2N6071 ， A，B
2N6073 ， A，B
2N6075 ， A，B
敏感GATE TRIAC
4.0 AMPS ， 200 THRU 600伏
中央
TM
半导体公司
描述：
中央SEMICONDUCTOR 2N6071 ， A，B
系列类型的硅敏感栅三端双向可控硅
指定用于上述应用的调光器
马达控制，加热控制和电源
耗材。
标识代码：全型号
TO- 126 CASE
最大额定值：
（ TJ = 25° C除非另有说明）
符号
重复峰值断态电压
RMS通态电流（ TC = 85°C ）
峰值一个周期浪涌（ 60Hz的， TJ = 110 ° C）
I
2
为融合吨值（T = 8.3ms的）
峰值功率门控（ TC = 85°C ）
平均栅极电源（ T = 8.3ms的， TC = 85°C ）
峰值栅极电压（ TC = 85°C ）
储存温度
结温
热阻
热阻
最大的铅温度
VDRM ， VRRM
IT （ RMS ）
ITSM
I
2
t
PGM
PG （AV）
VGM
TSTG
TJ
Θ
JC
Θ
JA
TL
2N6071
2N6071A
2N6071B
200
2N6073
2N6073A
2N6073B
400
4.0
30
3.7
10
0.5
5.0
-40到+150
-40到+110
3.5
75
260
2N6075
2N6075A
2N6075B
600
单位
V
A
A
A
2
s
W
W
V
°C
°C
° C / W
° C / W
°C
电气特性：
（ TC = 25° C除非另有说明）
符号
IDRM ，
IDRM ，
IGT
IGT
IGT
IGT
IGT
IGT
IGT
IGT
IH
IH
VGT
VGT
VTM
吨
dv / dt的
IRRM
IRRM
测试条件
VD =额定VDRM ，
VD =额定VDRM ，
VRRM ， TJ = 25°C
VRRM ， TJ = 110℃
TYP MAX
10
2.0
30
-
30
-
60
-
60
-
30
70
2.0
2.5
2.0
1.5
5.0
A系列
TYP MAX
10
2.0
5.0
5.0
5.0
10
20
20
20
30
15
30
2.0
2.5
2.0
1.5
5.0
B系列
TYP MAX
10
2.0
3.0
3.0
3.0
5.0
15
15
15
20
15
30
2.0
2.5
2.0
1.5
5.0
单位
A
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
V
V
s
V / μs的
VD = 12V ， RL = 100Ω ，四I ， TJ = 25°C
VD = 12V ， RL = 100Ω ， QUAD II ， TJ = 25°C
VD = 12V ， RL = 100Ω ， QUAD三世， TJ = 25°C
VD = 12V ， RL = 100Ω ， QUAD四， TJ = 25°C
VD = 12V ， RL = 100Ω ，四I ， TJ = -40°C
VD = 12V ， RL = 100Ω ， QUAD II ， TJ = -40°C
VD = 12V ， RL = 100Ω ， QUAD三世， TJ = -40°C
VD = 12V ， RL = 100Ω ， QUAD四， TJ = -40°C
VD = 12V ， IT = 1.0A ， TJ = 25°C
VD = 12V ， IT = 1.0A ， TJ = -40°C
VD = 12V ， RL = 100Ω ， TJ = 25 ° C，四I ， II ， III ， IV
VD = 12V ， RL = 100Ω ， TJ = -40°C ，四I ， II ， III ， IV
ITM=6.0A
ITM = 14A ， IGT =百毫安
VD =额定VDRM ， ITM = 5.7A ， TJ = 85°C
R0 （ 2004年27月）
2N6071A / B系列
首选设备
敏感的双向可控硅门
硅双向晶闸管
主要设计用于全波交流控制应用中，如
调光器，马达控制，加热控制和电源;或
只要全波硅栅极控制固态器件
需要的。三端双向可控硅类型晶闸管从阻断切换到导通
国家对任一极性施加阳极电压与正向或
负门极触发。
敏感的触发门独特的兼容直接耦合
为TTL ， HTL ， CMOS和运算放大器集成电路
逻辑功能
门极触发4模式 - 2N6071A ， B， 2N6073A ， B， 2N6075A ，B
阻断电压为600伏
所有的扩散和玻璃钝化结大中华区参数
均匀性和稳定性
体积小，坚固耐用， Thermopad建设低热
性，高散热性和耐用性
器件标识：设备类型，例如， 2N6071A ，日期代码
最大额定值
