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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第702页 > 2N7000RLRA
2N7000
首选设备
小信号MOSFET
200毫安， 60伏
N沟道TO- 92
特点
http://onsemi.com
无铅包可用*
最大额定值
等级
漏源电压
漏极 - 栅极电压（R
GS
= 1.0毫瓦）
栅源电压
- 连续
- 不重复（T
p
≤
50
女士）
漏电流
- 连续
- 脉冲
总功率耗散@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
工作和存储温度
范围
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
价值
60
60
±
20
±
40
200
500
350
2.8
-55到+150
mW
毫瓦/°C的
°C
TO92
CASE 29
样式22
单位
VDC
VDC
VDC
VPK
MADC
200毫安
60伏特
R
DS （ ON）
= 5
W
N沟道
D
G
S
热特性
特征
热阻，结到环境
铅的最大温度
焊接目的， 1/16“的情况下，从
10秒
符号
R
qJA
T
L
最大
357
300
单位
° C / W
°C
3
直引线
散装
12
1
3
BENT LEAD
磁带&卷轴
弹药包
2
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
标记图
和引脚分配
2N
7000
AYWW
G
G
1
来源
3
漏
2
门
A
=大会地点
Y
=年
WW
=工作周
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2007年
1
2007年3月 - 修订版6
出版订单号：
2N7000/D
2N7000
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
(V
DS
= 48伏直流，V
GS
= 0)
(V
DS
= 48伏直流，V
GS
= 0, T
J
= 125°C)
门体漏电流，正向
基本特征
（注1 ）
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 0.5 ADC）
(V
GS
= 4.5伏，我
D
= 75 MADC ）
漏源电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 0.5 ADC）
(V
GS
= 4.5伏，我
D
= 75 MADC ）
通态漏电流
正向跨导
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关特性
（注1 ）
导通延迟时间
关断延迟时间
(V
DD
= 15 V，I
D
= 500毫安，
R
G
= 25
W,
R
L
= 30
W,
V
根
= 10 V)
t
on
t
关闭
10
10
ns
(V
DS
= 25 V, V
GS
= 0,
F = 1.0兆赫）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
60
25
5.0
pF
(V
GS
= 4.5伏，V
DS
= 10 VDC ）
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 200 MADC ）
I
D（上）
g
fs
V
DS （ ON）
75
100
2.5
0.45
MADC
毫姆欧
(V
DS
= V
GS
, I
D
= 1.0 MADC ）
V
GS （ TH）
r
DS （ ON）
5.0
6.0
VDC
0.8
3.0
VDC
W
(V
GSF
= 15 VDC ，V
DS
= 0)
I
GSSF
(V
GS
= 0, I
D
= 10
MADC ）
V
（ BR ） DSS
I
DSS
1.0
1.0
10
60
VDC
MADC
MADC
NADC
符号
民
最大
单位
1.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
女士，
占空比
≤
2.0%.
订购信息
设备
2N7000
2N7000G
2N7000RLRA
2N7000RLRAG
2N7000RLRM
2N7000RLRMG
2N7000RLRP
2N7000RLRPG
包
TO92
TO92
（无铅）
TO92
TO92
（无铅）
TO92
TO92
（无铅）
TO92
TO92
（无铅）
航运
1000单位/散装
1000单位/散装
2000磁带&卷轴
2000磁带&卷轴
2000磁带&弹药盒
2000磁带&弹药盒
2000磁带&弹药盒
2000磁带&弹药盒
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
http://onsemi.com
2
2N7000
2.0
1.8
I D ，漏极电流（ AMPS ）
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
1.0
2.0 3.0 4.0 5.0
6.0 7.0 8.0
V
DS
，漏源极电压（伏）
T
A
= 25°C
I D ，漏极电流（ AMPS ）
V
GS
= 10 V
9V
8V
7V
6V
5V
4V
3V
9.0
10
0
1.0
2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 7.0 8.0
V
GS
，门源极电压（伏）
9.0
10
0.8
0.6
0.4
0.2
1.0
V
DS
= 10 V
55
°C
125°C
25°C
图1.欧姆区
图2.传输特性
R DS（ON ），静态漏源导通电阻
（归一化）
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
60
20
+20
+60
T，温度（ ° C）
+100
+140
V
GS
= 10 V
I
D
= 200毫安
VGS （ th）时，阈值电压（标准化）
1.2
1.05
1.1
1.10
1.0
0.95
0.9
0.85
0.8
0.75
0.7
60
20
+20
+60
T，温度（ ° C）
+100
+140
V
DS
= V
GS
I
D
= 1.0毫安
图3.温度与静
漏源导通电阻
图4.温度与门
阈值电压
http://onsemi.com
3
2N7000
包装尺寸
TO-92 （TO- 226）
CASE 29-11
ISSUE AM
A
R
P
L
座位
飞机
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.轮廓的包装BEYOND尺寸R
不加控制。
4. LEAD维不受控制IN P和
BEYOND尺寸k最低限度。
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
L
N
P
R
V
英寸
民
最大
0.175
0.205
0.170
0.210
0.125
0.165
0.016
0.021
0.045
0.055
0.095
0.105
