2N6796 ， JANTX2N6796 JANTXV2N6796
2N6798 ， JANTX2N6798 JANTXV2N6798
2N6800 ， JANTX2N6800 ， JANTXV2N6800
2N6802 ， JANTX2N6802 ， JANTXV2N6802
JANTX ， JANTXV功率MOSFET采用TO- 205封装自动对焦，
符合MIL -PRF- 557分之19500
100 V， 200 V， 400 V & 500 V ， N沟道，
增强型MOSFET功率晶体管
特点
低R
DS （ ON）
易于并联的
符合MIL -PRF-五百五十七分之一万九千五百
描述
这种密封包装的QPL产品采用了最新的先进MOSFET技术。我我即升的I 由于F R
吨s DAL UTD
军事要求小尺寸，高性能和高可靠性的要求，以及在应用中，如
开关电源，电机控制，逆变器，砍砸器，音频放大器和高能量脉冲电路。
PRIMARY电气特性@ T
C
= 25
°
C
产品型号
2N6796
2N6798
2N6800
2N6802
V
DS ，
VO牛逼
ls
100
200
400
500
R
DS （ ON）
.8
1
.0
4
1.00
1.50
I
,
A M P s
D
80
.
55
.
30
.
25
.
S·C ^ h ê M ATIC
机械概要
引脚连接
引脚1 ：源
引脚2 ：门
引脚3 ：排水
（案例）
7 03 R0
205克劳福德街，莱明斯特，MA 01453 USA （ 508 ） 534-5776传真（ 508 ） 537-4246
2N6796 ， JANTX2N6796 JANTXV2N6796
2N6798 ， JANTX2N6798 JANTXV2N6798
2N6800 ， JANTX2N6800 ， JANTXV2N6800
2N6802 ， JANTX2N6802 ， JANTXV2N6802
绝对最大额定值（
C
= 25 ° C除非另有说明
T
参数
I @ V
GS
= 10V ，T
C
= 25°C
D
连续漏电流
JANTXV ， JANTX ， 2N6796
80
.
50
.
32
25
02
.
± 20
2
单位
A
A
A
W
W / ℃，
V
mJ
°C
°C
I @ V
GS
= 10V ，T
C
= 100℃连续漏电流
D
I
M
D
P
D
@ T
C
= 25°C
漏电流脉冲
1
最大功率耗散
线性降额因子
V
的s
E
A S
T
J
T
S T摹
栅源电压
单脉冲雪崩能量
工作结
存储温度范围
焊接温度
43
.
4
-55到150
300 （ 0.06案件从10秒）
电气特性@ TJ = 25°C （除非另有说明）
参数
BV
DSS
漏源
击穿电压
R
DS （ ON）
S A I D A N吨 -
TTC RI- oSuc
导通状态电阻
V
GS （ TH）
栅极阈值电压
I
零栅压漏
DSS
当前
I
S S
门-to -源漏进
G
I
S S
门-to -源漏反向
G
Q
G（ ON）的
导通状态的栅极电荷
Q
GS
栅极 - 源极充电
Q
Gd
GT- oDan （ MLE “恰
AET里“ ILR ） HRE
t
导通延迟时间
D（上）
t
上升时间
r
t
（关闭）
打开-O FF延迟时间
D
t
佛罗里达州的Tm
人即
r
分钟。
100
-
-
-
-
-
-
20
.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
马克斯。
单位
V
测试条件
V
的s
= 0 , I
D
= 1.0毫安，
V
V
的s
= 1 V I
D
= 5 0 A
3
0 ,
.
V
的s
= 1 V I
D
= 8 0 A
3
0 ,
.
V
DS
= V
的s
,
D
= 250 A
I
V
S
= 8 V V
的s
= 0V
0 ,
V
S
= 8 V V
的s
= 0 , T
J
= 125°C
0 ,
V
V
的s
= 20 V
V
的s
= - 0 V
2
V
的s
= 1 V I
D
= 8A
0 ,
V
S
= 50 V
见注4
V
D D
= 3 V I
D
= 5 0 A R
G
=7.5
0 ,
. ,
见注4
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
.8
1
.195
40
.
25
250
100
-100
28.5
63
.
16.6
30
75
40
45
V
A
nA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
源极 - 漏极二极管额定值和特性
参数
分钟。
二极管的正向电压
-
-
-
V
S.D。
t
反向恢复时间
-
-
-
t
r
r
3
典型值。
-
-
-
-
-
-
马克斯。
15
.
300
单位
V
ns
测试条件
T
J
= 2 ° , I
S
= 8.0A
3
， VG S = 0 V
3
5C
T
J
= 2 ° , I
F
= 8 0号< 100 A / μs的
5C
。 ， D / T
热阻
参数
结到外壳
R
thJC
R
乡镇卫生院
外壳到散热器
R
thJA
结到环境
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
0.21
-
-
-
马克斯。
50
.
-
-
-
175
单位
测试条件
° C / W
Mutn sraefa ，
onig UFC LT
光滑，并涂油
典型的插座安装
1
.
2.
3
.
4.
Rpttv RTN ： Plewdhlmtdb mxmmjnto tmeaue
eeiie AIG美国国际教育协会是美亚ucin eprtr 。
5 ， TRIG
C
0
.
@V
D D
= 2 V S A T N T
J
= 25°， L = 1 0 μH + 10％ ，R
G
= 25 ，山顶我
L
= 8 0 A
P L E宽深高< 300微秒;占空比< 2 ％
我们这
见MIL -S -五百五十七分之一万九千五百
205克劳福德街，莱明斯特，MA 01453 USA （ 508 ） 534-5776传真（ 508 ） 537-4246
2N6796 ， JANTX2N6796 JANTXV2N6796
2N6798 ， JANTX2N6798 JANTXV2N6798
2N6800 ， JANTX2N6800 ， JANTXV2N6800
2N6802 ， JANTX2N6802 ， JANTXV2N6802
绝对最大额定值（
C
= 25 ° C除非另有说明
T
参数
I @ V
GS
= 10V ，T
C
= 25°C
D
连续漏电流
JANTXV ， JANTX ， 2N6798
55
.
