率耗散@ TA = 25摄氏度

5.7

减免上述25deg

PD

10

功耗@ TC = 25摄氏度

57

减免上述25deg

TJ ， TSTG

-65到+200

工作和存储结

温度范围

热阻

RTH （J -C ）

17.5

结到外壳

Rth的第（j-一）

175

结到环境

电气特性（Ta = 25℃除非另有说明）

描述

符号测试条件

2N5679

2N5681

VCEO （ SUS） IC = 10毫安， IB = 0

>100

集电极发射极电压

ICBO

VCB = 100V ， IE = 0

<1.0

集电极切断电流

VCB = 120V ， IE = 0

-

ICEO

VCE = 70V ， IB = 0

<10

VCE = 80V ， IB = 0

-

ICEX

VCE=100V,VEB=1.5V

<1.0

VCE=120V,VEB=1.5V

-

TC = 150℃

VCE=100V,VEB=1.5V

VCE=120V,VEB=1.5V

VEB = 4V ， IC = 0

摄氏度/ W

2N5680

2N5682

>120

-

<1.0

-

<10

-

<1.0

单位

V

uA

射极切断电流

IEBO

<1.0

-

<1.0

-

<1.0

mA

uA

http://www.bocasemi.com

页： 1

电气特性（Ta = 25℃除非另有说明）

2N5679-82

描述

符号测试条件

2N5679 2N5680

2N5681 2N5682

的hFE *

IC=1A,VCE=2V

>5.0

-

直流电流增益

IC=250mA,VCE=2V

40-150

<0.60

集电极 - 发射极饱和电压

VCE （星期六） * IC = 250毫安， IB = 25毫安

IC=500mA,IB=50mA

<1.0

IC = 1A ， IB = 200毫安

<2,0

<2.0

VBE （ ON） * IC = 250毫安， VCE = 2V

<1.0

基极发射极电压

小信号特性

小信号电流增益

出，将电容

晶体管频率

单位

V

的hFE

COB

ft

IC =的200mA， VCE = 1.5V

f=1kHz

VCB = 20V ， IE = 0

f=1MHz

IC = 100mA时VCE = 10V

f=10MHz

>20

<50

>30

>20

<50

>30

pF

兆赫

*脉冲测试：脉冲宽度： = 300US ，占空比= 2 ％

TO- 39金属罐包装

A

B

D

G

2

1

3

所有尺寸均为毫米

暗淡

A

B

C

D

E

F

G

H

J

K

L

米

最大

8.50

9.39

7.74

8.50

6.09

6.60

0.40

0.53

—

0.88

2.41

2.66

4.82

5.33

0.71

0.86

0.73

1.02

12.70

—

42 DE摹48 DE摹

E

K

C

L

H

J

3

2

1

P IN C O 4 N图ú ATIO

1. EM ITTE

2. BA SE

3. COLLE CTO

http://www.bocasemi.com

F

第2页

LAB

机械数据

尺寸mm （英寸）

SEME

2N5679

2N5680

PNP硅

晶体管

8 .8 9 (0 .3 5 )

9 .4 0 (0 .3 7 )

7 .7 5 (0 .3 0 5 )

8 .5 1 (0 .3 3 5 )

5 .0 8 (0 .2 0 0 )

TY页。

6 .1 0 (0 .2 4 0 )

6 .6 0 (0 .2 6 0 )

0 .6 6 (0 .0 2 6 )

1 .1 4 (0 .0 4 5 )

0 0.8 9米高X 。

(0 .0 3 5 )

7 .7 5 (0 .3 0 5 )

8 .5 1 (0 .3 3 5 )

IA 。

0 .7 1 (0 .0 2 8 )

0 .8 6 (0 .0 3 4 )

!

2 .5 4

(0 .1 0 0 )

1 2 .7 0

(0 .5 0 0 )

M IN 。

4 5 °

描述

该2N5679和2N5680的硅

在外延平面PNP晶体管

JEDEC TO- 39金属外壳供

作为驱动高功率晶体管使用

在通用，功放器和

开关电路

互补NPN类型是

分别2N5681和2N5682

TO-39

引脚1 - 发射极

PIN 2 - 基

PIN 3 - 集电极

绝对最大额定值

T

例

= 25 ° C除非另有说明

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

B

P

合计

T

英镑

T

j

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压（I

B

= 0)

发射极 - 基极电压（I

C

= 0)

