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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第413页 > 2SJ217
2SJ217
硅P沟道MOS场效应管
1996年11月
应用
高速电源开关
特点
低导通电阻
高速开关
低驱动电流
4 V栅极驱动器
可从5 V电源驱动
适用于电机驱动器，DC-DC转换器，功率开关和螺线管驱动
概要
TO-3P
D
G
1
2
3
1.门
2.漏
（法兰）
3.源
S
2SJ217
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
散热通道
通道温度
储存温度
注意事项1. PW
≤
10
s,
占空比
≤
1%
2.价值在T
C
= 25°C
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D（脉冲）
*
1
I
DR
PCH *
2
总胆固醇
TSTG
评级
–60
±20
–45
–180
–45
150
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
W
°C
°C
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏源击穿
电压
栅源击穿
电压
门源漏电流
符号最小值
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） GSS
I
GSS
–60
±20
—
—
–1.0
—
—
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DF
t
rr
16
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
0.033
0.045
25
3800
2000
490
30
235
670
450
–1.35
300
最大
—
—
±10
–250
–2.0
0.042
0.06
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
I
F
= -45 A，V
GS
= 0
I
F
= -45 A，V
GS
= 0,
di
F
/ DT = 50 A / μs的
I
D
= -20 A，V
GS
= –10 V,
R
L
= 1.5
单位
V
V
A
A
V
测试条件
I
D
= -10毫安，V
GS
= 0
I
G
=
±100 A,
V
DS
= 0
V
GS
=
±16
V, V
DS
= 0
V
DS
= –50 V, V
GS
= 0
I
D
= -1毫安，V
DS
= –10 V
I
D
= -20 A，V
GS
= –10 V*
1
I
D
= -20 A，V
GS
= –4 V*
1
I
D
= -20 A，V
DS
= –10 V*
1
V
DS
= –10 V, V
GS
= 0,
F = 1 MHz的
零栅极电压漏极电流I
DSS
门源截止电压
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
身体向前漏二极管
电压
体漏二极管反向
恢复时间
记
1.脉冲测试
V
GS （ OFF ）
R
DS （ ON）
2
2SJ217
功率与温度降额
150
通道耗散P沟（W）的
–200
O
每
在林
ITE离子
d。在
由次
R是
DS
最高安全工作区
ar
ea
10
s
–100
漏电流I
D
(A)
100
–50
–20
–10
–5
(o
n)
0
10
s
PW
D
C
pe
O
1
m
=
s
10
m
s
(1
50
sh
ra
TI
n
(T
C
=
TA = 25°C
ot
)
25
)
°C
0
50
100
案例温度T
C
(°C)
150
–2
–1
–2
–5 –10 –20
–50 –100
漏极至源极电压V
DS
(V)
典型的输出特性
–100
–50
–10 V
–6 V
–5 V
脉冲测试
漏电流I
D
(A)
–40
典型的正向传输特性
T
C
= –25°C
V
DS
= –10 V
脉冲测试
25°C
–80
漏电流I
D
(A)
–60
–4 V
–30
75°C
–40
–3 V
–20
V
GS
= –2 V
0
–8
–20
–4
–12
–16
漏极至源极电压V
DS
(V)
–20
–10
0
–1
–3
–4
–2
–5
栅极至源极电压V
GS
(V)
3
2SJ217
漏极至源极饱和电压V
DS （ ON）
(V)
漏极至源极饱和电压
与门源电压
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
()
–2.5
脉冲测试
–2.0
–50 A
0.1
V
GS
0.05
–10 V
0.02
0.01
脉冲测试
0.005
–2
–50 –100 –200
–5 –10 –20
漏电流I
D
(A)
= –4 V
–1.5
0.2
0.5
静态漏源导通状态
电阻与漏极电流
–1.0
–20 A
I
D
= –10 A
–0.5
0
–2
–6
–8
–4
–10
栅极至源极电压V
GS
(V)
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
()
静态漏源导通状态
电阻与温度
正向转移导纳
yfs
（纳秒）
0.1
脉冲测试
I
D
= –20 A
–10 A
0.06
V
GS
= –4 V
20
10
5
2
–0.5
160
50
100
V
DS
= –10 V
脉冲测试
–25°C
T
C
= 25°C
75°C
200
正向转移导纳
与漏电流
0.08
0.04
I
D
= –50 A
0.02
V
GS
= –10 V
–10, –20 A
0
–40
40
0
80
120
案例温度T
C
(°C)
–1
–5 –10 –20
–2
漏电流I
D
(A)
–50
2SJ217
体漏二极管反向
恢复时间
5,000
10,000
的di / dt = 50A / μs的，V
GS
= 0
TA = 25°C
脉冲测试
5,000
西塞
电容C （PF ）
2,000
科斯
1,000
500
CRSS
200
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
–20
–50
–10
–30
–40
漏极至源极电压V
DS
(V)
100
0
反向恢复时间trr （ NS ）
2,000
1,000
500
200
100
50
–0.5
–1 –2
–5 –10 –20
反向漏电流I
DR
(A)
–50
典型的电容比。
漏源极电压
动态输入特性
0
漏极至源极电压V
DS
(V)
栅极至源极电压V
GS
(V)
V
DD
= –10 V
–25 V
–50 V
500
开关时间t（ NS ）
t
f
–4
V
GS
–8
100
50
t
D（上）
20
V
GS
= -10 V ， PW = 2
s
.