35
.
22
25
02
.
± 20
2
单位
A
A
A
W
W / ℃，
V
mJ
°C
°C
I @ V
GS
= 10V ，T
C
= 100℃连续漏电流
D
I
M
D
P
D
@ T
C
= 25°C
漏电流脉冲
1
最大功率耗散
线性降额因子
V
的s
E
A S
T
J
T
S T摹
栅源电压
单脉冲雪崩能量
工作结
存储温度范围
焊接温度
20
.
4
-55到150
300 （ 0.06案件从10秒）
电气特性@ TJ = 25°C （除非另有说明）
参数
BV
DSS
漏源
击穿电压
R
DS （ ON）
S A I D A N吨 -
TTC RI- oSuc
导通状态电阻
V
GS （ TH）
栅极阈值电压
I
零栅压漏
DSS
当前
I
S S
门-to -源漏进
G
I
S S
门-to -源漏反向
G
Q
G（ ON）的
导通状态的栅极电荷
Q
GS
栅极 - 源极充电
Q
Gd
GT- oDan （ MLE “恰
AET里“ ILR ） HRE
t
导通延迟时间
D（上）
t
上升时间
r
t
（关闭）
打开-O FF延迟时间
D
t
佛罗里达州的Tm
人即
r
分钟。
200
-
-
-
-
-
-
20
.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
马克斯。
单位
V
测试条件
V
的s
= 0 , I
D
= 1.0毫安，
V
V
的s
= 1 V I
D
= 3 5 A
3
0 ,
.
V
的s
= 1 V I
D
= 5 5 A
3
0 ,
.
V
DS
= V
的s
,
D
= 250 A
I
V
S
= 160 V, V
的s
= 0V
V
S
= 160 V, V
的s
= 0 , T
J
= 125°C
V
V
的s
= 20 V
V
的s
= - 0 V
2
V
的s
= 1 V I
D
= 5 5 A
0 ,
.
V
S
= 100 V
见注4
V
D D
= 7 V I
D
= 3 5 A R
G
=7.5
7 ,
. ,
见注4
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
.0
4
.2
4
40
.
25
250
100
-100
42.1
53
.
28.1
30
50
50
40
V
A
nA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
源极 - 漏极二极管额定值和特性
参数
分钟。
二极管的正向电压
-
-
-
V
S.D。
t
反向恢复时间
-
-
-
t
r
r
3
典型值。
-
-
-
-
-
-
马克斯。
14
.
500
单位
V
ns
测试条件
T
J
= 2 ° , I
S
= 5 5 A
3
， VG S = 0 V
3
5C
.
T
J
= 2 ° , I
F
= 5 5 A ID < 100 A / μs的
5C
。 ， D / T
热阻
参数
R
thJC
结到外壳
R
乡镇卫生院
外壳到散热器
R
thJA
结到环境
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
0.21
-
-
-
马克斯。
50
.
-
-
-
175
单位
测试条件
° C / W
Mutn sraefa ，
onig UFC LT
光滑，并涂油
典型的插座安装
1
.
2.
3
.
4.
Rpttv RTN ： Plewdhlmtdb mxmmjnto tmeaue
eeiie AIG美国国际教育协会是美亚ucin eprtr 。
0 ， TRIG
C
0
.
@V
D D
= 5 V S A T N T
J
= 25°， L = 1 0 μH + 10％ ，R
G
= 25 ，山顶我
L
= 5 5 A
P L E宽深高< 300微秒;占空比< 2 ％
我们这
见MIL -S -五百五十七分之一万九千五百
205克劳福德街，莱明斯特，MA 01453 USA （ 508 ） 534-5776传真（ 508 ） 537-4246
2N6796 ， JANTX2N6796 JANTXV2N6796
2N6798 ， JANTX2N6798 JANTXV2N6798
2N6800 ， JANTX2N6800 ， JANTXV2N6800
2N6802 ， JANTX2N6802 ， JANTXV2N6802
绝对最大额定值（
C
= 25 ° C除非另有说明
T
参数
I @ V
GS
= 10V ，T
C
= 25°C
D
连续漏电流
JANTXV ， JANTX ， 2N6800
30
.
20
.
14
25
02
.
± 20
2
单位
A
A
A
W
W / ℃，
V
mJ
°C
°C
I @ V
GS
= 10V ，T
C
= 100℃连续漏电流
D
I
M
D
P
D
@ T
C
= 25°C
漏电流脉冲
1
最大功率耗散
线性降额因子
V
的s
E
A S
T
J
T
S T摹
栅源电压
单脉冲雪崩能量
工作结
存储温度范围
焊接温度
05
.1
4
-55到150
300 （ 0.06案件从10秒）
电气特性@ TJ = 25°C （除非另有说明）
参数
BV
DSS
漏源
击穿电压
R
DS （ ON）
S A I D A N吨 -
TTC RI- oSuc
导通状态电阻
V
GS （ TH）
栅极阈值电压
I
零栅压漏
DSS
当前
I
S S
门-to -源漏进
G
I
S S
门-to -源漏反向
G
Q
G（ ON）的
导通状态的栅极电荷
Q
GS
栅极 - 源极充电
Q
Gd
GT- oDan （ MLE “恰
AET里“ ILR ） HRE
t
导通延迟时间
D（上）
t
上升时间
r
t
（关闭）
打开-O FF延迟时间
D
t
佛罗里达州的Tm
人即
r
分钟。
400
-
-
-
-
-
-
20
.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
马克斯。
单位
V
测试条件
V
的s
= 0 , I
D
= 1.0毫安，
V
V
的s
= 1 V I
D
= 2 0 A
3
0 ,
.
V
的s
= 1 V I
D
= 3 0 A
3
0 ,
.