连续集电极电流

基极电流

总功耗在T

例

25°C

T

AMB

25°C

工作和存储温度范围

结温

2N5679

-100V

-4V

-1A

-0.5A

10W

1W

2N5680

-120V

-65到+ 200℃

200°C

Semelab PLC 。

电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612 。

电子信箱：

sales@semelab.co.uk

网址：

http://www.semelab.co.uk

预赛。 3/00

LAB

热数据

R

THJ情况

R

THJ - AMB

热阻结案件

热阻结到环境

最大

17.5

175

SEME

2N5679

2N5680

° C / W

电气特性

（温度上限= 25 ° C除非另有说明）

参数

I

CBO

收藏家切断电流

测试条件

I

E

= 0

为2N5679

为2N5680

V

BE

= 1.5

为2N5679

为2N5680

V

CE

= -100V

V

CE

= -120V

V

CB

= -100V

V

CB

= -120V

分钟。

典型值。

马克斯。

-1

-10

-1

单位

A

I

CEV

收藏家切断电流

A

TCASE = 150℃

为2N5679

V

CE

= -100V

为2N5680

I

B

= 0

I

首席执行官

I

EBO

收藏家切断电流

发射器切断电流

为2N5679

为2N5680

I

C

= 0

I

B

= 0

V

CEO （ SUS） *

集电极发射极电压维持

为2N5679

为2N5680

I

C

= -250mA

V

CE （SAT） *

V

BE *

h

FE *

f

T

C

CBO

h

fe

集电极 - 发射极饱和电压

基极发射极电压

直流电流增益

Transistion频率

集电极电容基地

小信号电流增益

I

C

= -500mA

I

C

= -1A

I

C

= -250mA

I

C

= -250mA

I

C

= -1A

I

C

= -100mA

F = 10MHz时

I

E

= 0

F = 1MHz的

I

C

= -0.2A

F = 1kHz时

V

CE

= -1.5V

40

V

CB

= -20V

I

B

= -25mA

I

B

= -50mA

I

B

= -200mA

V

CE

= -2V

V

CE

= -2V

V

CE

= -2V

V

CE

= -10V

40

5

30

V

CE

= -70V

V

CE

= -80V

V

EB

= -4V

I

C

= -10mA

-100

-120

V

CE

= -120V

mA

A

-0.6

-1

-2

-1

150

V

兆赫

50

pF

*脉冲测试吨

p

= 300

m

s ,

d

＆ LT ; 2 ％

Semelab PLC 。

电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612 。

电子信箱：

sales@semelab.co.uk

网址：

http://www.semelab.co.uk

预赛。 3/00

2N5679

2N5680

机械数据

尺寸mm （英寸）

8.51 (0.34)

9.40 (0.37)

7.75 (0.305)

8.51 (0.335)

PNP硅

晶体管

6.10 (0.240)

6.60 (0.260)

描述

12.70

(0.500)

分钟。

0.89

马克斯。

(0.035)

0.41 (0.016)

0.53 (0.021)

DIA 。

5.08 (0.200)

典型值。

该2N5679和2N5680的硅外延

平面PNP晶体管JEDEC TO- 39金属

如拟用作驱动高

功率晶体管在通用，

放大器和开关电路

2.54

(0.100)

2

1

0.74 (0.029)

1.14 (0.045)

0.71 (0.028)

0.86 (0.034)

互补NPN类型是

分别2N5681和2N5682

3

45°

TO- 39 （ TO- 205AD ）

引脚1 - 发射极

PIN 2 - 基

PIN 3 - 集电极

绝对最大额定值

T

例

= 25 ° C除非另有说明

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

B

P

合计

T

英镑

T

j

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压（I

B

= 0)

发射极 - 基极电压（I

C

= 0)

连续集电极电流

基极电流

总功耗在

T

例

≤

25°C

T

AMB

≤

25°C

工作和存储温度范围

结温

2N5679

-100V

-4V

-1A

-0.5A

10W

1W

2N5680

-120V

-65到+ 200℃

200°C

Semelab Plc的保留改变试验条件，参数限制和封装尺寸，恕不另行通知。提供的信息Semelab信

是既准确又可靠，在即将出版的时间。然而Semelab承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。

