MX23C8000
8M - BIT [ 1M ×8 ] CMOS掩膜ROM
特点
1M ×8的组织
+ 5V单电源供电
快速存取时间： 120分之100 / 150/ 200纳秒
完全静态的操作
完全兼容TTL
工作电流： 25毫安
待机电流： 15uA
包
- 32引脚塑料DIP
- 32引脚塑料SOP
- 32引脚塑料PLCC
- 32引脚塑料TSOP
概述
该MX23C8000是5V只， 8M位，只读
内存。它是由8位， 1M的话，能操作
从单一的+ 5V电源阿泰，有一个静态待机模式，
并具有一百二十○分之百/ 150/ 200纳秒的存取时间。这是
设计成与所有兼容的微处理器和
类似的应用中的高性能，大位
存储和简单的接口是重要的设计CON-
siderations 。
MX23C8000提供自动断电，加电用
由芯片使能（ CE ）输入控制下来。当
CE为高电平时，设备会自动断电
并保持在低功率待机模式中，只要
CE仍然很高。
引脚配置
32 PDIP
A19
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
Q0
Q1
Q2
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
A18
A17
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
Q7
Q6
Q5
Q4
Q3
32 SOP
A19
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
Q0
Q1
Q2
VSS
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
10
19
18
17
VCC
A18
A17
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
Q7
Q6
Q5
Q4
Q3
32 PLCC
VCC
A12
A15
A16
A19
A18
A17
MX23C8000
32 TSOP
A11
A9
A8
A13
A14
A17
A18
VCC
A19
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A10
CE
Q7
Q6
Q5
Q4
Q3
VSS
Q2
Q1
Q0
A0
A1
A2
A3
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ
5
4
1
32
30
29
A14
A13
A8
A9
9
MX23C8000
25
A11
OE
A10
CE
MX23C8000
13
14
Q1
Q2
VSS
17
Q3
Q4
Q5
21
20
Q6
Q7
P / N ： PM0137
MX23C8000
REV 。 4.3 ，七月03 ， 2003
1
MX23C8000
引脚说明
符号
A0~A19
Q0~Q7
CE
OE
VCC
VSS
引脚功能
地址输入
数据输出
芯片使能输入
输出使能输入
电源引脚（ + 5V ）
接地引脚
A0~A19
地址
输入
.
.
.
.
.
.
.
.
y解码器
.
.
.
.
X解码器
.
.
.
.
8M位
ROM ARRAY
Y选择
CE
OE
控制
逻辑
产量
缓冲器
Q0~Q7
框图
VCC
VSS
绝对最大额定值
等级
工作环境温度
储存温度
应用输入电压
应用输出电压
VCC对地电位
功耗
价值
0 ° C至70℃
-65 ° C至125°C
-0.5V到VCC + 0.5
-0.5V到VCC + 0.5
-0.5V至7.0V
1.0W
注意：在输入或I / O引脚的最小直流电压为-0.5V 。在电压转换，输入可以下冲至VSS -
2.0V最高为20ns的周期。输入或I / O引脚的最大直流电压VCC + 0.5V 。期间的电压转换，
输入可能会过冲至VCC VCC + 2.0V为高达20ns的时间。
P / N ： PM0137
REV 。 4.3 ，七月03 ， 2003
2
MX23C8000
DC特性
（大= 0 ° C 70 ° C， VCC = 5.0V
±
10%)
项
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流
输出漏电流
掉电电源电流
待机电源电流
工作电源电流
符号
VOH
VOL
VIH
VIL
ILI
国际劳工组织
ICC3
ICC2
ICC1
分钟。
2.4V
-
2.2V
-0.3V
-
-
-
-
-
马克斯。
-
0.4V
VCC+0.3V
0.8V
10uA
10uA
15uA
1.0mA
25mA
VIN = 0至5.5V
VOUT = 0 5.5V
CE>VCC-0.2V
CE = VIH
注1
条件
IOH = -1.0mA
IOL = 2.1毫安
电容
（ TA = 25 ° C，F = 1.0MHz的（注2 ） ）
项
输入电容
输出电容
符号
CIN
COUT
分钟。
-
-
马克斯。
10
10
单位
pF
pF
条件
VIN=0V
VOUT=0V
AC特性
（大= -10 ° C 70 ° C， VCC = 5.0V
±
10%)
23C8000-10
参数
周期
地址访问时间
输出保持时间后
地址变更
芯片使能存取时间
存取时间
输出低Z延迟
输出高阻延迟
TLZ
太赫兹
0ns
-
-
20ns
0ns
-
-
20ns
0ns
-
-
20ns
0ns
-
-
20ns
注3
注4
TCE
-
-
100ns的 -
50ns
-
120ns
50ns
-
-
150ns
50ns
-
-
200ns
50ns
输出使能/片选趾
符号最小值。
TCYC
TAA
TOH
-
0ns
马克斯。
100ns的 -
-
23C8000-12
分钟。
马克斯。
120ns
-
120ns的 -
0ns
23C8000-15
分钟。
150ns
-
0ns
马克斯。
-
150ns
-
23C8000-20
分钟。
200ns
-
0ns
MAX 。条件
-
200ns
-
100ns的 -
注意：
1.与测量设备在选定F = 5MHz时，输出卸载。
2.此参数是周期性采样，而不是100 ％ teseted 。
3.输出低阻抗延迟（ TLA ）从CE测量变低。
4.输出高阻抗延迟（太赫兹）从CE测量变高。
P / N ： PM0137
REV 。 4.3 ，七月03 ， 2003
3
MX23C8000
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入时序水平
输出时序水平
输出负载
0.4V~2.4V
10ns
1.5V
0.8V和2.0V
看到网络连接gure
IOH （负载） = - 1毫安
DOUT
人工晶状体（负载） = 2.1毫安
C<100pF
注意：
无输出负载是目前在测试负载板。
主动载使用，并在软件编程控制。
输出负载电容包括负载板的所有寄生电容。
时序图
传输延迟地址（ CE / OE = ACTIVE ）
TCYC
地址
输入
TAA
数据输出
有效的地址
TOH
有效数据
传输延迟芯片使能（地址有效）
CE
TCE
OE
TOE
太赫兹
数据输出
TLZ
P / N ： PM0137
REV 。 4.3 ，七月03 ， 2003
4
QQ：2881677436 复制