V
DS
= V
的s
,
D
= 250 A
I
V
S
= 320 V, V
的s
= 0V
V
S
= 320 V, V
的s
= 0 , T
J
= 125°C
V
V
的s
= 20 V
V
的s
= - 0 V
2
V
的s
= 1 V I
D
= 3.0A
0 ,
V
S
= 200 V
见注4
V
D D
= 1 6 V I
D
= 2 A R
G
=7.5
7 ,
,
见注4
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
10
.
1.10
40
.
25
250
100
-100
33
58
.
16.6
30
35
55
35
V
A
nA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
源极 - 漏极二极管额定值和特性
参数
分钟。
二极管的正向电压
-
-
-
V
S.D。
t
反向恢复时间
-
-
-
t
r
r
热阻
参数
结到外壳
R
thJC
R
乡镇卫生院
外壳到散热器
R
thJA
结到环境
典型值。
-
-
-
-
-
-
马克斯。
14
.
700
单位
V
ns
测试条件
T
J
= 2 ° , I
S
= 3 A
3
， VG S = 0 V
5C
T
J
= 2 ° , I
F
= 3 0号
5C
。 D / t<100A /μs的
3
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
0.21
-
-
-
马克斯。
50
.
-
-
-
175
单位
测试条件
° C / W
Mutn sraefa ，
onig UFC LT
光滑，并涂油
典型的插座安装
1
.
2.
3
.
4.
Rpttv RTN ： Plewdhlmtdb mxmmjnto tmeaue
eeiie AIG美国国际教育协会是美亚ucin eprtr 。
0 ， TRIG
C
0
.
@V
D D
= 5 V S A T N T
J
= 25°， L = 1 0 μH + 10％ ，R
G
= 25 ，山顶我
L
= 3 0 A
P L E宽深高< 300微秒;占空比< 2 ％
我们这
见MIL -S -五百五十七分之一万九千五百
205克劳福德街，莱明斯特，MA 01453 USA （ 508 ） 534-5776传真（ 508 ） 537-4246
2N6796 ， JANTX2N6796 JANTXV2N6796
2N6798 ， JANTX2N6798 JANTXV2N6798
2N6800 ， JANTX2N6800 ， JANTXV2N6800
2N6802 ， JANTX2N6802 ， JANTXV2N6802
绝对最大额定值（
C
= 25 ° C除非另有说明
T
参数
I @ V
GS
= 10V ，T
C
= 25°C
D
连续漏电流
JANTXV ， JANTX ， 2N6802
25
.
15
.
11
25
0.20
± 20
2
单位
A
A
A
W
W / ℃，
V
mJ
°C
°C
I @ V
GS
= 10V ，T
C
= 100℃连续漏电流
D
I
M
D
P
D
@ T
C
= 25°C
漏电流脉冲
1
最大功率耗散
线性降额因子
V
的s
E
A S
T
J
T
S T摹
栅源电压
单脉冲雪崩能量
工作结
存储温度范围
焊接温度
.5
3
4
-55到150
300 （ 0.06案件从10秒）
电气特性@ TJ = 25°C （除非另有说明）
参数
BV
DSS
漏源
击穿电压
R
DS （ ON）
S A I D A N吨 -
TTC RI- oSuc
导通状态电阻
V
GS （ TH）
栅极阈值电压
I
零栅压漏
DSS
当前
I
S S
门-to -源漏进
G
I
S S
门-to -源漏反向
G
Q
G（ ON）的
导通状态的栅极电荷
Q
GS
栅极 - 源极充电
Q
Gd
GT- oDan （ MLE “恰
AET里“ ILR ） HRE
t
导通延迟时间
D（上）
t
上升时间
r
t
（关闭）
打开-O FF延迟时间
D
t
佛罗里达州的Tm
人即
r
分钟。
500
-
-
-
-
-
-
20
.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
马克斯。
单位
V
测试条件
V
的s
= 0 , I
D
= 1.0毫安，
V
V
的s
= 1 V I
D
= 1 5 A
3
0 ,
.
V
的s
= 1 V I
D
= 2 5 A
3
0 ,
.
V
DS
= V
的s
,
D
= 250 A
I
V
S
= 400 V, V
的s
= 0V
V
S
= 400 V, V
的s
= 0 , T
J
= 125°C
V
V
的s
= 20 V
V
的s
= - 0 V
2
V
的s
= 1 V I
D
= 2 5 A
0 ,
.
V
S
= 250 V
见注4
V
D D
2 = 5 V I
D
= 1 5 A R
G
= 7.5
2 ,
. ,
见注4
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
15
.
16
.
40
.
25
250
100
-100
29.5
45
.
28.1
30
30
55
30
V
A
nA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
源极 - 漏极二极管额定值和特性
参数
分钟。
二极管的正向电压
-
-
-
V
S.D。
t
反向恢复时间
-
-
-
t
r
r
热阻
参数
结到外壳
R
thJC
R
乡镇卫生院
外壳到散热器
R
thJA
结到环境
典型值。
-
-
-
-
-
-
马克斯。
14
.
900
单位
V
ns
测试条件
T
J
= 2 ° , I
S
= 2 5 A
3
， VG S = 0 V
5C
.
T
J
= 2 ° , I
F
= 2 5 A ID
5C
。 D / t<100A /μs的
3
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
0.21
-
-
-
马克斯。
50
.
-
-
-
175
单位
测试条件
° C / W
Mutn sraefa ，
onig UFC LT
光滑，并涂油
典型的插座安装
1
.
2.
3
.
4.
Rpttv RTN ： Plewdhlmtdb mxmmjnto tmeaue
eeiie AIG美国国际教育协会是美亚ucin eprtr 。
0 ， TRIG
C
0
.
