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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第702页 > 2N6246
2N6246
尺寸以毫米（英寸） 。
25.15 (0.99)
26.67 (1.05)
10.67 (0.42)
11.18 (0.44)
1.52 (0.06)
3.43 (0.135)
6.35 (0.25)
9.15 (0.36)
在双极PNP设备
密封TO3
金属包装。
38.61 (1.52)
39.12 (1.54)
0.97 (0.060)
1.10 (0.043)
29.9 (1.177)
30.4 (1.197)
22.23
(0.875)
马克斯。
16.64 (0.655)
17.15 (0.675)
1
2
双极PNP设备。
V
首席执行官
= 70V
3
（案例）
3.84 (0.151)
4.09 (0.161)
7.92 (0.312)
12.70 (0.50)
I
C
= 10A
所有Semelab密封产品
可根据被处理
BS ， CECC和JAN的要求，
JANTX ， JANTXV和JANS规范。
TO3 （ TO204AA ）
引脚配置
1 - 基地
2 - 发射极
案例 - 集电极
参数
V
首席执行官
*
I
C（ CONT ）
h
FE
f
t
P
D
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
70
10
单位
V
A
-
Hz
@ 4/7 (V
CE
/ I
C
)
20
10M
100
125
W
*最大工作电压
这是一个简易模式数据表。对于一个完整的数据表，请联系
sales@semelab.co.uk 。
Semelab Plc的保留改变试验条件，参数限制和封装尺寸，恕不另行通知。提供的信息Semelab信
是既准确又可靠，在即将出版的时间。然而Semelab承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。
Semelab PLC 。
电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612 。
电子信箱：
sales@semelab.co.uk
网址：
http://www.semelab.co.uk
产生
31-Jul-02
2N6246
尺寸以毫米（英寸） 。
25.15 (0.99)
26.67 (1.05)
10.67 (0.42)
11.18 (0.44)
1.52 (0.06)
3.43 (0.135)
6.35 (0.25)
9.15 (0.36)
在双极PNP设备
密封TO3
金属包装。
38.61 (1.52)
39.12 (1.54)
0.97 (0.060)
1.10 (0.043)
29.9 (1.177)
30.4 (1.197)
22.23
(0.875)
马克斯。
16.64 (0.655)
17.15 (0.675)
1
2
双极PNP设备。
V
首席执行官
= 70V
3
（案例）
3.84 (0.151)
4.09 (0.161)
7.92 (0.312)
12.70 (0.50)
I
C
= 10A
所有Semelab密封产品
可根据被处理
BS ， CECC和JAN的要求，
JANTX ， JANTXV和JANS规范。
TO3 （ TO204AA ）
引脚配置
1 - 基地
2 - 发射极
案例 - 集电极
参数
V
首席执行官
*
I
C（ CONT ）
h
FE
f
t
P
D
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
70
10
单位
V
A
-
Hz
@ 4/7 (V
CE
/ I
C
)
20
10M
100
125
W
*最大工作电压
这是一个简易模式数据表。对于一个完整的数据表，请联系
sales@semelab.co.uk 。
Semelab Plc的保留改变试验条件，参数限制和封装尺寸，恕不另行通知。提供的信息Semelab信
是既准确又可靠，在即将出版的时间。然而Semelab承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。
Semelab PLC 。
电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612 。
电子信箱：
sales@semelab.co.uk
网址：
http://www.semelab.co.uk
产生
31-Jul-02
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
描述
·采用TO-3封装
·低集电极饱和电压
·卓越的安全工作区
·高增益高电流
应用
·通用型开关
和线性放大器的应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
描述
2N6246 2N6247 2N6248
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
绝对最大额定值（Ta =
)
符号
参数
2N6246
V
CBO
集电极 - 基极电压
2N6247
2N6248
2N6246
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
2N6247
2N6248
V
EBO
I
C