＆ LT ;
V
DD
= -30 V，占空比
=
1%
.
10
–0.5
–1
200
t
r
V
DS
–40
V
DD
= –10 V
–25 V
–50 V
–12
0
1,000
开关特性
t
D（关闭）
–20
–60
–80
I
D
= –45 A
0
40
120
160
80
栅极电荷Qg （ NC ）
–20
200
–16
–100
–2
–5 –10 –20
漏电流I
D
(A)
–50
2SJ217
硅P沟道MOS场效应晶体管
REJ03G0850-0200
（上一个： NON- 084 ）
Rev.2.00
2005年9月7日
描述
高速电源开关
特点
低导通电阻
高速开关
低驱动电流
4 V栅极驱动器
可从5 V电源驱动
适用于电机驱动器，DC-DC转换器，功率开关和螺线管驱动
概要
瑞萨封装代码： PRSS0004ZE -A
（包名称： TO- 3P ）
D
G
1.门
2.漏（法兰）
3.源
1
2
3
S
Rev.2.00 2005年9月7日第1页6
2SJ217
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
散热通道
通道温度
储存温度
注意事项： 1， PW
≤
10
s,
占空比
≤
1%
2.价值在Tc = 25℃
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D（脉冲）
I
DR
注1
价值
–60
±20
–45
–180
–45
150
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
W
°C
°C
PCH
总胆固醇
注2
TSTG
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏源击穿电压
栅源击穿电压
门源漏电流
零栅极电压漏极电流
门源截止电压
静态漏极至源极通态电阻
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
身体流失二极管正向电压
体漏二极管反向恢复时间
注意：
3.脉冲测试
符号
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） GSS
I
GSS
I
DSS
V
GS （关闭）
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DF
t
rr
民
–60
±20
—
—
–1.0
—
—
16
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
0.033
0.045
25
3800
2000
490
30
235
670
450
–1.35
300
最大
—
—
±10
–250
–2.0
0.042
0.06
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
单位
V
V
A
A
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
测试条件
I
D
= -10毫安，V
GS
= 0
I
G
=
±100 A,
V
DS
= 0
V
GS
=
±16
V, V
DS
= 0
V
DS
= –50 V, V
GS
= 0
I
D
= -1毫安，V
DS
= –10 V
I
D
= -20 A，V
GS
= –10 V
注3
I
D
= -20 A，V
GS
= –4 V
I
D
= -20 A，V
DS
= –10 V
V
DS
= –10 V
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
I
D
= –20 A
V
GS
= –10 V
R
L
= 1.5
I
F
= -45 A，V
GS
= 0
I
F
= -45 A，V
GS
= 0
di
F
/ DT = 50 A / μs的
注3
注3
Rev.2.00 2005年9月7日第2 6
2SJ217
主要特点
功率与温度降额
200
–200
10
最高安全工作区
P沟（W）的
–100
s
10
I
D
(A)
0
150
–50
C
D
PW
pe
O
s
=
1
散热通道
10
漏电流
100
–20
–10
–5
TA = 25°C
m
s
m
(1
s
50
操作
这个区域是
限于由R
DS （ ON）
t
ra
n
io
c
(T
=
sh
ot
)
)
°C
25
0
0
50
100
150
200
–2
–1
–2
–5
–10 –20
–50 –100
外壳温度
TC （ ℃）
漏源极电压
V
DS
(V)
典型的输出特性
–100
–10 V
–6 V
脉冲测试
典型FOWARD传输特性
–50
V
DS
= –10 V
脉冲测试
I
D
(A)
–80
I
D
(A)
–5 V
–40
25°C
TC = -25°C
–30
75°C
–60
漏电流
漏电流
–20
–4 V
–40
–3 V
–20
V
GS
= –2 V
0
–4
–8
–12
–16
–20
–10
0
0
0
–1
–2
–3
–4
–5
漏源极电压
V
DS
(V)
栅极至源极电压
V
GS
(V)
漏极至源极饱和电压V
DS （ ON）
(V)
漏极至源极饱和电压与