Semelab鼓励客户以验证数据表是在下订单之前电流。

Semelab PLC 。

电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612 。

电子信箱：

sales@semelab.co.uk

网址：

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文档编号3076

第1期

2N5679

2N5680

热数据

R

THJ情况

R

THJ - AMB

热阻结案件

热阻结到环境

最大

17.5

175

° C / W

电气特性

（温度上限= 25 ° C除非另有说明）

参数

I

CBO

收藏家切断电流

测试条件

I

E

= 0

为2N5679

为2N5680

V

BE

= 1.5

为2N5679

为2N5680

V

CE

= -100V

V

CE

= -120V

V

CB

= -100V

V

CB

= -120V

分钟。

典型值。

马克斯。

-1

-10

-1

单位

A

I

CEV

收藏家切断电流

A

TCASE = 150℃

为2N5679

V

CE

= -100V

为2N5680

I

B

= 0

I

首席执行官

I

EBO

收藏家切断电流

发射器切断电流

为2N5679

为2N5680

I

C

= 0

I

B

= 0

V

CEO （ SUS） *

集电极发射极电压维持

为2N5679

为2N5680

I

C

= -250mA

V

CE （SAT） *

V

BE *

h

FE *

f

T

C

CBO

h

fe

集电极 - 发射极饱和电压

基极发射极电压

直流电流增益

Transistion频率

集电极电容基地

小信号电流增益

I

C

= -500mA

I

C

= -1A

I

C

= -250mA

I

C

= -250mA

I

C

= -1A

I

C

= -100mA

F = 10MHz时

I

E

= 0

F = 1MHz的

I

C

= -0.2A

F = 1kHz时

V

CE

= -1.5V

40

V

CB

= -20V

I

B

= -25mA

I

B

= -50mA

I

B

= -200mA

V

CE

= -2V

V

CE

= -2V

V

CE

= -2V

V

CE

= -10V

40

5

30

V

CE

= -70V

V

CE

= -80V

V

EB

= -4V

I

C

= -10mA

-100

-120

V

CE

= -120V

mA

A

-0.6

-1

-2

-1

150

V

兆赫

50

pF

*脉冲测试吨

p

= 300s ,

δ

＆ LT ; 2 ％

Semelab Plc的保留改变试验条件，参数限制和封装尺寸，恕不另行通知。提供的信息Semelab信

是既准确又可靠，在即将出版的时间。然而Semelab承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。