I
B
P
T
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25
集电极开路
开基
发射极开路
条件
价值
-70
-90
-110
-60
-80
-100
-5
-15
-5
125
150
-65~200
V
A
A
W
V
V
单位
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
价值
1.4
单位
/W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
2N6246
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极
维持电压
2N6247
2N6248
2N6246
V
CEsat-1
集电极 - 发射极
饱和电压
2N6247
2N6248
2N6246
V
CEsat-2
集电极 - 发射极
饱和电压
2N6247
2N6248
2N6246
V
BE
基射
ON电压
2N6247
2N6248
I
首席执行官
集电极截止电流
2N6246
I
CEX
集热器
截止电流
2N6247
2N6248
2N6246
I
EBO
辐射源
截止电流
2N6247
2N6248
2N6246
h
FE-1
直流电流增益
2N6247
2N6248
2N6246
h
FE-2
直流电流增益
2N6247
2N6248
I
C
= -7A ; V
CE
=-4V
I
C
= -6A ; V
CE
=-4V
I
C
= -5A ; V
CE
=-4V
I
C
= -15A ; V
CE
=-4V
I
C
= -15A ; V
CE
=-4V
I
C
= -10A ; V
CE
=-4V
V
EB
= -5V ;我
C
=0
I
C
= -7A ;我
B
=-0.7A
I
C
= -6A ;我
B
=-0.6A
I
C
= -5A ;我
B
=-0.5A
I
C
= -15A ;我
B
=-3A
I
C
= -15A ;我
B
=-4A
I
C
= -0.2A ;我
B
=0
条件
符号
2N6246 2N6247 2N6248
民
-60
-80
-100
典型值。
最大
单位
V
-1.3
V
-2.5
V
-3.5
I
C
= -10A ;我
B
=-2A
I
C
= -7A ; V
CE
=-4V
I
C
= -6A ; V
CE
=-4V
I
C
= -5A ; V
CE
=-4V
V
CE
= 1 / 2Rated V
首席执行官
; I
B
=0
V
CE
=-65V; V
BE
=-1.5V
V
CE
=-55V; V
BE
= -1.5V牛逼
C
=150
V
CE
=-85V; V
BE
=-1.5V
V
CE
=-70V; V
BE
= -1.5V牛逼
C
=150
V
CE
=-100V; V
BE
=-1.5V
V
CE
=-90V; V
BE
= -1.5V牛逼
C
=150
-2.0
-1.8
-1.8
-1.0
-0.2
-5.0
-0.2
-5.0
-0.2
-5.0
-5.0
mA
-1.0
mA
V
mA
20
100
5
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2N6246 2N6247 2N6248
图2外形尺寸（ unindicated公差：为±0.1mm ）
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
描述
·带
TO- 3封装
ULOW
集电极饱和电压
优秀
安全工作区
高
增益在高电流
应用
通用
类型的开关
和线性放大器的应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
描述
2N6246 2N6247 2N6248
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
绝对最大额定值（Ta =
℃)
符号
参数
2N6246
V
CBO
集电极 - 基极电压
2N6247
2N6248
2N6246
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
2N6247
2N6248
V
EBO
I
C
I
B
P
T
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25℃
集电极开路
开基
发射极开路
条件
价值
-70
-90
-110
-60
-80
-100
-5
-15
-5
125
150
-65~200
V
A
A
W
℃
℃
V
V
单位
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
价值
1.4
单位
℃/W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
2N6246
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极
维持电压
2N6247
2N6248
2N6246
V
CEsat-1
集电极 - 发射极
饱和电压
2N6247
2N6248
2N6246
V
CEsat-2
集电极 - 发射极
饱和电压
2N6247
2N6248
2N6246
V
BE
基射
ON电压
2N6247
2N6248
I
首席执行官
集电极截止电流
2N6246
I
CEX
集热器
截止电流
2N6247
2N6248