栅极至源极电压
–2.5
脉冲测试
–2.0
–50 A
–1.5
静态漏极至源极通态电阻
与漏电流
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
()
0.5
脉冲测试
0.2
0.1
0.05
V
GS
= –4 V
–1.0
–20 A
I
D
= –10 A
0.02
0.01
0.005
–2
–10 V
–0.5
0
0
–2
–4
–6
–8
–10
–5
–10
–20
–50 –100 –200
栅极至源极电压
V
GS
(V)
漏电流
I
D
(A)
Rev.2.00 2005年9月7日第3页6
2SJ217
静态漏极至源极通态电阻
与温度的关系
正向转移导纳主场迎战
漏电流
正向转移导纳| YFS | （ NS）
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
()
0.1
脉冲测试
200
100
50
TC = -25°C
25°C
20
10
5
V
DS
= –10 V
脉冲测试
2
–0.5 –1
–2
–5
–10
–20
–50
75°C
0.08
I
D
= –20 A
0.06
–10 A
V
GS
= –4 V
0.04
–10 V
I
D
= –50 A
–10 A, –20 A
0.02
0
–40
0
40
80
120
160
外壳温度
TC （ ℃）
漏电流I
D
(A)
典型的电容比。
漏源极电压
10000
5000
西塞
体漏二极管的反向
恢复时间
5000
反向恢复时间trr （ NS ）
的di / dt = 50A /
s,
V
GS
= 0
TA = 25 ° C，脉冲测试
电容C （PF ）
2000
1000
500
2000
科斯
1000
500
CRSS
200
100
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
0
–10
–20
–30
–40
–50
200
100
50
–0.5
–1
–2
–5
–10 –20
–50
反向漏电流
I
DR
(A)
漏极至源极电压V
DS
(V)
动态输入特性
开关特性
V
DS
(V)
–20
–4
开关时间t（ NS ）
V
DD
= –10 V
–25 V
–50 V
V
GS
(V)
0
0
1000
500
TD （关闭）
tf
200
100
50
20
tr
漏源极电压
–40
V
DS
V
DD
= –10 V
–25 V
–50 V
V
GS
–8
–60
–12
栅极至源极电压
TD （上）
V
GS
= –10 V, V
DD
= –30 V
PW = 2
s,
税
≤
1 %
–1
–2
–5
–10
–20
–50
–80
I
D
= –45 A
–100
0
40
80
120
160
–16
–20
200
10
–0.5
栅极电荷
QG （ NC ）
漏电流
I
D
(A)
Rev.2.00 2005年9月7日第4 6
2SJ217
反向漏电流 -
源极到漏极电压
–100
反向漏电流I
DR
(A)
脉冲测试
–80
–60
–
10 V
–
5 V
–20
V
GS
= 0, 5 V
–40
0
0
–0.5
–1.0
–1.5
–2.0
–2.5
源极到漏极电压
V
SD
(V)
归瞬态热阻抗与脉冲宽度
归瞬态热阻抗
γ
秒（ t）的
3
TC = 25°C
1
D=1
0.5
0.3
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
θch
- C （T ） =
γ
S（ T）
θch
– c
θch
- C = 0.83 ° C / W ，TC = 25°C
P
DM
ULS
e
D=
PW
T
0.03
PW
T
0.0
1
1
sh
p
ot
0.01
10
100
1m
10 m
100 m
1
10
脉冲宽度PW （S ）
开关时间测试电路
VIN
输入电压监视器
D.U.T.
R
L
VOUT
MONITOR
10%
波形
90%
90%
90%
VIN
–10 V
50
V
DD
= –30 V
VOUT
TD （上）
10%
tr
TD （关闭）
10%
tf
Rev.2.00 2005年9月7日第5 6
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25002-1003
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23AT11-T2
2SK2011
2412162450
2SB1030A
252001B
2222336262
259071
2N6509TG
2SK2515
2SK2835_06
2SC4187R6C
2058301-1
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    -
    -
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联系人：销售部
地址：门市：上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
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