数据表
硅晶体管
2SC1927
NPN硅外延Dual晶体管
用于差分放大器和超高速开关
工业用
描述
该2SC1927是NPN硅外延双晶体管
由等效于2SC1275两个芯片，并且被设计为
差分放大器和超高速开关应用。
4
包装尺寸
5.0分钟。
3.5
+0.3
–0.2
5.0分钟。
绝对最大额定值（T
A
= 25 C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
集电极耗散
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
P
T
T
j
T
英镑
评级
30
14
3.0
50
200
300
200
-65到+200
单位
2.0 MAX 。
5
6
0.1
+0.06
–0.03
V
V
V
mA
毫瓦/单位
mW
C
C
引脚连接
4
1C
6
1B
3
2C
1
2B
电气特性（T
A
= 25 C)
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
h
FE
比
基差为发射极电压
增益带宽积
输出电容
符号
I
CES
I
EBO
h
FE
h
FE1
/h
FE2
V
BE
f
T
C
ob
测试条件
V
CE
= 15 V ，R
BE
= 0
V
EB
= 2.0 V，I
C
= 0
V
CE
= 10 V，I
C
= 10毫安
V
CE
= 10 V，I
C
= 10毫安
*
1
V
CE
= 10 V，I
C
= 10毫安
V
CE
= 10 V，I
C
= 10毫安
*
2
V
CB
= 10 V，I
E
= 0中，f = 1.0兆赫
*
3
1.5
25
0.8
分钟。
5
1E
典型值。
2
2E
马克斯。
50
50
单位
nA
nA
80
200
1.0
30
mV
GHz的
1.5
pF
2.0
1.1
* 1.
h
FE1
是小
FE
的2个晶体管的值。
2.
抽样检查应在一个生产批次的碱使用的TO- 18封装器件（相当于进行
2SC1275).
3.
度用3端桥，根据测试端子比器件的集电极和基极的其他应
被连接到电桥的保护端子。
一号文件P11671EJ1V0DS00 （第1版）
发布日期1996年P月
日本印刷
1.25
±0.1
1.25
±0.1
0.6
±0.05
（单位：毫米）
3
2
1
1996
2SC1927
本文件的任何部分不得复制或转载于任何形式或任何方式未经事先书面
NEC公司的同意。 NEC公司对可能出现在此的任何错误不承担任何责任
文档。
NEC公司不承担因侵犯专利，版权或其他知识产权的任何法律责任
本文描述的或任何其他连带责任的第三方或由因使用设备而产生的财产权利
从用这样的设备。没有执照，明示，暗示或其他，根据任何专利授权，
版权或NEC公司或他人的其他知识产权。
而NEC公司一直在不断的努力，以增强其半导体器件的可靠性，
的缺陷的可能也不能完全消除。损坏或人身伤害的风险，最大限度地减少人员或
来自于NEC半导体器件的缺陷而产生的财产，客户必须采用足够的安全性
在其设计的措施，如冗余度，防火和防故障功能。
NEC公司的设备被分类成下列三个质量等级：
“标准”，“特别”和“特殊” 。在具体的质量等级只适用于设备的基础上研制
客户指定的“质量保证计划”的一个具体应用。推荐用途
一个设备的依赖于它的质量等级，如以下所示。客户必须检查每个质量等级
之前在特定的应用中使用它的设备。
标准：计算机，办公自动化设备，通信设备，测试和测量设备，
音频和视频设备，家用电子电器，机床，个人电子
设备和工业机器人
特别声明：运输设备（汽车，火车，船舶等） ，交通控制系统，防灾
系统，防止犯罪系统，安全设备和医疗设备（不包括专门设计的
生命支持）
具体有：飞机，航空航天设备，海底中继设备，原子能控制系统，生命
支持系统或用于生命支持等医疗设备
除非在NEC的数据表或数据手册另有规定NEC的设备在“标准”的质量等级。
如果用户打算使用的应用程序比标准质量等级规定的其他NEC的设备，
他们应该提前联系NEC销售代表。
抗放射性的设计中没有此产品实现。
M4 94.11
2
QQ：2881677436 复制