@V
D D
= 5 V S A T N T
J
= 25°， L = 1 0 uH容+ 10％ ，R
G
= 25 ，山顶我
L
= 2 5 A
P L E宽深高< 300微秒;占空比< 2 ％
我们这
见MIL -S -五百五十七分之一万九千五百
205克劳福德街，莱明斯特，MA 01453 USA （ 508 ） 534-5776传真（ 508 ） 537-4246
2N6802
IRFF430
机械数据
尺寸mm （英寸）
8.64 (0.34)
9.40 (0.37)
8.01 (0.315)
9.01 (0.355)
N沟道增强
MODE POWER MOSFET
4.06 (0.16)
4.57 (0.18)
12.70
(0.500)
分钟。
0.89最大。
(0.035)
0.41 (0.016)
0.53 (0.021)
DIA 。
5.08 (0.200)
典型值。
BV
DSS
I
D（续）
R
DS （ ON）
2.54
(0.100)
500V
2.5
1.5
2
1
0.74 (0.029)
1.14 (0.045)
0.71 (0.028)
0.53 (0.021)
3
特点
额定雪崩能量
密封
45°
动态的dv / dt额定值
简单的驱动要求
TO39 - 封装（ TO- 205AF ）
仰视图
PIN 1 - 源
2脚 - 门
3脚 - 漏
绝对最大额定值
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
V
GS
I
D
I
D
I
DM
P
D
E
AS
dv / dt的
T
J
, T
英镑
R
θJC
R
θJA
栅 - 源电压
连续漏电流
连续漏电流
漏电流脉冲
1
功率耗散@ T
例
= 25°C
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
2
峰值二极管恢复
3
工作和存储温度范围
热阻结到外壳
热阻结到环境
(V
GS
= 10V ，T
例
= 25°C)
(V
GS
= 10V ，T
例
= 100°C)
±20V
2.5A
1.5A
11A
25W
0.2W/°C
0.35mJ
3.5V/ns
-55到+ 150°C
5.0°C/W
175°C/W
笔记
1 ）脉冲测试：脉冲宽度
≤
300s,
δ ≤
2%
2) @ V
DD
= 50V ，峰值I
L
= 2.5A ，起始物为
J
= 25°C
3) @ I
SD
≤
2.5A ， di / dt的
≤
75A / μs的，V
DD
≤
BV
DSS
, T
J
≤
150 ° C，建议
G
= 7.5
Semelab Plc的保留改变试验条件，参数限制和封装尺寸，恕不另行通知。提供的信息Semelab信
是既准确又可靠，在即将出版的时间。然而Semelab承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。
Semelab鼓励客户以验证数据表是在下订单之前电流。
Semelab PLC 。
电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612 。
电子信箱：
sales@semelab.co.uk
网址：
http://www.semelab.co.uk
文档编号5357
问题： 1
2N6802
IRFF430
电气特性
（环境温度Tamb = 25° C除非另有说明）
参数
BV
DSS
T
J
R
DS （ ON）
静电额定值
漏极 - 源极击穿电压
击穿电压
静态漏 - 源极导通状态
阻力
正向跨导
零栅极电压漏极电流
正向栅 - 源极漏
反向栅极 - 源极漏
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
笔记
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅 - 源电荷
门 - 漏极（ “米勒” ）费
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
源 - 漏极二极管的特性
连续源电流
脉冲源电流
2
测试条件
V
GS
= 0
I
D
= 1毫安
V
GS
= 10V
V
GS
= 10V
V
DS
= V
GS
V
DS
＆ GT ;
15V
V
GS
= 0
V
GS
= 20V
V
GS
= –20V
V
GS
= 0
V
DS
= 25V
F = 1MHz的
V
GS
= 10V
V
DS
= 0.5BV
DS
I
D
= 2.5A
I
D
=2.5A
V
DS
= 0.5BV
DS
R
G
= 7.5
I
D
= 1.5A
I
D
= 2.5A
I
D
= 250A
I
DS
= 1.5A
V
DS
= 0.8BV
DSS
T
J
= 125°C
I
D
= 1毫安
分钟。
500
典型值。
马克斯。
单位
V
ΔBV
DSS
温度COEF网络cient
参考至25℃
0.43
1.5
1.725
2
1.5
25
250
100
–100
610
135
65
19.8
2.2
5.5
29.5
4.6
19.7
30
30
55
30
2.5
4
V /°C的
V
S(
A
nA
)
(
V
GS （ TH）
栅极阈值电压
g
fs
I
DSS
I
GSS
I
GSS
pF
nC
ns
I
S
= 2.5A
I
F
= 1.5A
I
F
= 2.5A
V
GS
= 0
T
J
= 25°C
T
J
= 25°C
微不足道
11
1.4
900
7.0
A
V
ns
C
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
d
i
/ d
t
≤
100A / μs的V
DD
≤
50V
1 ）脉冲测试：脉冲宽度
≤
300s,
δ ≤
2%
2 ）重复评价 - 脉冲宽度有限的最高结温。
Semelab Plc的保留改变试验条件，参数限制和封装尺寸，恕不另行通知。提供的信息Semelab信
是既准确又可靠，在即将出版的时间。然而Semelab承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。
Semelab鼓励客户以验证数据表是在下订单之前电流。
Semelab PLC 。
电话：+44（ 0 ） 1455 ） 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 ） 552612 。
电子信箱：
sales@semelab.co.uk
网站
http://www.semelab.co.uk
文档编号5357
问题： 1
技术数据表
6湖街，劳伦斯，MA 01841
1-800-446-1158 / （ 978 ） 620-2600 /传真： （ 978 ） 689-0803
网址：http ： //www.microsemi.com
N沟道MOSFET
每个合格的MIL -PRF- 557分之19500
器件
水平
2N6802
2N6802U
JAN
JANTX
JANTXV
绝对最大额定值
(T
C
= + 25 ° C除非另有说明）
参数/测试条件
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
连续漏电流
T
C
= +25°C
连续漏电流
T
C
= +100°C
马克斯。功耗
漏极至源极导通电阻
工作&储存温度
注意：
（ 1 ） 0.2 W / ℃，对于T线性下降
C
> + 25°C
(2) V
GS
= 10Vdc的，我
D
= 1.5A
符号
V
DS
V
GS
I
D1
I
D2
P
tl
R
DS （ ON）
T
op
, T
英镑
价值
500
± 20
2.5
1.5
25
(1)
1.5
(2)
-55到+150
单位
VDC
VDC
ADC
ADC
W
Ω
°C
TO-205AF
（以前的TO- 39）
电气特性
(T
A
= + 25℃ ，除非另有说明）
参数/测试条件
关CHARACTERTICS
漏源击穿电压
V
GS
= 0V时，我
D
= 1mAdc