（ TJ = 25° C除非另有说明）
等级
*重复峰值断态电压（ 1 ）
（ TJ = 40 110℃ ，正弦波，
50至60赫兹，门打开）
2N6071A,B
2N6073A,B
2N6075A,B
符号
VDRM ，
VRRM
200
400
600
IT （ RMS ）
ITSM
I2t
PGM
PG （AV）
VGM
TJ
TSTG
—
4.0
30
3.7
10
0.5
5.0
-40
+110
-40
+150
8.0
安培
安培
A2s
瓦
瓦
伏
1
2
3
价值
单位
伏
http://onsemi.com
双向可控硅
4安培RMS
200通600伏
MT2
G
MT1
*
3
*开启状态RMS电流（ TC = 85°C ）
完整周期的正弦波50到60赫兹
*峰值不重复浪涌电流
（一个完整周期， 60赫兹， TJ = + 110 ° C）
电路熔断注意事项
（T = 8.3毫秒）
*峰值功率门
（脉冲宽度
≤
1.0
s,
TC = 85°C ）
*平均栅极电源
（T = 8.3毫秒， TC = 85°C ）
*峰值栅极电压
（脉冲宽度
≤
1.0
s,
TC = 85°C ）
*工作结温范围
*存储温度范围
安装扭矩（ 6-32螺钉） （ 2 ）
*表示JEDEC注册的数据。
2 1
TO–225AA
（原TO- 126 ）
CASE 077
风格5
引脚分配
主终端1
主终端2
门
订购信息
°C
°C
英寸磅。
设备
2N6071A
2N6071B
2N6073A
2N6073B
2N6075A
2N6075B
包
TO225AA
TO225AA
TO225AA
TO225AA
TO225AA
TO225AA
航运
500/Box
500/Box
500/Box
500/Box
500/Box
500/Box
（1）在VDRM和VRRM所有类型可以在一个连续的基础上被应用。闭塞
电压不得与恒定电流源，使得测试
该器件的额定电压都超标。
（ 2 ）额定转矩应用与使用的压缩垫圈。在安装扭矩
过量的6英寸英镑没有明显降低的情况下对信宿热
性。主终端2和散热片接触垫是常见的。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2000
1
2000年5月 - 第3版
出版订单号：
2N6071/D
2N6071A / B系列
热特性
特征
*热阻，结到外壳
热阻，结到环境
最大的铅焊接温度的目的1/8“案件从10秒
符号
R
θJC
R
θJA
TL
最大
3.5
75
260
单位
° C / W
° C / W
°C
电气特性
（ TC = 25 ° C除非另有说明; ELECTRICALS适用于两个方向）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
*重复峰值电流阻断
（ VD =额定VDRM ， VRRM ;门开）
TJ = 25°C
TJ = 110℃
IDRM ，
IRRM
—
—
—
—
10
2
A
mA
基本特征
*峰值通态电压（ 1 ）
（ ITM = 6达到高峰）
＆ QUOT ;
VTM
VGT
—
—
2
伏
伏
*门极触发电压（连续直流）
（主候机楼电压= 12 VDC， RL = 100欧姆， TJ = -40°C ）
所有象限
GATE非触发电压
（主候机楼电压= 12 VDC， RL = 100欧姆， TJ = 110 ° C）
所有象限
*保持电流
（主候机楼电压= 12 VDC，门打开，
启动电流= 1 ADC ）
—
VGD
0.2
IH
1.4
2.5
伏
—
—
mA
＆ QUOT ;
（ TJ = -40°C ）
（ TJ = 25 ° C）
TGT
—
—
—
—
—
1.5
30
15
—
s
开启时间
（ ITM = 14 ADC ， IGT = 100 MADC ）
象限
（最大值）
TYPE
门极触发电流（连续直流）
（主候机楼电压= 12伏直流RL = 100欧姆）
VDC ，
2N6071A
2N6073A
2N6075A
2N6071B
2N6073B
2N6075B
IGT
@
TJ
+25°C
–40°C
+25°C
–40°C
I
mA
5
20
3
15
II
mA
5
20
3
15
III
mA
5
20
3
15
IV
mA
10
30
5
20
动态特性
换相电压临界上升率
在VDRM ， TJ = 85°C ，门打开， ITM = 5.7 A，指数波形，
整流的di / dt = 2.0 A / MS
*表示JEDEC注册的数据。
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度
≤
2.0毫秒，占空比
≤
2%.