Semelab鼓励客户以验证数据表是在下订单之前电流。

Semelab PLC 。

电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612 。

电子信箱：

sales@semelab.co.uk

网址：

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文档编号3076

第1期

TRANSYS

电子

L I M I T E

PNP / NPN高压硅晶体管

2N5679

2N5680

PNP

TO-39

2N5681

2N5682

NPN

TO-39

这些都是高电压&高电流，通用晶体管

绝对最大额定值。

描述

符号

2N5679

2N5681

100

2N5680

2N5682

120

单位

V

A

W

毫瓦/摄氏度

W

毫瓦/摄氏度

摄氏度

VCEO

集电极发射极电压

VCBO

集电极基极电压

VEBO

4.0

发射极基极电压连续

IC

1.0

连续集电极电流

IB

0.5

基极电流

PD

1.0

功率耗散@ TA = 25摄氏度

5.7

减免上述25deg

PD

10

功耗@ TC = 25摄氏度

57

减免上述25deg

TJ ， TSTG

-65到+200

工作和存储结

温度范围

热阻

RTH （J -C ）

17.5

结到外壳

Rth的第（j-一）

175

结到环境

电气特性（Ta = 25℃除非另有说明）

描述

符号测试条件

2N5679

2N5681

VCEO （ SUS） IC = 10毫安， IB = 0

>100

集电极发射极电压

ICBO

VCB = 100V ， IE = 0

<1.0

集电极切断电流

VCB = 120V ， IE = 0

-

ICEO

VCE = 70V ， IB = 0

<10

VCE = 80V ， IB = 0

-

ICEX

VCE=100V,VEB=1.5V

<1.0

VCE=120V,VEB=1.5V

-

TC = 150℃

VCE=100V,VEB=1.5V

VCE=120V,VEB=1.5V

VEB = 4V ， IC = 0

摄氏度/ W

2N5680

2N5682

>120

-

<1.0

-

<10

-

<1.0

单位

V

uA

射极切断电流

IEBO

<1.0

-

<1.0

-

<1.0

mA

uA

电气特性（Ta = 25℃除非另有说明）

2N5679-82

描述

符号测试条件

2N5679 2N5680

2N5681 2N5682

的hFE *

IC=1A,VCE=2V

>5.0

-

直流电流增益

IC=250mA,VCE=2V

40-150

<0.60

集电极 - 发射极饱和电压

VCE （星期六） * IC = 250毫安， IB = 25毫安

IC=500mA,IB=50mA

<1.0

IC = 1A ， IB = 200毫安

<2,0

<2.0

VBE （ ON） * IC = 250毫安， VCE = 2V

<1.0

基极发射极电压

小信号特性

小信号电流增益

出，将电容

晶体管频率

单位

V

的hFE

COB

ft

IC =的200mA， VCE = 1.5V

f=1kHz

VCB = 20V ， IE = 0

f=1MHz

IC = 100mA时VCE = 10V

f=10MHz

>20

<50

>30

>20

<50

>30

pF

兆赫

*脉冲测试：脉冲宽度： = 300US ，占空比= 2 ％

TO- 39金属罐包装

A

B

D

G

2

1

3

所有尺寸均为毫米

暗淡

A

B

C

D

E

F

G

H

J

K

L

米

最大

8.50

9.39

7.74

8.50

6.09

6.60

0.40

0.53

—

0.88

2.41

2.66

4.82

5.33

0.71

0.86

0.73

1.02

12.70

—

42 DE摹48 DE摹

E

K

C

L

H

J

3

2

1

P IN C O 4 N图ú ATIO

1. EM ITTE

2. BA SE

3. COLLE CTO

包装细节

包

TO-39

标准包装

详细

净重量/数量

500个/塑料袋540克/ 500个

内箱箱

SIZE

数量

3" X 7.5" X 7.5"

20.0K

SIZE

外箱BOX

数量

克重量

32.0K

40公斤

17 ＆ QUOT ; ×15 ＆ QUOT ; X 13.5 ＆ QUOT ;

