2N6504系列
首选设备
可控硅整流器器
反向阻断晶闸管
主要设计用于半波交流控制应用中，如
马达控制，加热控制和电源短路器电路。
特点
http://onsemi.com
玻璃钝化路口中心防火门为大
参数的一致性和稳定性
体积小，坚固耐用， Thermowatt构建了低热
性，高散热性和耐用性
阻断电压为800伏特
300浪涌电流能力
无铅包可用*
可控硅
25安培RMS
50通800伏
G
A
K
记号
图
4
TO220AB
CASE 221A
方式3
1
2
3
x
A
Y
WW
G
= 4， 5，7， 8或9的
=大会地点
=年
=工作周
=无铅器件
2N650xG
AYWW
引脚分配
1
2
3
4
阴极
阳极
门
阳极
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第6页。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年2月， - 启示录7
出版订单号：
2N6504/D
2N6504系列
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
*重复峰值断态电压（注1 ）
（门打开，正弦波50到60 Hz ，T
J
= 25 125_C ）
2N6504
2N6505
2N6507
2N6508
2N6509
通态电流有效值（ 180 °导通角;吨
C
= 85°C)
平均通态电流（ 180 °导通角;吨
C
= 85°C)
峰值不重复浪涌电流（ 1/2周期，正弦波60赫兹，T
J
= 100°C)
正向峰值功率门控（脉冲宽度
≤
1.0
女士，
T
C
= 85°C)
正向平均栅极电源（ T = 8.3毫秒，T
C
= 85°C)
正向栅极峰值电流（脉冲宽度
≤
1.0
女士，
T
C
= 85°C)
工作结温范围
存储温度范围
符号
V
DRM ，
V
RRM
50
100
400
600
800
I
T（ RMS ）
I
T（ AV ）
I
TSM
P
GM
P
G（ AV ）
I
GM
T
J
T
英镑
25
16
250
20
0.5
2.0
-40到+125
-40到+150
A
A
A
W
W
A
°C
°C
价值
单位
V
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值（不正常的操作条件），并同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
1. V
DRM
和V
RRM
对于所有类型的可以在一个连续的基础上被应用。评级申请零或负栅极电压;然而，正栅极
电压不应被施加一致与在阳极上的负电位。阻断电压不得以恒定电流测试
源，使得器件的电压额定值被超过。
热特性
特征
*热阻，结到外壳
*从案例最大的铅焊接温度的目的1/8 ，持续10秒
符号
R
QJC
T
L
最大
1.5
260
单位
° C / W
°C
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明。 ）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
*峰值重复正向或反向阻断电流
(V
AK
=额定V
DRM
或V
RRM
，门打开）
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
I
DRM
,
I
RRM
10
2.0
mA
mA
基本特征
*正向通态电压（注2 ） （我
TM
= 50 A)
*门极触发电流（连续直流）
(V
AK
= 12伏，R
L
= 100
W)
T
C
= 25°C
T
C
= 40°C
V
TM
I
GT
V
GT
V
GD
I
H
t
gt
t
q
15
35
0.2
9.0
1.0
18
1.5
1.8
30
75
1.5
40
80
2.0
V
mA
V
V
mA
ms
ms
*门极触发电压（连续DC ） （V
AK
= 12伏，R
L
= 100
W,
T
C
= 40°C)
门非触发电压（V
AK
= 12伏，R
L
= 100
W,
T
J
= 125°C)
*保持电流
T
C
= 25°C
(V
AK
= 12 VDC，起爆电流为200 mA时，门开）T
C
= 40°C
*开启时间（我
TM
= 25 A，I
GT
= 50 MADC ）
关断时间（V
DRM
=额定电压）
(I
TM
= 25 A，I
R
= 25 A)
(I
TM
= 25 A，I
R
= 25 A，T
J
= 125°C)
动态特性
断态电压（门打开，额定V的临界上升率
DRM
，指数波形）
*表示JEDEC注册的数据。
2.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
女士，
占空比
≤
2%.
dv / dt的
50
V / ms的
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2
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