dv / dt的（C ）
—
5
—
V / μs的
http://onsemi.com
2
2N6071A / B系列
象限定义的三端双向可控硅
MT2正
（正半周）
+
（+）， MT2
（+）， MT2
第二象限
（ - ）的IGT
门
MT1
REF
（+）， IGT
门
MT1
REF
我象限
IGT -
（ - ） MT2
（ - ） MT2
+ IGT
第三象限
（ - ）的IGT
门
MT1
REF
（+）， IGT
门
MT1
REF
第四象限
–
MT2负
（负半周）
所有极性引用给MT1 。
与同相的信号（使用标准的AC线）象限I和III被使用。
敏感门逻辑参考
逻辑IC
g
功能
TTL
射击象限
I
II
2N6071A
系列
2N6071A
系列
2N6071B
系列
2N6071B
系列
2N6071A
系列
2N6071A
系列
2N6071A
系列
2N6071B
系列
2N6071A
系列
III
2N6071A
系列
2N6071A
系列
2N6071B
系列
IV
HTL
CMOS （ NAND ）
CMOS （缓冲液）
操作
扩音器
零电压
开关
http://onsemi.com
4
2N6071A / B系列
110
110
α
= 30°
60°
TC ，外壳温度（
°
C)
TC ，外壳温度（
°
C)
90°
100
100
α
= 30°
60°
90
90°
120°
180°
dc
80
α
70
α
=导通角
0
1.0
2.0
3.0
IT （ AV ） ，平均通态电流（ AMP ）
4.0
a
90
120°
180°
80
a
70
a
dc
α
=导通角
0
1.0
2.0
3.0
IT （ RMS ） ， RMS通态电流（ AMP ）
4.0
图1.平均电流降额
8.0
a
P（ AV ） ，平均功率（瓦）
6.0
a
α
=导通角
60°
4.0
α
= 30°
90°
180°
120°
dc
P（ AV ） ，平均功率（瓦）
6.0
a
8.0
图2. RMS电流降额
a
dc
α
= 180°
120°
α
=导通角
4.0
2.0
2.0
90°
0
30°
60°
0
0
2.0
3.0
IT （ AV ） ，平均通态电流（ AMP ）
1.0
4.0
0
2.0
3.0
IT （ RMS ） ， RMS通态电流（ AMP ）
1.0
4.0
图3.功耗
V GT ，门极触发电压（标准化）
I GT ，门极触发电流（归）
3.0
2.0
断态电压= 12伏直流
所有模式
3.0
2.0
图4.功耗
断态电压= 12伏直流
所有模式
1.0
0.7
0.5
1.0
0.7
0.5
0.3
–60
–40
–20
0
20
40
60
80
100
TJ ，结温（ ° C）
120
140
0.3
–60
–40
–20
0
20
40
60
80
100
TJ ，结温（ ° C）
120
140
图5.典型栅极触发电压
图6.典型栅极触发电流
http://onsemi.com
5
摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
通过2N6071 / D
敏感的双向可控硅门
硅双向晶闸管
。 。 。主要为全波交流控制应用中，如调光器的设计，
马达控制，加热控制和电源;或是其他地方，全波硅
需要栅极控制的固态器件。三端双向可控硅晶闸管型从切换
堵为导通状态用于施加阳极电压与正的任一极性
或负门极触发。
敏感的触发门独特的兼容直接耦合到TTL ， HTL ，
CMOS和运算放大器集成电路逻辑功能
门极触发4模式 - 2N6071A ， B， 2N6073A ， B， 2N6075A ，B
阻断电压为600伏
所有的扩散和玻璃钝化结大中华区参数均匀性
和稳定性
体积小，坚固耐用， Thermopad建设实现低热阻，高耐热
散热和耐用性
2N6071A,B*
2N6073A,B*
2N6075A,B*
*摩托罗拉的首选设备
双向可控硅
4安培RMS
200通600伏
MT1
MT2
G
MT2
G
MT1 MT2
CASE 77-08
(TO-225AA)
风格5
最大额定值