F

TRANSYS

电子

L I M I T E

PNP / NPN高压硅晶体管

2N5679

2N5680

PNP

TO-39

2N5681

2N5682

NPN

TO-39

这些都是高电压&高电流，通用晶体管

绝对最大额定值。

描述

符号

2N5679

2N5681

100

2N5680

2N5682

120

单位

V

A

W

毫瓦/摄氏度

W

毫瓦/摄氏度

摄氏度

VCEO

集电极发射极电压

VCBO

集电极基极电压

VEBO

4.0

发射极基极电压连续

IC

1.0

连续集电极电流

IB

0.5

基极电流

PD

1.0

功率耗散@ TA = 25摄氏度

5.7

减免上述25deg

PD

10

功耗@ TC = 25摄氏度

57

减免上述25deg

TJ ， TSTG

-65到+200

工作和存储结

温度范围

热阻

RTH （J -C ）

17.5

结到外壳

Rth的第（j-一）

175

结到环境

电气特性（Ta = 25℃除非另有说明）

描述

符号测试条件

2N5679

2N5681

VCEO （ SUS） IC = 10毫安， IB = 0

>100

集电极发射极电压

ICBO

VCB = 100V ， IE = 0

<1.0

集电极切断电流

VCB = 120V ， IE = 0

-

ICEO

VCE = 70V ， IB = 0

<10

VCE = 80V ， IB = 0

-

ICEX

VCE=100V,VEB=1.5V

<1.0

VCE=120V,VEB=1.5V

-

TC = 150℃

VCE=100V,VEB=1.5V

VCE=120V,VEB=1.5V

VEB = 4V ， IC = 0

摄氏度/ W

2N5680

2N5682

>120

-

<1.0

-

<10

-

<1.0

单位

V

uA

射极切断电流

IEBO

<1.0

-

<1.0

-

<1.0

mA

uA

电气特性（Ta = 25℃除非另有说明）

2N5679-82

描述

符号测试条件

2N5679 2N5680

2N5681 2N5682

的hFE *

IC=1A,VCE=2V

>5.0

-

直流电流增益

IC=250mA,VCE=2V

40-150

<0.60

集电极 - 发射极饱和电压

VCE （星期六） * IC = 250毫安， IB = 25毫安

IC=500mA,IB=50mA

<1.0

IC = 1A ， IB = 200毫安

<2,0

<2.0

VBE （ ON） * IC = 250毫安， VCE = 2V

<1.0

基极发射极电压

小信号特性

小信号电流增益

出，将电容

晶体管频率

单位

V

的hFE

COB

ft

IC =的200mA， VCE = 1.5V

f=1kHz

VCB = 20V ， IE = 0

f=1MHz

IC = 100mA时VCE = 10V

f=10MHz

>20

<50

>30

>20

<50

>30

pF

兆赫

*脉冲测试：脉冲宽度： = 300US ，占空比= 2 ％

TO- 39金属罐包装

A

B

D

G

2

1

3

所有尺寸均为毫米

暗淡

A

B

C

D

E

F

G

H

J

K

L

米

最大

8.50

9.39

7.74

8.50

6.09

6.60

0.40

0.53

—

0.88

2.41

2.66

4.82

5.33

0.71

0.86

0.73

1.02

12.70

—

42 DE摹48 DE摹

E

K

C

L

H

J

3

2

1

P IN C O 4 N图ú ATIO

1. EM ITTE

2. BA SE

3. COLLE CTO

包装细节

包

TO-39

标准包装

详细

净重量/数量

500个/塑料袋540克/ 500个

内箱箱

SIZE

数量

3" X 7.5" X 7.5"

20.0K

SIZE

外箱BOX

数量

克重量

32.0K

40公斤

17 ＆ QUOT ; ×15 ＆ QUOT ; X 13.5 ＆ QUOT ;

F

TRANSYS

电子

L I M I T E

PNP / NPN高压硅晶体管

2N5679

2N5680

PNP

TO-39

2N5681

2N5682

NPN

TO-39

这些都是高电压&高电流，通用晶体管

绝对最大额定值。

描述

符号

2N5679

2N5681

100

2N5680

2N5682

120

单位

V

A

W

毫瓦/摄氏度

W

毫瓦/摄氏度

摄氏度

VCEO

集电极发射极电压

VCBO

集电极基极电压

VEBO

4.0

发射极基极电压连续

IC

1.0

连续集电极电流

IB

0.5

基极电流

PD

1.0

功率耗散@ TA = 25摄氏度

5.7

减免上述25deg

PD

10

功耗@ TC = 25摄氏度

57

减免上述25deg

TJ ， TSTG

-65到+200

工作和存储结

温度范围

热阻

RTH （J -C ）

17.5

结到外壳

Rth的第（j-一）

175

结到环境

电气特性（Ta = 25℃除非另有说明）

描述

符号测试条件

2N5679

2N5681

VCEO （ SUS） IC = 10毫安， IB = 0

>100

集电极发射极电压

ICBO

VCB = 100V ， IE = 0

<1.0

集电极切断电流

VCB = 120V ， IE = 0

-

ICEO

VCE = 70V ， IB = 0

<10

VCE = 80V ， IB = 0

-

ICEX

VCE=100V,VEB=1.5V

<1.0

VCE=120V,VEB=1.5V

-

TC = 150℃

VCE=100V,VEB=1.5V

VCE=120V,VEB=1.5V

VEB = 4V ， IC = 0

摄氏度/ W

2N5680

2N5682

>120

-

<1.0

-

<10

-

<1.0

单位

V

uA

射极切断电流

IEBO

<1.0

-

<1.0

-

<1.0

mA

uA

电气特性（Ta = 25℃除非另有说明）

2N5679-82

描述

符号测试条件

2N5679 2N5680

2N5681 2N5682

的hFE *

IC=1A,VCE=2V

>5.0

-

直流电流增益

IC=250mA,VCE=2V

40-150

<0.60

集电极 - 发射极饱和电压

VCE （星期六） * IC = 250毫安， IB = 25毫安

IC=500mA,IB=50mA

<1.0

IC = 1A ， IB = 200毫安

<2,0

<2.0

VBE （ ON） * IC = 250毫安， VCE = 2V

<1.0

基极发射极电压

小信号特性

小信号电流增益

出，将电容

晶体管频率

单位

V

的hFE

COB

ft

IC =的200mA， VCE = 1.5V

f=1kHz

VCB = 20V ， IE = 0

f=1MHz

IC = 100mA时VCE = 10V

f=10MHz

>20

<50

>30

>20

<50

>30

pF

兆赫

*脉冲测试：脉冲宽度： = 300US ，占空比= 2 ％

TO- 39金属罐包装

A

B

D

G

2

1

3

所有尺寸均为毫米

暗淡

A

B

C

D

E

F

G

H

J

K

L

米

最大

8.50

9.39

7.74

8.50

6.09

6.60

0.40

0.53

—

0.88

2.41

2.66

4.82

5.33

0.71

0.86

0.73

1.02

12.70

—

42 DE摹48 DE摹

E

K

C

L

H

J

3

2

1

P IN C O 4 N图ú ATIO

1. EM ITTE

2. BA SE

3. COLLE CTO

包装细节

包

TO-39

标准包装

详细

净重量/数量

500个/塑料袋540克/ 500个

内箱箱

SIZE

数量

3" X 7.5" X 7.5"

20.0K

SIZE

外箱BOX

数量

克重量

32.0K

40公斤

17 ＆ QUOT ; ×15 ＆ QUOT ; X 13.5 ＆ QUOT ;

F

2N5679 – 2N5680

PNP开关晶体管

该2N5679和2N5680的硅外延平面PNP

晶体管JEDEC TO- 39金属外壳。

它们旨在用作驱动高功率晶体管

在通用的，放大器和开关电路。

互补NPN类型是2N5681和2N5682

.

