【B-2601/992N6453, 2N6454N沟道硅结型场效应晶体管音频放大器低噪声，高增益放大器】,IC型号2N6453,2N6453 PDF资料,2N6453经销商,ic,电子元器件-51电子网

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B-26

01/99

2N6453, 2N6454

N沟道硅结型场效应晶体管

音频放大器

低噪声，高增益

放大器器

低噪声前置放大器

在T绝对最大额定值

A

= 25C

反向栅源电压

反向栅极漏极电压

连续正向栅电流

连续器件功耗

功率降额

2N6453

2N6454

– 20 V

– 25 V

– 20 V

– 25 V

10毫安

10毫安

360毫瓦

360毫瓦

2.88毫瓦/ ° 2.88毫瓦/°C的

在25 ℃的自由空气温度：

静态电气特性

门源击穿电压

V

（ BR ） GSS

2N6453

民

– 20

– 0.1

最大

2N6454

民

– 25

– 0.5

最大

单位

V

nA

nA

A

–1

A

V

mA

过程NJ132L

测试条件

I

G

= - 1 μA ，V

DS

= V

V

GS

= – 10V, V

DS

= V

V

GS

= – 15V, V

DS

= V

V

GS

= – 10V, V

DS

= V

V

GS

= – 15V, V

DS

= V

V

DS

= 10V ，我

D

= 0.5 nA的

V

DS

= 10V, V

GS

= V

T

A

= 125°C

T

A

= 125°C

门反向电流

I

GSS

– 0.2

– 0.75 – 5 – 0.75 – 5

15

50

15

50

门源截止电压

饱和漏电流（脉冲）

动态电气特性

常见的来源

转发率

常见的来源

输出电导

常见的来源

输入电容

共源反向

传输电容

相当于短路

输入噪声电压

噪声系数

V

GS （ OFF ）

I

DSS

| Y

fs

|

| Y

os

|

C

国际空间站

C

RSS

e

N

NF

mS

20

40

100

25

5

5

3

1.5

20

40

100

25

5

8

2.5

mS

S

S

pF

pF

pF

pF

纳伏/赫兹÷

dB

10纳伏/ √Hz的

V

DS

= 10V ，我

D

= 5毫安

V

DS

= 10V ，我

D

= 15毫安

V

DS

= 10V ，我

D

= 5毫安

V

DS

= 10V ，我

D

= 15毫安

V

DS

= 10V ，我

D

= 5毫安

V

DS

= 10V ，我

D

= 15毫安

V

DS

= 10V ，我

D

= 5毫安

V

DS

= 10V ，我

D

= 15毫安

V

DS

= 10V ，我

D

= 5毫安

V

DS

= 10V ，我

D

= 5毫安

V

DS

= 10V ，我

D

= 5毫安

R

G

= 10 k

F = 1千赫

F = 1千赫

F = 1千赫

F = 1千赫

F = 1千赫

F = 1千赫

F = 1千赫

F = 1千赫

F = 10千赫

F = 1千赫

F = 10赫兹

TO72套餐

尺寸以英寸（毫米）

引脚配置

1来源， 2漏， 3门， 4保护套

1000 N.希洛路，花环，TX 75042

(972) 487-1287

传真

(972) 276-3375

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