（ TJ = 25 ° C除非另有说明。 ）
等级
*重复峰值断态电压（ 1 ）
（门打开， TJ = 25 110 ° C）
2N6071A,B
2N6073A,B
2N6075A,B
IT （ RMS ）
ITSM
I2t
PGM
PG （AV）
VGM
符号
VDRM
200
400
600
4
30
3.7
10
0.5
5
安培
安培
A2s
瓦
瓦
伏
价值
单位
伏
*通态电流有效值（ TC = 85°C ）
*峰值浪涌电流
（一个完整周期， 60赫兹， TJ = -40至+ 110 ° C）
电路熔断注意事项
（T = 8.3毫秒）
*峰值功率门
*平均栅极电源
*峰值栅极电压
*表示JEDEC注册的数据。
1. VDRM所有类型可以在一个连续的基础上被应用。阻断电压不得与恒定电流源，使得测试
该器件的额定电压都超标。
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
REV 1
摩托罗拉晶闸管设备数据
摩托罗拉公司1998年
1
2N6071A ，B 2N6073A ，B 2N6075A ，B
最大额定值
等级
*工作结温范围
*存储温度范围
安装扭矩（ 6-32螺丝） （ 1 ）
*表示JEDEC注册的数据。
1.额定转矩应用与使用压缩垫圈（ B52200F006 ）的。安装扭矩超过6英寸英镑不会明显降低
外壳到散热器的热阻。主终端2和散热片接触垫是常见的。
用于焊接的目的（无论是终端的连接或设备安装） ，焊接温度不得超过+ 200 ° C，持续10秒。
铅弯曲选项向厂家咨询。
符号
TJ
TSTG
—
价值
-40到+110
-40到+150
8
单位
°C
°C
英寸磅。
热特性
特征
*热阻，结到外壳
热阻，结到环境
*表示JEDEC注册的数据。
符号
R
θJC
R
θJA
最大
3.5
75
单位
° C / W
° C / W
电气特性
（ TC = 25 ° C除非另有说明。 ）
特征
*峰值电流阻断
（ VD =额定VDRM ，门打开， TJ = 25 ° C）
（ TJ = 110 ° C）
*通态电压（任意方向）
（ ITM = 6达到高峰）
*峰值门极触发电压（连续DC ）
（主候机楼电压= 12 VDC， RL = 100欧姆， TJ = -40°C ）
MT2 （ + ）中，G （+） ; MT2 （ - ）中，G （ - ）
所有类型
MT2 （ + ）中，G （ - ） ; MT2 （ - ）中，G （+）
（主候机楼电压=额定VDRM ，RL = 10千欧，
TJ = 110 ° C）
MT2 （ + ）中，G （+） ; MT2 （ - ）中，G （ - ）
所有类型
MT2 （ + ）中，G （ - ） ; MT2 （ - ）中，G （+）
*保持电流（任意方向）
（主候机楼电压= 12 VDC，门打开， TJ = -40°C ）
（启动电流= 1 ADC ） 2N6071A ， B， 2N6073A ， B， 2N6075A ，B
（ TJ = 25 ° C）
2N6071A ， B， 2N6073A ， B， 2N6075A ，B
导通时间（任意方向）
（ ITM = 14 ADC ， IGT = 100 MADC ）
阻断电压的应用率在换向
在VDRM ， TJ = 85°C ，门打开， ITM = 5.7 A，
整流的di / dt = 2.0 A / MS
*表示JEDEC注册的数据。
符号
IDRM
—
—
VTM
VGT
—
—
1.4
1.4
2.5
2.5
—
—
—
—
10
2
2
民
典型值
最大
单位
A
mA
伏
伏
0.2
0.2
IH
—
—
吨
dv / dt的（C ）
—
—
—
—
—
—
mA
—
—
1.5
5
30
15
—
—
s
V / μs的
2
摩托罗拉晶闸管设备数据
2N6071A ，B 2N6073A ，B 2N6075A ，B
象限
（请参见下面的定义）
TYPE
门极触发电流（连续直流）
VDC ，
（主候机楼电压= 12伏直流RL = 100欧姆）
最大值
2N6071A
2N6073A
2N6075A
2N6071B
2N6073B
2N6075B