符合RoHS指令。

C

B

E

绝对最大额定值

价值

25679

I

B

=0

I

E

=0

I

C

=0

-100

-4

-1

-500

1

10

200

-65到+150

符号

V

首席执行官

V

CBO

V

EBO

I

C

I

B

P

D

T

J

T

英镑

评级

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

基极电流

总功耗

结温

存储温度范围

2N5680

-120

单位

V

A

mA

W

°C

T

AMB

= 25°C

T

例

= 25°C

热特性

符号

R

THJ -A

R

THJ -C

评级

热阻，结到环境

热阻，结到外壳

价值

175

17.5

单位

° C / W

半导体COMSET

1/3

2N5679 – 2N5680

电气特性

TJ = 25 ° C除非另有说明

符号

I

CBO

I

首席执行官

评级

集电极截止

当前

集电极截止

当前

测试条件（S ）

民

2N5679

2N5680

2N5679

2N5680

2N5679

2N5680

2N5679

-

2N5680

-

-100

-120

-

40

5

30

-

40

-

典型值

-

Mx

-1

-10

-1

单位

A

I

CEV

集电极截止

当前

V

CB

= -100 V，I

E

= 0

V

CB

= -120 V，I

E

= 0

V

CE

= -70 V，I

B

= 0

V

CE

= -80 V，I

B

= 0

V

CE

= -100 V, V

BE

= 1.5 V

V

CE

= -120 V, V

BE

= 1.5 V

V

CE

= -100 V, V

BE

= 1.5 V

T

C

= 150°C

V

CE

= -120 V, V

BE

= 1.5 V

T

C

= 150°C

-

-1

mA

I

EBO

V

CEO （ SUS ）

V

CE （ SAT ）

V

BE

发射极截止

V

BE

= -4.0 V，I

C

= 0

当前

集电极发射极

I = -10毫安，我

B

= 0

维持电压（ * ）

C

I

C

= -250毫安

I

B

= -25毫安

I

C

= -500毫安

集电极 - 发射极

饱和电压（ * ）I

B

= -50毫安

I

C

= -1 A

I

B

= -200毫安

基射极电压

I

C

= -250毫安，V

CE

= -2 V

(*)

直流电流增益（ * ）

h

FE

f

T

C

OB

h

fe

跃迁频率

输出电容

小信号电流

收益

2N5679

2N5680

2N5679

2N5680

2N5679

2N5680

2N5679

2N5680

2N5679

2N5680

2N5679

2N5680

2N5679

I

C

= -250毫安，V

CE

= -2 V

2N5680

2N5679

I

C

= -1 A，V

CE

= -2 V

2N5680

I

C

= -100毫安，V

CE

= -10 V 2N5679

F = 10MHz的

2N5680

2N5679

I

E

= 0, V

CB

= -20 V

F = 1MHz的

2N5680

I

C

= -200毫安，V

CE

= -1.5 V 2N5679

F = 1千赫

2N5680

-

-1

-

-0.6

-1

-2

-1

150

-

50

-

A

V

兆赫

pF

-

（ * ）脉冲宽度

≈

300

s,

占空比

∠

2.0%

24/09/2012

半导体COMSET

2/3

2N5679 – 2N5680

机械数据案例TO- 39

外形尺寸（mm ）

民

最大

9.39

8.50

6.60

0.53

0.88

2.66

5.33

0.86

1.02

-

48°

A

B

C

D

E

F

G

H

J

K

L

8.50

7.74

6.09

0.40

-

2.41

4.82

0.71

0.73

12.70

42°

引脚1 ：

引脚2 ：

3脚：

案例：

辐射源

BASE

集热器

修订后的2012年8月

提供的资料被认为是准确和可靠。然而，半导体COMSET承担的后果不承担任何责任

利用这些信息，也没有对任何侵犯第三方专利或可借鉴其使用效果等权利。资料如有变更，

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组件生命支持设备或系统。

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24/09/2012

半导体COMSET

info@comsetsemi.com

3/3