INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
描述
·带
TO- 3封装
.Complement
键入2N6648 /六千六百五十〇分之六千六百四十九
达林顿
高直流电流增益
应用
·设计
中低频率
电源的应用，如电源开关
音频放大器，锤驱动器和分流
和串联稳压器
钉扎
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
描述
2N6383 2N6384 2N6385
绝对最大额定值（Ta =
℃)
符号
参数
固电
IN
导½
半
2N6383
2N6384
2N6385
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
V
CBO
集电极 - 基极电压
ES
昂
CH
2N6383
2N6384
2N6385
发射极开路
ND
ICO
EM
条件
OR
UCT
价值
40
60
80
40
60
80
单位
V
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
开基
V
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
D
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
总功耗
结温
储存温度
集电极开路
5
10
15
0.25
V
A
A
A
W
℃
℃
T
C
=25℃
100
200
-65~200
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
价值
1.75
单位
℃/W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2N6383 2N6384 2N6385
固电
IN
导½
半
ES
昂
CH
ND
ICO
EM
OR
UCT
图2外形尺寸（ unindicated公差： ± 0.10mm）的
3
功率晶体管
TO- 3案（续）
型号
IC
(A)
最大
10
10
10
10
15
15
PD
(W)
125
175
175
175
115
150
160
160
160
125
125
125
117
100
100
100
125
125
125
125
100
100
125
125
175
175
100
120
120
120
150
150
150
BVCBO
(V)
民
110
300
375
450
55
100
60
80
100
500
600
700
50
40
60
80
50
50
70
90
650
850
650
850
650
850
45
60
90
120
350
400
450
BVCEO
(V)
民
100
200
275
350
45
80
60
80
100
250
300
350
40
40
60
80
40
40
60
80
300
400
300
400
300
400
40
60
90
120
300
350
400
的hFE
* TYP
民
20
10
8.0
6.0
20
20
750
750
750
15
15
12
15
最大
100
50
50
50
70
70
@ IC VCE （ SAT ）
(A)
5.0
10
10
10
3.0
5.0
(V)
最大
3.5
1.5
1.5
1.5
4.0
4.0
3.0
3.0
3.0
5.0
5.0
5.0
4.0
3.0
3.0
3.0
3.5
3.5
3.5
3.5
1.0
1.0
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
4.0
4.0
4.0
2.0
2.0
2.0
@ IC
(A)
10
10
10
10
15
15
20
20
20
8.0
8.0
8.0
16
10
10
10
15
15
15
15
3.0
3.0
8.0
5.0
10
10
4.0
15
15
15
8.0
8.0
8.0
NPN
2N6249
2N6250
2N6251
2N6253
2N6254
2N6282
2N6283
2N6284
2N6306
2N6307
2N6308
2N6371
2N6383
2N6384
2N6385
2N6470
2N6471
2N6472
2N6542
2N6543
2N6544
2N6545
2N6546
2N6547
2N6569
2N6576
2N6577
2N6578
2N6671
2N6672
2N6673
PNP
2N6248
fT
* TYP
（兆赫）
民
4.0
2.5
2.5
2.5
4.0
--
4.0
4.0
4.0
5.0
5.0
5.0
4.0
6.0
6.0
6.0
4.0
4.0
4.0
4.0
6.0
6.0
6.0
6.0
6.0
6.0
2.5
6.0
6.0
6.0
15
15
15
2N6285
2N6286
2N6287
20
20
20
8.0
8.0
8.0
15
18,000 10
18,000 10
18,000 10
75
75
60
60
8.0
8.0
8.0
8.0
2N6648
2N6649
2N6650
2N6469
10
10
10
15
15
15
15
5.0
5.0
8.0
8.0
15
15
1,000 20,000 5.0
1,000 20,000 5.0
1,000 20,000 5.0
20
20
20
20
7.0
7.0
7.0
7.0
12
12
15
150
150
150
150
35
35
35
35
60
60
200
5.0
5.0
5.0
5.0
3.0
3.0
5.0
5.0
5.0
5.0
4.0
2N6594
12
15
15
15
8.0
8.0
8.0
2,000 20,000 4.0
2,000 20,000 4.0
2,000 20,000 4.0
10
10
10
40
40
40
--
--
--
阴影部分表示达林顿。
83
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
技术参数
NPN达林顿功率硅晶体管
每个合格的MIL -PRF-五百二十三分之一万九千五
器件
2N6383
2N6384
2N6385
资质等级
JAN ， JANTX
JANTXV
最大额定值
评级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
基极电流
集电极电流
总功耗
符号2N6383 2N6384 2N6385单位
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
B
I
C
P
T
T
op
,