*表示JEDEC注册的数据。
IGT
@
TJ
+25°C
–40°C
+25°C
–40°C
I
mA
5
20
3
15
II
mA
5
20
3
15
III
mA
5
20
3
15
IV
mA
10
30
5
20
示例应用程序：
TTL -敏感GATE 4安培TRIAC
触发模式II及III
14
MC7400
4
7
VEE = 5.0 V
+
2N6071A
负载
115伏交流
60赫兹
0V
-VEE
510
象限定义
MT2(+)
第二象限
我象限
触发装置被推荐用于浇注的双向晶闸管。它们提供：
1.一致预测的开启点。
2.简化电路。
3.快速的导通时间为冷却器，更有效和可靠的操作。
MT2 （ + ）中，G （ - ）
MT2 （ + ）中，G （+）
G(–)
第三象限
第四象限
G(+)
MT2 （ - ）中，G （ - ）
MT2(–)
MT2 （ - ）中，G （+）
敏感门逻辑参考
逻辑IC
功能
TTL
射击象限
I
II
2N6071A
系列
2N6071A
系列
2N6071B
系列
2N6071B
系列
2N6071A
系列
2N6071A
系列
2N6071A
系列
2N6071B
系列
2N6071A
系列
III
2N6071A
系列
2N6071A
系列
2N6071B
系列
IV
HTL
CMOS （ NAND ）
CMOS （缓冲液）
操作
扩音器
零电压
开关
摩托罗拉晶闸管设备数据
3
2N6071A ，B 2N6073A ，B 2N6075A ，B
图1 - 平均电流降额
110
110
图2 - RMS电流降额
α
= 30°
60°
90°
100
TC ，外壳温度（
°
C)
100
α
= 30°
60°
90
90°
120°
180°
dc
80
α
70
α
=导通角
0
1.0
2.0
3.0
IT （ AV ） ，平均通态电流（ AMP ）
4.0
α
TC ，外壳温度（
°
C)
90
120°
180°
80
α
70
α
dc
α
=导通角
0
2.0
3.0
IT （ RMS ） ， RMS通态电流（ AMP ）
1.0
4.0
图3 - 功耗
8.0
α
P（ AV ） ，平均功率（瓦）
6.0
α
α
=导通角
60°
4.0
α
= 30°
90°
180°
120°
dc
P（ AV ） ，平均功率（瓦）
6.0
α
8.0
图4 - 功耗
α
α
= 180°
120°
4.0
dc
α
=导通角
2.0
2.0
90°
0
30°
60°
0
0
2.0
3.0
IT （ AV ） ，平均通态电流（ AMP ）
1.0
4.0
0
2.0
3.0
IT （ RMS ） ， RMS通态电流（ AMP ）
1.0
4.0
图5 - 典型栅极触发电压
VGTM ，门极触发电压（标准化）
3.0
2.0
断态电压= 12伏直流
所有模式
我GTM ，门极触发电流（归）
3.0
2.0
图6 - 典型栅极触发电流
断态电压= 12伏直流
所有模式
1.0
0.7
0.5
1.0
0.7
0.5
0.3
–60
–40
–20
0
20
40
60
80
100
TJ ，结温（ ° C）
120
140
0.3
–60
–40
–20
0
20
40
60
80
100
TJ ，结温（ ° C）
120
140
4
摩托罗拉晶闸管设备数据
2N6071A ，B 2N6073A ，B 2N6075A ，B
图7 - 最大通态特性
40
30
20
IH ，保持电流（归一化）
3.0
2.0
图8 - 典型控股CURRENT
门打开
适用于任一方向
1.0
0.7
0.5
10
7.0
ITM ，通态电流（ AMP ）
5.0
TJ = 110℃
0.3
–60
–40
–20
0
20
40
60
80
100
120
140
3.0
2.0
TJ ，结温（ ° C）
TJ = 25°C
1.0
图9 - 最大允许浪涌电流
34
32
PEAK SINEWAVE电流（ AMP ）
0.7
0.5
30
28
26
24
22
20
18
16
14
1.0
TJ = -40+ 110℃
F = 60赫兹
0.3
0.2
0.1