栅源电压（阈值）
V
DS
≥
V
GS
, I
D
= 0.25毫安
V
DS
≥
V
GS
, I
D
= 0.25毫安，T
j
= +125°C
V
DS
≥
V
GS
, I
D
= 0.25毫安，T
j
= -55°C
栅电流
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V ，T
j
= +125°C
漏电流
V
GS
= 0V, V
DS
= 400V
V
GS
= 0V, V
DS
= 400V ，T
j
= +125°C
静态漏源导通电阻
V
GS
= 10V ，我
D
= 1.5A脉冲
V
GS
= 10V ，我
D
= 2.5A脉冲
T
j
= +125°C
V
GS
= 10V ，我
D
= 1.5A脉冲
二极管的正向电压
V
GS
= 0V时，我
D
= 2.5A脉冲
T4 - LDS - 0149修订版1（ 092063 ）
V
（ BR ） DSS
V
GS(th)1
V
GS(th)2
V
GS(th)3
I
GSS1
I
GSS2
I
DSS1
I
DSS2
r
DS(on)1
r
DS(on)2
r
DS(on)3
V
SD
500
2.0
1.0
4.0
5.0
±100
±200
25
0.25
1.50
1.60
3.50
1.4
NADC
VDC
VDC
符号
分钟。
马克斯。
单位
ü - 18 LCC
μAdc
MADC
Ω
Ω
Ω
VDC
第1页4
技术数据表
6湖街，劳伦斯，MA 01841
1-800-446-1158 / （ 978 ） 620-2600 /传真： （ 978 ） 689-0803
网址：http ： //www.microsemi.com
N沟道MOSFET
每个合格的MIL -PRF- 557分之19500
动态特性
参数/测试条件
栅极电荷：
导通状态的栅极电荷
门源费
栅漏电荷
开关特性
参数/测试条件
开关时间测试：
导通延迟时间
冲洗时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
二极管的反向恢复时间
I
D
= 2.5A ，V
GS
= 10V直流，
门极驱动电阻= 7.5Ω ，
V
DD
= 225Vdc
的di / dt
≤
100A / μs的，V
DD
≤
50V,
I
F
= 2.5A
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
分钟。
马克斯。
30
30
55
30
900
单位
符号
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
分钟。
马克斯。
33.00
4.46
28.11
单位
nC
V
GS
= 10V ，我
D
= 2.5A
V
DS
= 250V
ns
ns
T4 - LDS - 0149修订版1（ 092063 ）
第2页4
技术数据表
6湖街，劳伦斯，MA 01841
1-800-446-1158 / （ 978 ） 620-2600 /传真： （ 978 ） 689-0803
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N沟道MOSFET
每个合格的MIL -PRF- 557分之19500
包装尺寸
尺寸
英寸
MILLIMETERS
民
最大
民
最大
.305
.160
.335
.355
.180
.370
7.75
4.07
8.51
9.02
4.57
9.39
2
3
7, 8
7, 8
6
7, 8
7, 8
7, 8
5
1.27
0.25
45 ° TP
4
9
6
LTR
CD
CH
HD
h
J
k
LD
LL
LS
LU
L1
L2
P
Q
r
α
笔记
.009
.041
.028
.034
.029
.045
.016
.021
.500
.750
0.200 TP
.016
.019
.050
.250
.070
.050
.010
45 ° TP
0.23
1.04
0.72
0.86
0.74
1.14
0.41
0.53
12.7
19.05
5.08 TP
0.41
0.48
1.27
6.35
1.78
注意事项：
尺寸为英寸。毫米给出的只是一般信息。
除了半径（r ）最大，J应保持的0.011 （ 0.028毫米）的最小长度。
从最大的高清测量尺寸k 。
大纲在这个区域不被控制。
CD尺寸变化应不大于0.010 （0.25毫米）的区域P.此区域的控制进行自动处理。
6.信息以低于飞机座位计平面0.054 +.001 ， -.000 （ 1.37 0.03 ， -0.00毫米），应在0.007
在最大的物质条件（ MMC ），相对于选项卡MMC实际位置（TP ） （0.18 MM）半径。
6 ，LU应用于L1和L2之间。 LD适用于L2和L最小值之间。直径不受控制的L1和超越LL
最低限度。
7这三个线索。
8半径（R）适用于标签的两个内角。
9漏极电连接的情况。
10根据ASME Y14.5M ，直径相当于
φx
符号。
*图1.物理尺寸TO- 205AF
.
T4 - LDS - 0149修订版1（ 092063 ）
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1
2
3
4
5
技术数据表
6湖街，劳伦斯，MA 01841
1-800-446-1158 / （ 978 ） 620-2600 /传真： （ 978 ） 689-0803
网址：http ： //www.microsemi.com
N沟道MOSFET
每个合格的MIL -PRF- 557分之19500
注意事项：
1尺寸为英寸。
2毫米给出的只是一般信息。
3根据ASME Y14.5M ，直径相当于
φx
符号。
4陶瓷封装而已。
LTR
BL
BW
CH
LL1
LL2
LS
LS1
LS2
LW
Q1
Q2
Q3
TL
TW
尺寸
英寸
MILLIMETERS
民
最大
民
最大
.345
.360
8.77
.280
.295
7.11
.095
.115
2.41
.040
.055
1.02
.055
.065
1.40
.050 BSC
1.27 BSC
0.025 BSC
0.635 BSC
0.008 BSC
0.203 BSC
.020
.030
0.51
0.76
0.105 REF
2.67 REF
0.120 REF
3.05 REF
.045
.055
1.14
1.40
.070
.080
1.78
2.03
.120
.130
3.05
3.30
*图2.物理尺寸为LCC 。
T4 - LDS - 0149修订版1（ 092063 ）
第4页4
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2N6796 ， JANTX2N6796 JANTXV2N6796
2N6798 ， JANTX2N6798 JANTXV2N6798
2N6800 ， JANTX2N6800 ， JANTXV2N6800
2N6802 ， JANTX2N6802 ， JANTXV2N6802
JANTX ， JANTXV功率MOSFET采用TO- 205封装自动对焦，
符合MIL -PRF- 557分之19500
100 V， 200 V， 400 V & 500 V ， N沟道，
增强型MOSFET功率晶体管
特点
低R
DS （ ON）
易于并联的
符合MIL -PRF-五百五十七分之一万九千五百
描述
这种密封包装的QPL产品采用了最新的先进MOSFET技术。我我即升的I 由于F R
吨s DAL UTD
军事要求小尺寸，高性能和高可靠性的要求，以及在应用中，如
开关电源，电机控制，逆变器，砍砸器，音频放大器和高能量脉冲电路。
PRIMARY电气特性@ T
C
= 25
°
C
产品型号
2N6796
2N6798
2N6800
2N6802
V
DS ，
VO牛逼
ls
100
200
400
500
R
DS （ ON）
.8
1
.0
4
1.00
1.50
I
,
A M P s
D
80
.