0.015
0.020
0.500
0.250
0.080
0.105
0.100
0.115
0.135
MILLIMETERS
民
最大
4.45
5.20
4.32
5.33
3.18
4.19
0.407
0.533
1.15
1.39
2.42
2.66
0.39
0.50
12.70
6.35
2.04
2.66
2.54
2.93
3.43
B
直引线
散装
K
X X
G
H
V
1
D
J
C
第X-X
N
N
R
A
B
BENT LEAD
磁带&卷轴
弹药包
P
T
座位
飞机
注意事项：
1.尺寸和公差PER
ASME Y14.5M ， 1994年。
2.控制尺寸：毫米。
3.轮廓包装超越
尺寸R不受控制。
4.铅尺寸不可控IN P
AND BEYOND尺寸k最低限度。
MILLIMETERS
民
最大
4.45
5.20
4.32
5.33
3.18
4.19
0.40
0.54
2.40
2.80
0.39
0.50
12.70
2.04
2.66
1.50
4.00
2.93
3.43
风格22 ：
PIN 1.源
2.门
3.排水
K
X X
G
D
J
V
C
第X-X
N
1
暗淡
A
B
C
D
G
J
K
N
P
R
V
安森美半导体
和
是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留随时更改，恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保，声明或保证，也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用，并特别声明，任何和所有责任，包括但不限于特殊，间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格，可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他应用程序
旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。应
买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并SCILLC及其高级人员，雇员，子公司，关联公司，
和分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
与此类意外或未经授权的使用有关，即使此类索赔称， SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等
机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律，并不得转售以任何方式。
出版物订货信息
文学履行：
安森美半导体文学配送中心
P.O.盒5163 ，丹佛，科罗拉多州80217美国
电话：
303-675-2175或800-344-3860免费电话美国/加拿大
传真：
303-675-2176或800-344-3867免费电话美国/加拿大
电子邮件：
orderlit@onsemi.com
N.美国技术支持：
免费电话800-282-9855
美国/加拿大
欧洲，中东和非洲技术支持：
电话： 421 33 790 2910
日本以客户为中心中心
电话： 81-3-5773-3850
安森美半导体网站： www.onsemi.com
为了文学：
http://www.onsemi.com/orderlit
有关更多信息，请联系您当地的
销售代表
http://onsemi.com
4
2N7000/D
2N7000
首选设备
小信号MOSFET
200毫安， 60伏
N沟道TO- 92
最大额定值
等级
漏源电压
漏极 - 栅极电压（ RGS = 1.0 MΩ ）
栅源电压
- 连续
- 不重复（ TP
≤
50
s)
漏电流
- 连续
- 脉冲
总功率耗散@ TC = 25°C
减免上述25℃
工作和存储温度
范围
符号
VDSS
VDGR
VGS
VGSM
ID
IDM
PD
TJ ， TSTG
价值
60
60
±20
±40
200
500
350
2.8
-55
+150
mW
毫瓦/°C的
°C
S
G
单位
VDC
VDC
VDC
VPK
MADC
http://onsemi.com
200毫安
60伏特
RDS （ ON） = 5
N沟道
D
热特性
特征
热阻，结到
环境
铅的最大温度
焊接目的， 1/16“的情况下，从
10秒
符号
R
θJA
TL
最大
357
300
单位
° C / W
°C
12
3
TO–92
CASE 29
样式22
标记图
＆放大器;引脚分配
2N7000
YWW
1
来源
2
门
Y
WW
3
漏
=年
=工作周
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第3页。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2000
1
2000年11月 - 修订版5
出版订单号：
2N7000/D
2N7000
电气特性
（ TC = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
最大
单位
开关特性
漏源击穿电压
（VGS = 0时， n = 10
μAdc ）
零栅极电压漏极电流
（ VDS = 48伏直流电， VGS = 0 ）
（ VDS = 48伏直流电， VGS = 0 ， TJ = 125°C ）
门体漏电流，正向
（ VGSF = 15 VDC ， VDS = 0 ）
V（ BR ） DSS
IDSS
–
–
IGSSF
–
1.0
1.0
–10
60
–
VDC
μAdc
MADC
NADC
基本特征
（注1 ）
栅极阈值电压
（VDS = VGS ，ID = 1.0 MADC ）
静态漏源导通电阻
（ VGS = 10 VDC ， ID = 0.5 ADC ）
（ VGS = 4.5伏， ID = 75 MADC ）
漏源电压
（ VGS = 10 VDC ， ID = 0.5 ADC ）
（ VGS = 4.5伏， ID = 75 MADC ）
通态漏电流
（ VGS = 4.5伏， VDS = 10 VDC ）
正向跨导
（ VDS = 10 VDC ， ID = 200 MADC ）
VGS （ TH）
RDS （ ON）
–
–
VDS （上）
–
–
ID （上）
政府飞行服务队
75
100
2.5
0.45
–
–
MADC
μmhos
5.0
6.0
VDC
0.8
3.0
VDC
欧姆
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输
电容
(
（ VDS = 25 V ， VGS = 0 ，
,
,
F = 1 0 MH ）
1.0兆赫）
西塞
科斯
CRSS
–
–
–
60
25
5.0
pF
开关特性
（注1 ）
导通延迟时间
关断延迟时间
（ VDD = 15V， ID = 500 mA时，
RG = 25
W,
RL = 30
W,
VGEN = 10 V）
吨
花花公子
–
–
10
10
ns
1.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2.0%.