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
VTM ，通态电压（伏）
2.0
3.0
4.0
5.0
7.0
10
NUMBER完整的周期的
Z
θJC （T ）
，瞬态热阻抗（
° C / W）
图10 - 热响应
10
5.0
3.0
2.0
典型
1.0
0.5
0.3
0.2
0.1
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
吨，时间（ ms）的
100
200
500
1.0 k
2.0 k
5.0 k
10 k
最大
摩托罗拉晶闸管设备数据
5
2N6071A / B系列
首选设备
敏感的双向可控硅门
硅双向晶闸管
主要设计用于全波交流控制应用中，如
调光器，马达控制，加热控制和电源;或
只要全波硅栅极控制固态器件
需要的。三端双向可控硅类型晶闸管从阻断切换到导通
国家对任一极性施加阳极电压与正向或
负门极触发。
特点
http://onsemi.com
双向可控硅
4.0 RMS ， 200 - 600 V
敏感的触发门独特的兼容直接耦合
为TTL ， HTL ， CMOS和运算放大器集成电路
逻辑功能
门极触发： 4模式 - 2N6071A ，B ; 2N6073A ，B ; 2N6075A ，B
阻断电压为600 V
所有的扩散和玻璃钝化结大中华区参数
均匀性和稳定性
体积小，坚固耐用， Thermopad建设低热
性，高散热性和耐用性
器件标识：设备类型，例如， 2N6071A ，日期代码
MT2
G
MT1
后视图
SHOW TAB
3
TO225
CASE 077
风格5
2 1
标记图
YWW
2N
607xyG
= 1, 3, 5
= A，B
=年
=工作周
= Pb-Free包装
1.阴极
2.阳极
3.门
x
y
Y
WW
G
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第7页。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年4月 - 启示录7
出版订单号：
2N6071/D
2N6071A / B系列
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
*重复峰值断态电压（注1 ）
(T
J
=
*40
至110℃ ，正弦波， 50到60赫兹，门打开）
2N6071A,B
2N6073A,B
2N6075A,B
*开启状态RMS电流（T
C
= 85°C ），完整周期正弦波50到60赫兹
*峰值不重复浪涌电流（一个完整周期， 60赫兹，T
J
= +110°C)
电路熔断思考（ T = 8.3毫秒）
*峰值功率门控（脉冲宽度
≤
1.0
女士，
T
C
= 85°C)
*平均栅极电源（ T = 8.3毫秒，T
C
= 85°C)
*峰值栅极电压（脉冲宽度
≤
1.0
女士，
T
C
= 85°C)
*工作结温范围
*存储温度范围
安装扭矩（ 6-32螺丝） （注2 ）
符号
V
DRM ，
V
RRM
200
400
600
I
T（ RMS ）
I
TSM
I
2
t
P
GM
P
G（ AV ）
V
GM
T
J
T
英镑
4.0
30
3.7
10
0.5
5.0
-40到+110
-40到+150
8.0
A
A
A
2
s
W
W
V
°C
°C
英寸磅。
价值
单位
V
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
1. V
DRM
和V
RRM
对于所有类型的可以在一个连续的基础上被应用。阻断电压不得用恒定电流源，例如测试
该器件的电压额定值被超过。
2.额定扭矩适用与使用的压缩垫圈。安装扭矩超过6英寸英镑不会明显降低的情况下对信宿热
性。主终端2和散热片接触垫是常见的。
热特性
特征
*热阻，结到外壳
热阻，结到环境
最大的铅焊接温度的目的1/8“案件从10秒
*表示JEDEC注册的数据。
符号
R
QJC
R
qJA
T
L
最大
3.5
75
260
单位
° C / W
° C / W
°C