55
.
30
.
25
.
S·C ^ h ê M ATIC
机械概要
引脚连接
引脚1 ：源
引脚2 ：门
引脚3 ：排水
（案例）
7 03 R0
205克劳福德街，莱明斯特，MA 01453 USA （ 508 ） 534-5776传真（ 508 ） 537-4246
2N6796 ， JANTX2N6796 JANTXV2N6796
2N6798 ， JANTX2N6798 JANTXV2N6798
2N6800 ， JANTX2N6800 ， JANTXV2N6800
2N6802 ， JANTX2N6802 ， JANTXV2N6802
绝对最大额定值（
C
= 25 ° C除非另有说明
T
参数
I @ V
GS
= 10V ，T
C
= 25°C
D
连续漏电流
JANTXV ， JANTX ， 2N6796
80
.
50
.
32
25
02
.
± 20
2
单位
A
A
A
W
W / ℃，
V
mJ
°C
°C
I @ V
GS
= 10V ，T
C
= 100℃连续漏电流
D
I
M
D
P
D
@ T
C
= 25°C
漏电流脉冲
1
最大功率耗散
线性降额因子
V
的s
E
A S
T
J
T
S T摹
栅源电压
单脉冲雪崩能量
工作结
存储温度范围
焊接温度
43
.
4
-55到150
300 （ 0.06案件从10秒）
电气特性@ TJ = 25°C （除非另有说明）
参数
BV
DSS
漏源
击穿电压
R
DS （ ON）
S A I D A N吨 -
TTC RI- oSuc
导通状态电阻
V
GS （ TH）
栅极阈值电压
I
零栅压漏
DSS
当前
I
S S
门-to -源漏进
G
I
S S
门-to -源漏反向
G
Q
G（ ON）的
导通状态的栅极电荷
Q
GS
栅极 - 源极充电
Q
Gd
GT- oDan （ MLE “恰
AET里“ ILR ） HRE
t
导通延迟时间
D（上）
t
上升时间
r
t
（关闭）
打开-O FF延迟时间
D
t
佛罗里达州的Tm
人即
r
分钟。
100
-
-
-
-
-
-
20
.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
马克斯。
单位
V
测试条件
V
的s
= 0 , I
D
= 1.0毫安，
V
V
的s
= 1 V I
D
= 5 0 A
3
0 ,
.
V
的s
= 1 V I
D
= 8 0 A
3
0 ,
.
V
DS
= V
的s
,
D
= 250 A
I
V
S
= 8 V V
的s
= 0V
0 ,
V
S
= 8 V V
的s
= 0 , T
J
= 125°C
0 ,
V
V
的s
= 20 V
V
的s
= - 0 V
2
V
的s
= 1 V I
D
= 8A
0 ,
V
S
= 50 V
见注4
V
D D
= 3 V I
D
= 5 0 A R
G
=7.5
0 ,
. ,
见注4
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
.8
1
.195
40
.
25
250
100
-100
28.5
63
.
16.6
30
75
40
45
V
A
nA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
源极 - 漏极二极管额定值和特性
参数
分钟。
二极管的正向电压
-
-
-
V
S.D。
t
反向恢复时间
-
-
-
t
r
r
3
典型值。
-
-
-
-
-
-
马克斯。
15
.
300
单位
V
ns
测试条件
T
J
= 2 ° , I
S
= 8.0A
3
， VG S = 0 V
3
5C
T
J
= 2 ° , I
F
= 8 0号< 100 A / μs的
5C
。 ， D / T
热阻
参数
结到外壳
R
thJC
R
乡镇卫生院
外壳到散热器
R
thJA
结到环境
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
0.21
-
-
-
马克斯。
50
.
-
-
-
175
单位
测试条件
° C / W
Mutn sraefa ，
onig UFC LT
光滑，并涂油
典型的插座安装
1
.
2.
3
.
4.
Rpttv RTN ： Plewdhlmtdb mxmmjnto tmeaue
eeiie AIG美国国际教育协会是美亚ucin eprtr 。
5 ， TRIG
C
0
.
@V
D D
= 2 V S A T N T
J
= 25°， L = 1 0 μH + 10％ ，R
G
= 25 ，山顶我
L
= 8 0 A
P L E宽深高< 300微秒;占空比< 2 ％
我们这
见MIL -S -五百五十七分之一万九千五百
205克劳福德街，莱明斯特，MA 01453 USA （ 508 ） 534-5776传真（ 508 ） 537-4246
2N6796 ， JANTX2N6796 JANTXV2N6796
2N6798 ， JANTX2N6798 JANTXV2N6798
2N6800 ， JANTX2N6800 ， JANTXV2N6800
2N6802 ， JANTX2N6802 ， JANTXV2N6802
绝对最大额定值（
C
= 25 ° C除非另有说明
T
参数
I @ V
GS
= 10V ，T
C
= 25°C
D
连续漏电流
JANTXV ， JANTX ， 2N6798
55
.
