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INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
描述
·带
TO- 3封装
击穿电压
ULOW
饱和电压
·快速
开关速度
应用
·离线
电源
·高电压
逆变器
切换
稳压器
钉扎
1
2
3
BASE
辐射源
描述
2N6753 2N6754
Fig.1简化外形( TO- 3 )和符号
集热器
绝对最大额定值(Ta =
℃)
符号
参数
2N6753
V
CBO
集电极 - 基极电压
2N6754
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
D
T
j
T
英镑
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25℃
开基
集电极开路
发射极开路
1000
500
8
10
5
150
-65~175
-65~200
V
V
A
A
W
条件
价值
900
V
单位
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
价值
1.0
单位
℃/W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明, TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
2N6753 2N6754
典型值。
最大
单位
V
CEO ( SUS )
集电极 - 发射极电压维持
I
C
= 0.2A ;我
B
=0
500
V
V
CEsat-1
V
CEsat-2
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 5A ;我
B
=1A
I
C
= 10A ;我
B
=3A
1.0
V
集电极 - 发射极饱和电压
3.0
V
V
BESAT
基射极饱和电压
I
C
= 5A ;我
B
=1A
V
CE
=900V; V
BE
=-1.5V
T
C
=100℃
V
CE
=1000V; V
BE
=-1.5V
T
C
=100℃
V
EB
= 8V ;我
C
=0
1.3
0.1
1.0
V
2N6753
I
CEV
集电极截止电流
2N6754
mA
0.1
1.0
2.0
mA
I
EBO
发射极截止电流
h
FE
C
OB
直流电流增益
I
C
= 5A ; V
CE
=3V
I
E
=0 ; V
CB
=10V;f=0.1MHz
8
40
输出电容
50
250
pF
f
T
跃迁频率
I
C
= 0.2A ; V
CE
=10V
15
60
兆赫
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2N6753 2N6754
图2外形尺寸( unindicated公差: ± 0.10mm)的
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
描述
·采用TO-3封装
·高击穿电压
·低饱和电压
·快速开关速度
应用
·离线式电源供应器
·高压变频器
开关稳压器
钉扎
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
描述
2N6753 2N6754
Fig.1简化外形( TO- 3 )和符号
绝对最大额定值(Ta =
)
符号
参数
2N6753
V
CBO
集电极 - 基极电压
2N6754
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
D
T
j
T
英镑
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25
开基
集电极开路
发射极开路
1000
500
8
10
5
150
-65~175
-65~200
V
V
A
A
W
条件
价值
900
V
单位
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
价值
1.0
单位
/W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极电压维持
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
2N6753
I
CEV
集电极截止电流
2N6754
I
EBO
h
FE
C
OB
f
T
发射极截止电流
直流电流增益
输出电容
跃迁频率
条件
I
C
= 0.2A ;我
B
=0
I
C
= 5A ;我
B
=1A
I
C
= 10A ;我
B
=3A
I
C
= 5A ;我
B
=1A
V
CE
=900V; V
BE
=-1.5V
T
C
=100
V
CE
=1000V; V
BE
=-1.5V
T
C
=100
V
EB
= 8V ;我
C
=0
I
C
= 5A ; V
CE
=3V
I
E
=0 ; V
CB
=10V;f=0.1MHz
I
C
= 0.2A ; V
CE
=10V
2N6753 2N6754
符号
V
CEO ( SUS )
V
CEsat-1
V
CEsat-2
V
BESAT
500
典型值。
最大
单位
V
1.0
3.0
1.3
0.1
1.0
V
V
V
mA
0.1
1.0
2.0
8
50
15
40
250
60
pF
兆赫
mA
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2N6753 2N6754
图2外形尺寸( unindicated公差: ± 0.10mm)的
3
2N6754
尺寸以毫米(英寸) 。
25.15 (0.99)
26.67 (1.05)
10.67 (0.42)
11.18 (0.44)
1.52 (0.06)
3.43 (0.135)
6.35 (0.25)
9.15 (0.36)
在一个双极NPN器件
密封TO3
金属包装。
38.61 (1.52)
39.12 (1.54)
0.97 (0.060)
1.10 (0.043)
29.9 (1.177)
30.4 (1.197)
22.23
(0.875)
马克斯。
16.64 (0.655)
17.15 (0.675)
1
2
双极NPN装置。
V
首席执行官
= 500V
3
(案例)
3.84 (0.151)
4.09 (0.161)
7.92 (0.312)
12.70 (0.50)
I
C
= 10A
所有Semelab密封产品
可根据被处理
BS , CECC和JAN的要求,
JANTX , JANTXV和JANS规范。
TO3 ( TO204AA )
引脚配置
1 - 基地
2 - 发射极
案例 - 集电极
参数
V
首席执行官
*
I
C( CONT )
h
FE
f
t
P
D
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
500
10
单位
V
A
-
@ (V
CE
/ I
C
)
8
15M
75
Hz
W
*最大工作电压
这是一个简易模式数据表。对于一个完整的数据表,请联系
sales@semelab.co.uk 。
Semelab Plc的保留改变试验条件,参数限制和封装尺寸,恕不另行通知。提供的信息Semelab信
是既准确又可靠,在即将出版的时间。然而Semelab承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。
Semelab PLC 。
电话:+44( 0 ) 1455 556565.传真:+44( 0 ) 1455 552612 。
电子信箱:
sales@semelab.co.uk
网址:
http://www.semelab.co.uk
产生
31-Jul-02
2N6754
尺寸以毫米(英寸) 。
25.15 (0.99)
26.67 (1.05)
10.67 (0.42)
11.18 (0.44)
1.52 (0.06)
3.43 (0.135)
6.35 (0.25)
9.15 (0.36)
在一个双极NPN器件
密封TO3
金属包装。
38.61 (1.52)
39.12 (1.54)
0.97 (0.060)
1.10 (0.043)
29.9 (1.177)
30.4 (1.197)
22.23
(0.875)
马克斯。
16.64 (0.655)
17.15 (0.675)
1
2
双极NPN装置。
V
首席执行官
= 500V
3
(案例)
3.84 (0.151)
4.09 (0.161)
7.92 (0.312)
12.70 (0.50)
I
C
= 10A
所有Semelab密封产品
可根据被处理
BS , CECC和JAN的要求,
JANTX , JANTXV和JANS规范。
TO3 ( TO204AA )
引脚配置
1 - 基地
2 - 发射极
案例 - 集电极
参数
V
首席执行官
*
I
C( CONT )
h
FE
f
t
P
D
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
500
10
单位
V
A
-
@ (V
CE
/ I
C
)
8
15M
75
Hz
W
*最大工作电压
这是一个简易模式数据表。对于一个完整的数据表,请联系
sales@semelab.co.uk 。
Semelab Plc的保留改变试验条件,参数限制和封装尺寸,恕不另行通知。提供的信息Semelab信
是既准确又可靠,在即将出版的时间。然而Semelab承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。
Semelab PLC 。
电话:+44( 0 ) 1455 556565.传真:+44( 0 ) 1455 552612 。
电子信箱:
sales@semelab.co.uk
网址:
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    2N6754
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联系人:Sante Zhang/Mollie
地址:總部地址:UNIT D18 3/FWONG KING INDUSTRIAL BUILDINGNO.2-4 TAI YAU STREETKL
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