http://onsemi.com
2
2N6071A / B系列
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明; ELECTRICALS应用在两个方向上）
特征
开关特性
*重复峰值电流阻断
(V
D
=额定V
DRM
, V
RRM ;
门打开）
基本特征
*峰值通态电压（注3 ） （我
TM
=
"6.0
A峰值）
*门极触发电压（连续DC ） ，所有象限
（主候机楼电压= 12伏，R
L
= 100
W,
T
J
= 40°C)
门非触发电压，所有象限
（主候机楼电压= 12伏，R
L
= 100
W,
T
J
= 110°C)
*保持电流
（主候机楼电压= 12 VDC，门打开，启动电流=
"1
ADC）
T
J
= 40°C
T
J
= 25°C
开启时间（我
TM
= 14个ADC ，我
GT
= 100 MADC ）
V
TM
V
GT
V
GD
0.2
I
H
t
gt
1.5
30
15
ms
mA
1.4
2.5
V
2
V
V
T
J
= 25°C
T
J
= 110°C
I
DRM ，
I
RRM
10
2
mA
mA
符号
民
典型值
最大
单位
象限
（最大值）
TYPE
门极触发电流（连续直流）
（主候机楼电压= 12伏，R
L
= 100
W)
2N6071A
2N6073A
2N6075A
2N6071B
2N6073B
2N6075B
动态特性
换相电压临界上升率
@ V
DRM
, T
J
= 85°C ，门打开，我
TM
= 5.7 A，指数波形，
整流的di / dt = 2.0 A / MS
3.脉冲测试：脉冲宽度
≤
2.0毫秒，占空比
≤
2%.
*表示JEDEC注册的数据。
dv / dt的（C ）
5
V / ms的
I
GT
@
T
J
+25°C
40°C
+25°C
40°C
I
mA
5
20
3
15
II
mA
5
20
3
15
III
mA
5
20
3
15
IV
mA
10
30
5
20
示例应用程序：
TTL -敏感GATE 4安培TRIAC
触发模式II及III
14
MC7400
4
7
V
EE
= 5.0 V
+
510
W
2N6071A
负载
115伏交流
60赫兹
0V
V
EE
触发装置被推荐用于浇注的双向晶闸管。它们提供：
1.一致预测的开启点。
2.简化电路。
3.快速的导通时间为冷却器，更有效和可靠的操作。
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3
2N6071A / B系列
双向晶闸管电压电流特性
（双向设备）
+电流
1象限
MainTerminal 2 +
符号
V
DRM
I
DRM
V
RRM
I
RRM
V
TM
I
H
参数
重复峰值正向关闭状态电压
峰值正向阻断电流
反向重复峰值断态电压
峰值反向电流阻断
最大通态电压
保持电流
象限3
MainTerminal 2 -
I
H
V
TM
I
RRM
在V
RRM
在国家
I
H
V
TM
关国
+电压
I
DRM
在V
DRM
象限定义的三端双向可控硅
MT2正
（正半周）
+
（+）， MT2
（+）， MT2
第二象限
() I
GT
门
MT1
REF
(+) I
GT
门
MT1
REF
我象限
I
GT
（ - ） MT2
（ - ） MT2
+ I
GT
第三象限
() I
GT
门
MT1
REF
(+) I
GT
门
MT1
REF
第四象限
MT2负
（负半周）
所有极性引用给MT1 。
与同相的信号（使用标准的AC线）象限I和III被使用。
敏感门逻辑参考
IC逻辑功能
TTL
HTL
CMOS （ NAND ）
CMOS （缓冲液）
运算放大器连接器
零电压开关
2N6071A系列
2N6071A系列
2N6071A系列
2N6071B系列
2N6071B系列
2N6071B系列
2N6071A系列
射击象限
I
II
2N6071A系列
2N6071A系列
III
2N6071A系列
2N6071A系列
IV
2N6071B系列
http://onsemi.com
4
QQ：2880707522 复制