http://onsemi.com
2
2N7000
2.0
1.8
I D ，漏极电流（ AMPS ）
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
1.0
2.0 3.0 4.0 5.0
6.0
7.0 8.0
VDS ，漏极 - 源极电压（伏）
TA = 25°C
I D ，漏极电流（ AMPS ）
VGS = 10 V
9V
8V
7V
6V
5V
4V
3V
9.0
10
0
1.0
2.0 3.0 4.0
5.0
6.0 7.0 8.0
VGS ，门源极电压（伏）
9.0
10
0.8
0.6
0.4
0.2
1.0
VDS = 10V
-55°C
125°C
25°C
图1.欧姆区
图2.传输特性
R DS（ON ），静态漏源导通电阻
（归一化）
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
-60
-20
+20
+60
T，温度（ ° C）
+100
+140
VGS = 10 V
ID = 200毫安
VGS （ th）时，阈值电压（标准化）
2.4
1.2
1.05
1.1
1.10
1.0
0.95
0.9
0.85
0.8
0.75
0.7
-60
-20
+20
+60
T，温度（ ° C）
+100
+140
VDS = VGS
ID = 1.0毫安
图3.温度与静
漏源导通电阻
图4.温度与门
阈值电压
订购信息
设备
2N7000
2N7000RLRA
2N7000RLRM
2N7000RLRP
2N7000ZL1
包
TO–92
TO–92
TO–92
TO–92
TO–92
航运
1000单位/箱
2000磁带&卷轴
2000的弹药包
2000的弹药包
2000的弹药包
http://onsemi.com
3
2N7000
包装尺寸
TO–92
CASE 29-11
ISSUE AL
A
R
P
L
座位
飞机
B
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.轮廓的包装BEYOND尺寸R
不加控制。
4. LEAD维不受控制IN P和
BEYOND尺寸k最低限度。
英寸
民
最大
0.175
0.205
0.170
0.210
0.125
0.165
0.016
0.021
0.045
0.055
0.095
0.105
0.015
0.020
0.500
---
0.250
---
0.080
0.105
---
0.100
0.115
---
0.135
---
MILLIMETERS
民
最大
4.45
5.20
4.32
5.33
3.18
4.19
0.407
0.533
1.15
1.39
2.42
2.66
0.39
0.50
12.70
---
6.35
---
2.04
2.66
---
2.54
2.93
---
3.43
---
K
X X
G
H
V
1
D
J
C
第X-X
N
N
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
L
N
P
R
V
风格22 ：
PIN 1.源
2.门
3.排水
安森美半导体
和
是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留修改的权利
恕不另行通知这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定的任何保证，声明或担保
目的，也不SCILLC承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任，并明确拒绝承担任何责任，
包括但不限于特殊，间接或附带损失。这可能SCILLC数据表提供“典型”参数和/或
规格可以做不同在不同的应用和实际性能可能会随时间而变化。所有的操作参数，包括“典型”必须是
验证每个客户的客户应用的技术专家。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可或他人的权利。
SCILLC产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他应用程序
旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况或
可能会出现死亡。如果买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并持有
SCILLC及其高级人员，雇员，子公司，联营公司及分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的
直接或间接引起的，律师费，人身伤害或意外或未经授权使用相关死亡索赔，即使此类索赔
称， SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是一个机会均等/肯定行动雇主。
出版物订货信息
北美文学履行：
安森美半导体文学配送中心
P.O.盒5163 ，丹佛，科罗拉多州80217美国
电话：
303-675-2175或800-344-3860免费电话美国/加拿大
传真：
303-675-2176或800-344-3867免费电话美国/加拿大
电子邮件：
ONlit@hibbertco.com
传真响应行： 303-675-2167或800-344-3810免费电话美国/加拿大
N.美国技术支持：
800-282-9855免费电话美国/加拿大
欧洲：
最不发达国家的安森美半导体 - 欧洲支持
德国电话：
（ +1 ） 303-308-7140 （周一至周五下午2:30至下午7:00 CET）
电子邮件：
ONlit-german@hibbertco.com
法国电话：
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