35
.
22
25
02
.
± 20
2
单位
A
A
A
W
W / ℃，
V
mJ
°C
°C
I @ V
GS
= 10V ，T
C
= 100℃连续漏电流
D
I
M
D
P
D
@ T
C
= 25°C
漏电流脉冲
1
最大功率耗散
线性降额因子
V
的s
E
A S
T
J
T
S T摹
栅源电压
单脉冲雪崩能量
工作结
存储温度范围
焊接温度
20
.
4
-55到150
300 （ 0.06案件从10秒）
电气特性@ TJ = 25°C （除非另有说明）
参数
BV
DSS
漏源
击穿电压
R
DS （ ON）
S A I D A N吨 -
TTC RI- oSuc
导通状态电阻
V
GS （ TH）
栅极阈值电压
I
零栅压漏
DSS
当前
I
S S
门-to -源漏进
G
I
S S
门-to -源漏反向
G
Q
G（ ON）的
导通状态的栅极电荷
Q
GS
栅极 - 源极充电
Q
Gd
GT- oDan （ MLE “恰
AET里“ ILR ） HRE
t
导通延迟时间
D（上）
t
上升时间
r
t
（关闭）
打开-O FF延迟时间
D
t
佛罗里达州的Tm
人即
r
分钟。
200
-
-
-
-
-
-
20
.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
马克斯。
单位
V
测试条件
V
的s
= 0 , I
D
= 1.0毫安，
V
V
的s
= 1 V I
D
= 3 5 A
3
0 ,
.
V
的s
= 1 V I
D
= 5 5 A
3
0 ,
.
V
DS
= V
的s
,
D
= 250 A
I
V
S
= 160 V, V
的s
= 0V
V
S
= 160 V, V
的s
= 0 , T
J
= 125°C
V
V
的s
= 20 V
V
的s
= - 0 V
2
V
的s
= 1 V I
D
= 5 5 A
0 ,
.
V
S
= 100 V
见注4
V
D D
= 7 V I
D
= 3 5 A R
G
=7.5
7 ,
. ,
见注4
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
.0
4
.2
4
40
.
25
250
100
-100
42.1
53
.
28.1
30
50
50
40
V
A
nA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
源极 - 漏极二极管额定值和特性
参数
分钟。
二极管的正向电压
-
-
-
V
S.D。
t
反向恢复时间
-
-
-
t
r
r
3
典型值。
-
-
-
-
-
-
马克斯。
14
.
500
单位
V
ns
测试条件
T
J
= 2 ° , I
S
= 5 5 A
3
， VG S = 0 V
3
5C
.
T
J
= 2 ° , I
F
= 5 5 A ID < 100 A / μs的
5C
。 ， D / T
热阻
参数
R
thJC
结到外壳
R
乡镇卫生院
外壳到散热器
R
thJA
结到环境
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
0.21
-
-
-
马克斯。
50
.
-
-
-
175
单位
测试条件
° C / W
Mutn sraefa ，
onig UFC LT
光滑，并涂油
典型的插座安装
1
.
2.
3
.
4.
Rpttv RTN ： Plewdhlmtdb mxmmjnto tmeaue
eeiie AIG美国国际教育协会是美亚ucin eprtr 。
0 ， TRIG
C
0
.
@V
D D
= 5 V S A T N T
J
= 25°， L = 1 0 μH + 10％ ，R
G
= 25 ，山顶我
L
= 5 5 A
P L E宽深高< 300微秒;占空比< 2 ％
我们这
见MIL -S -五百五十七分之一万九千五百
205克劳福德街，莱明斯特，MA 01453 USA （ 508 ） 534-5776传真（ 508 ） 537-4246
2N6796 ， JANTX2N6796 JANTXV2N6796
2N6798 ， JANTX2N6798 JANTXV2N6798
2N6800 ， JANTX2N6800 ， JANTXV2N6800
2N6802 ， JANTX2N6802 ， JANTXV2N6802
绝对最大额定值（
C
= 25 ° C除非另有说明
T
参数
I @ V
GS
= 10V ，T
C
= 25°C
D
连续漏电流
JANTXV ， JANTX ， 2N6800
30
.
20
.
14
25
02
.
± 20
2
单位
A
A
A
W
W / ℃，
V
mJ
°C
°C
I @ V
GS
= 10V ，T
C
= 100℃连续漏电流
D
I
M
D
P
D
@ T
C
= 25°C
漏电流脉冲
1
最大功率耗散
线性降额因子
V
的s
E
A S
T
J
T
S T摹
栅源电压
单脉冲雪崩能量
工作结
存储温度范围
焊接温度
05
.1
4
-55到150
300 （ 0.06案件从10秒）
电气特性@ TJ = 25°C （除非另有说明）
参数
BV
DSS
漏源
击穿电压
R
DS （ ON）
S A I D A N吨 -
TTC RI- oSuc
导通状态电阻
V
GS （ TH）
栅极阈值电压
I
零栅压漏
DSS
当前
I
S S
门-to -源漏进
G
I
S S
门-to -源漏反向
G
Q
G（ ON）的
导通状态的栅极电荷
Q
GS
栅极 - 源极充电
Q
Gd
GT- oDan （ MLE “恰
AET里“ ILR ） HRE
t
导通延迟时间
D（上）
t
上升时间
r
t
（关闭）
打开-O FF延迟时间
D
t
佛罗里达州的Tm
人即
r
分钟。
400
-
-
-
-
-
-
20
.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
马克斯。
单位
V
测试条件
V
的s
= 0 , I
D
= 1.0毫安，
V
V
的s
= 1 V I
D
= 2 0 A
3
0 ,
.
V
的s
= 1 V I
D
= 3 0 A
3
0 ,
.