2N6246
I
EBO
辐射源
截止电流
2N6247
2N6248
2N6246
h
FE-1
直流电流增益
2N6247
2N6248
2N6246
h
FE-2
直流电流增益
2N6247
2N6248
I
C
= -7A ; V
CE
=-4V
I
C
= -6A ; V
CE
=-4V
I
C
= -5A ; V
CE
=-4V
I
C
= -15A ; V
CE
=-4V
I
C
= -15A ; V
CE
=-4V
I
C
= -10A ; V
CE
=-4V
V
EB
= -5V ;我
C
=0
I
C
= -7A ;我
B
=-0.7A
I
C
= -6A ;我
B
=-0.6A
I
C
= -5A ;我
B
=-0.5A
I
C
= -15A ;我
B
=-3A
I
C
= -15A ;我
B
=-4A
I
C
= -0.2A ;我
B
=0
条件
2N6246 2N6247 2N6248
民
-60
-80
-100
典型值。
最大
单位
V
-1.3
V
-2.5
V
-3.5
I
C
= -10A ;我
B
=-2A
I
C
= -7A ; V
CE
=-4V
I
C
= -6A ; V
CE
=-4V
I
C
= -5A ; V
CE
=-4V
V
CE
= 1 / 2Rated V
首席执行官
; I
B
=0
V
CE
=-65V; V
BE
=-1.5V
V
CE
=-55V; V
BE
= -1.5V牛逼
C
=150℃
V
CE
=-85V; V
BE
=-1.5V
V
CE
=-70V; V
BE
= -1.5V牛逼
C
=150℃
V
CE
=-100V; V
BE
=-1.5V
V
CE
=-90V; V
BE
= -1.5V牛逼
C
=150℃
-2.0
-1.8
-1.8
-1.0
-0.2
-5.0
-0.2
-5.0
-0.2
-5.0
-5.0
mA
-1.0
mA
V
mA
20
100
5
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2N6246 2N6247 2N6248
图2外形尺寸（ unindicated公差：为±0.1mm ）
3
产品speci fi cation
www.jmnic.com
硅PNP功率晶体管
描述
·带
TO- 3封装
ULOW
集电极饱和电压
优秀
安全工作区
高
增益在高电流
应用
通用
类型的开关
和线性放大器的应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
描述
2N6246 2N6247 2N6248
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
绝对最大额定值（Ta =
℃)
符号
参数
2N6246
V
CBO
集电极 - 基极电压
2N6247
2N6248
2N6246
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
2N6247
2N6248
V
EBO
I
C
I
B
P
T
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25℃
集电极开路
开基
发射极开路
条件
价值
70
90
110
60
80
100
5
15
5
125
150
-65~200
V
A
A
W
℃
℃
V
V
单位
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
价值
1.4
单位
℃/W
JMnic
产品speci fi cation
www.jmnic.com
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
2N6246
V
首席执行官
集电极 - 发射极
维持电压
2N6247
2N6248
2N6246
V
CEsat-1
集电极 - 发射极
饱和电压
2N6247
2N6248
2N6246
V
CEsat-2
集电极 - 发射极
饱和电压
2N6247
2N6248
2N6246
V
BE
基射
电压
on
2N6247
2N6248
I
首席执行官
集电极截止电流
2N6246
I
CEX
集热器
当前
截止
2N6247
2N6248
辐射源
当前
截止
2N6246
V
EB
= 5V ;我
C
=0
2N6247/6248
2N6246
h
FE-1
直流电流增益
2N6247
2N6248
2N6246
h
FE-2
直流电流增益
2N6247
2N6248
I
C
= 7A ; V
CE
=4V
I
C
= 6A ; V
CE
=4V
I
C
= 5A ; V
CE
=4V
I
C
= 15A ; V
CE
=4V
I
C
= 15A ; V
CE
=4V
I
C
= 10A ; V
CE
=4V
I
C
= 7A ;我
B
=0.7A
I
C
= 6A ;我
B
=0.6A
I
C
= 5A ;我
B
=0.5A
I
C
= 15A ;我
B
=3A
I
C
= 15A ;我
B
=4A
I
C
= 0.2A ;我
B
=0
2N6246 2N6247 2N6248
条件
民
60
80
100
典型值。
最大
单位
V
1.3
V
2.5
V
3.5
I
C
= 10A ;我
B
=2A
I
C
= 7A ; V
CE
=4V
I
C
= 6A ; V
CE
=4V
I
C
= 5A ; V
CE
=4V
V
CE
= 1 / 2Rated V
首席执行官
; I
B
=0
V
CE