V
DS
= V
的s
,
D
= 250 A
I
V
S
= 320 V, V
的s
= 0V
V
S
= 320 V, V
的s
= 0 , T
J
= 125°C
V
V
的s
= 20 V
V
的s
= - 0 V
2
V
的s
= 1 V I
D
= 3.0A
0 ,
V
S
= 200 V
见注4
V
D D
= 1 6 V I
D
= 2 A R
G
=7.5
7 ,
,
见注4
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
10
.
1.10
40
.
25
250
100
-100
33
58
.
16.6
30
35
55
35
V
A
nA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
源极 - 漏极二极管额定值和特性
参数
分钟。
二极管的正向电压
-
-
-
V
S.D。
t
反向恢复时间
-
-
-
t
r
r
热阻
参数
结到外壳
R
thJC
R
乡镇卫生院
外壳到散热器
R
thJA
结到环境
典型值。
-
-
-
-
-
-
马克斯。
14
.
700
单位
V
ns
测试条件
T
J
= 2 ° , I
S
= 3 A
3
， VG S = 0 V
5C
T
J
= 2 ° , I
F
= 3 0号
5C
。 D / t<100A /μs的
3
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
0.21
-
-
-
马克斯。
50
.
-
-
-
175
单位
测试条件
° C / W
Mutn sraefa ，
onig UFC LT
光滑，并涂油
典型的插座安装
1
.
2.
3
.
4.
Rpttv RTN ： Plewdhlmtdb mxmmjnto tmeaue
eeiie AIG美国国际教育协会是美亚ucin eprtr 。
0 ， TRIG
C
0
.
@V
D D
= 5 V S A T N T
J
= 25°， L = 1 0 μH + 10％ ，R
G
= 25 ，山顶我
L
= 3 0 A
P L E宽深高< 300微秒;占空比< 2 ％
我们这
见MIL -S -五百五十七分之一万九千五百
205克劳福德街，莱明斯特，MA 01453 USA （ 508 ） 534-5776传真（ 508 ） 537-4246
2N6796 ， JANTX2N6796 JANTXV2N6796
2N6798 ， JANTX2N6798 JANTXV2N6798
2N6800 ， JANTX2N6800 ， JANTXV2N6800
2N6802 ， JANTX2N6802 ， JANTXV2N6802
绝对最大额定值（
C
= 25 ° C除非另有说明
T
参数
I @ V
GS
= 10V ，T
C
= 25°C
D
连续漏电流
JANTXV ， JANTX ， 2N6802
25
.
15
.
11
25
0.20
± 20
2
单位
A
A
A
W
W / ℃，
V
mJ
°C
°C
I @ V
GS
= 10V ，T
C
= 100℃连续漏电流
D
I
M
D
P
D
@ T
C
= 25°C
漏电流脉冲
1
最大功率耗散
线性降额因子
V
的s
E
A S
T
J
T
S T摹
栅源电压
单脉冲雪崩能量
工作结
存储温度范围
焊接温度
.5
3
4
-55到150
300 （ 0.06案件从10秒）
电气特性@ TJ = 25°C （除非另有说明）
参数
BV
DSS
漏源
击穿电压
R
DS （ ON）
S A I D A N吨 -
TTC RI- oSuc
导通状态电阻
V
GS （ TH）
栅极阈值电压
I
零栅压漏
DSS
当前
I
S S
门-to -源漏进
G
I
S S
门-to -源漏反向
G
Q
G（ ON）的
导通状态的栅极电荷
Q
GS
栅极 - 源极充电
Q
Gd
GT- oDan （ MLE “恰
AET里“ ILR ） HRE
t
导通延迟时间
D（上）
t
上升时间
r
t
（关闭）
打开-O FF延迟时间
D
t
佛罗里达州的Tm
人即
r
分钟。
500
-
-
-
-
-
-
20
.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
马克斯。
单位
V
测试条件
V
的s
= 0 , I
D
= 1.0毫安，
V
V
的s
= 1 V I
D
= 1 5 A
3
0 ,
.
V
的s
= 1 V I
D
= 2 5 A
3
0 ,
.
V
DS
= V
的s
,
D
= 250 A
I
V
S
= 400 V, V
的s
= 0V
V
S
= 400 V, V
的s
= 0 , T
J
= 125°C
V
V
的s
= 20 V
V
的s
= - 0 V
2
V
的s
= 1 V I
D
= 2 5 A
0 ,
.
V
S
= 250 V
见注4
V
D D
2 = 5 V I
D
= 1 5 A R
G
= 7.5
2 ,
. ,
见注4
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
15
.
16
.
40
.
25
250
100
-100
29.5
45
.
28.1
30
30
55
30
V
A
nA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
源极 - 漏极二极管额定值和特性
参数
分钟。
二极管的正向电压
-
-
-
V
S.D。
t
反向恢复时间
-
-
-
t
r
r
热阻
参数
结到外壳
R
thJC
R
乡镇卫生院
外壳到散热器
R
thJA
结到环境
典型值。
-
-
-
-
-
-
马克斯。
14
.
900
单位
V
ns
测试条件
T
J
= 2 ° , I
S
= 2 5 A
3
， VG S = 0 V
5C
.
T
J
= 2 ° , I
F
= 2 5 A ID
5C
。 D / t<100A /μs的
3
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
0.21
-
-
-
马克斯。
50
.
-
-
-
175
单位
测试条件
° C / W
Mutn sraefa ，
onig UFC LT
光滑，并涂油
典型的插座安装
1
.
2.
3
.
4.
Rpttv RTN ： Plewdhlmtdb mxmmjnto tmeaue
eeiie AIG美国国际教育协会是美亚ucin eprtr 。
0 ， TRIG
C
0
.
@V
D D
= 5 V S A T N T
J
= 25°， L = 1 0 uH容+ 10％ ，R
G
= 25 ，山顶我
L
= 2 5 A
P L E宽深高< 300微秒;占空比< 2 ％
我们这
见MIL -S -五百五十七分之一万九千五百
205克劳福德街，莱明斯特，MA 01453 USA （ 508 ） 534-5776传真（ 508 ） 537-4246
QQ：2881677436 复制