=65V; V
BE
=-1.5V
V
CE
=55V; V
BE
= -1.5V牛逼
C
=150℃
V
CE
=85V; V
BE
=-1.5V
V
CE
=70V; V
BE
= -1.5V牛逼
C
=150℃
V
CE
=100V; V
BE
=-1.5V
V
CE
=90V; V
BE
= -1.5V牛逼
C
=150℃
2.0
1.8
1.8
1.0
0.2
5.0
0.2
5.0
0.2
5.0
5.0
mA
1.0
mA
V
mA
I
EBO
20
100
5
JMnic
产品speci fi cation
www.jmnic.com
硅PNP功率晶体管
包装外形
2N6246 2N6247 2N6248
图2外形尺寸（ unindicated公差：为±0.1mm ）
JMnic
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
描述
·带
TO- 3封装
ULOW
集电极饱和电压
优秀
安全工作区
高
增益在高电流
应用
通用
类型的开关
和线性放大器的应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
描述
2N6246 2N6247 2N6248
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
绝对最大额定值（Ta =
℃)
符号
固电
IN
导½
半
参数
2N6246
2N6247
2N6248
2N6246
2N6247
2N6248
条件
V
CBO
集电极 - 基极电压
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
GS
AN
CH
发射极开路
MIC
E
ND
O
器
UC
价值
-70
-90
-110
-60
-80
-100
单位
V
开基
V
V
EBO
I
C
I
B
P
T
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
总功耗
结温
储存温度
集电极开路
-5
-15
-5
V
A
A
W
℃
℃
T
C
=25℃
125
150
-65~200
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
价值
1.4
单位
℃/W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
2N6246
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极
维持电压
2N6247
2N6248
2N6246
V
CEsat-1
集电极 - 发射极
饱和电压
2N6247
2N6248
2N6246
V
CEsat-2
集电极 - 发射极
饱和电压
2N6247
2N6248
I
C
= -7A ;我
B
=-0.7A
I
C
= -6A ;我
B
=-0.6A
I
C
= -5A ;我
B
=-0.5A
I
C
= -15A ;我
B
=-3A
I
C
= -15A ;我
B
=-4A
I
C
= -0.2A ;我
B
=0
条件
2N6246 2N6247 2N6248
民
-60
-80
-100
典型值。
最大
单位
V
-1.3
V
-2.5
V
-3.5
I
C
= -10A ;我
B
=-2A
I
C
= -7A ; V
CE
=-4V
I
C
= -6A ; V
CE
=-4V
I
C
= -5A ; V
CE
=-4V
V
CE
= 1 / 2Rated V
首席执行官
; I
B
=0
-2.0
V
BE
I
首席执行官
电半
固
集热器
截止电流
基射
ON电压
导½
2N6247
2N6248
2N6246
2N6247
2N6246
集电极截止电流
I
CEX
IN
GS
AN
CH
2N6248
2N6246
2N6247
2N6248
2N6246
V
CE
=-65V; V
BE
=-1.5V
V
CE
=-55V; V
BE
= -1.5V牛逼
C
=150℃
V
CE
=-85V; V
BE
=-1.5V
V
CE
=-70V; V
BE
= -1.5V牛逼
C
=150℃
V
CE
=-100V; V
BE
=-1.5V
V
CE
=-90V; V
BE
= -1.5V牛逼
C
=150℃
MIC
E
ND
O
器
UC
-1.8
-1.0
-0.2
-5.0
-0.2
-5.0
-0.2
-5.0
-5.0
-1.8
V
mA
mA
I
EBO
辐射源
截止电流
V
EB
= -5V ;我
C
=0
-1.0
mA
I
C
= -7A ; V
CE
=-4V
I
C
= -6A ; V
CE
=-4V
I
C
= -5A ; V
CE
=-4V
I
C
= -15A ; V
CE
=-4V
I
C
= -15A ; V
CE
=-4V
I
C
= -10A ; V
CE
=-4V
5
20
100
h
FE-1
直流电流增益
2N6247
2N6248
2N6246
h
FE-2
直流电流增益
2N6247
2N6248
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2N6246 2N6247 2N6248
固电
IN
导½
半
SEM
NG
HA
C
ND
ICO
器
UC
图2外形尺寸（ unindicated公差：为±0.1mm ）
3
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