T
英镑
40
40
60
60
5.0
0.25
10
6.0
100
-55到+175
马克斯。
1.75
80
80
VDC
VDC
VDC
ADC
ADC
W
W
0
C
单位
C / W
@ T
A
= +25
0
C
(1)
@ T
C
= +25
0
C
(2)
工作&储存温度
热特性
特征
符号
热阻结到外壳
R
θ
JC
0
0
1 ）线性降额34.2毫瓦/ C上面的牛逼
A
> + 25℃
2)
线性降额571毫瓦/
0
C以上牛逼
C
> +25
0
C
的TO- 3 * （TO- 204AA ）
0
*请参阅附录A
包装外形
电气特性（T
C
= +25
0
C除非另有说明）
特征
符号
分钟。
马克斯。
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 200 MADC
2N6383
2N6384
2N6385
2N6383
2N6384
2N6385
2N6383
2N6384
2N6385
40
60
80
40
60
80
1.0
1.0
1.0
VDC
V
（ BR ）
首席执行官
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 200 MADC ，R
BB
= 100
V
（ BR ）
CER
VDC
集电极 - 基极截止电流
V
CE
= 40 VDC
V
CE
= 60 VDC
V
CE
= 80伏直流
I
CBO
MADC
6湖街，劳伦斯，MA 01841
1-800-446-1158 / （ 978 ） 794-1666 /传真： （ 978 ） 689-0803
120101
第1页2
2N6383 ， 2N6384 ， 2N6385 ， JAN系列
电气特性（续）
特征
发射基截止电流
V
EB
= 5.0伏
集电极 - 发射极截止电流
V
CE
= 40 VDC
V
CE
= 60 VDC
V
CE
= 80伏直流
集电极 - 发射极截止电流
V
CE
= 40 VDC ，V
BE
= 1.5 VDC
V
CE
= 60 VDC ，V
BE
= 1.5 VDC
V
CE
= 80伏，V
BE
= 1.5 VDC
符号
I
EBO
2N6383
2N6384
2N6385
2N6383
2N6384
2N6385
分钟。
马克斯。
5.0
1.0
1.0
1.0
0.3
0.3
0.3
单位
MADC
I
首席执行官
MADC
I
CEX
MADC
基本特征
(3)
正向电流传输比
I
C
= 5.0 ADC ，V
CE
= 3.0伏
I
C
= 10位ADC ，V
CE
= 3.0伏
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 5.0 ADC ，我
B
= 10 MADC
I
C
= 10位ADC ，我
B
= 0.1 ADC
基射极电压
I
C
= 5.0 ADC ，V
CE
= 3.0伏
I
C
= 10位ADC ，V
CE
= 3.0伏
h
FE
1,000
100
20,000
V
CE （ SAT ）
2.0
3.0
2.8
4.5
VDC
V
BE（上）
VDC
动态特性
小信号短路正向电流传输比
I
C
= 1.0 ADC ，V
CE
= 5.0伏， F = 1.0 MHz的
输出电容
V
CB
= 10 VDC ，我
E
= 0，100千赫
≤
f
≤
1.0兆赫
h
fe
C
敖包
20
300
200
pF
开关特性
开启时间
V
CC
= 30伏直流;我
C
= 5.0 ADC ;我
B1
= 20 MADC
打开-O FF时间
V
CC
= 30伏直流;我
C
= 5.0 ADC ;我
B1
= -I
B2
= 20 MADC
t
on
2.5
10
s
s
t
关闭
安全工作区
DC测试
T
C
= +25
0
C， 1个周期，T = 1.0秒
测试1
V
CE
= 10 VDC ，我
C
= 10位ADC
所有类型
测试2
V
CE
= 30伏直流电，我
C
= 3.33 ADC
所有类型
测试3
V
CE
= 40
VDC
, I
C
= 1.5
ADC
2N6383
V
CE
= 60 VDC ，我
C
= 0.4 ADC
2N6384
V
CE
= 80伏直流，我
C
= 0.16 ADC
2N6385
（ 3 ）脉冲测试：脉冲宽度= 300μS ，占空比
≤
2.0%.
6湖街，劳伦斯，MA 01841
1-800-446-1158 / （ 978 ） 794-1666 /传真： （ 978 ） 689-0803
120101
第2页2
技术参数
NPN达林顿功率硅晶体管
每个合格的MIL -PRF-五百二十三分之一万九千五
器件
2N6383
2N6384
2N6385
资质等级
JAN ， JANTX
JANTXV
最大额定值
评级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
基极电流
集电极电流
总功耗
符号2N6383 2N6384 2N6385单位
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
B
I
C
P
T
T
op
,
T
英镑
40
40
60
60
5.0
0.25
10
6.0
100
-55到+175
马克斯。
1.75
80
80
VDC
VDC
VDC
ADC
ADC
W
W
0
C
单位
C / W
@ T
A
= +25
0
C
(1)
@ T
C
= +25
0
C
(2)
工作&储存温度
热特性
特征
符号
热阻结到外壳
R
θ
JC
0
0
1 ）线性降额34.2毫瓦/ C上面的牛逼
A
> + 25℃
2)
线性降额571毫瓦/
0
C以上牛逼
C
> +25
0
C
的TO- 3 * （TO- 204AA ）
0
*请参阅附录A
包装外形
电气特性（T
C
= +25
0
C除非另有说明）
特征
符号
分钟。
马克斯。
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 200 MADC
2N6383
2N6384
2N6385
2N6383
2N6384
2N6385
2N6383
2N6384
2N6385
40
60
80
40
60
80
1.0
1.0
1.0
VDC
V
（ BR ）
首席执行官
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 200 MADC ，R
BB
= 100
V
（ BR ）
CER
VDC
集电极 - 基极截止电流
V
CE
= 40 VDC
V
CE
= 60 VDC
V
CE
= 80伏直流
I
CBO
MADC
6湖街，劳伦斯，MA 01841
1-800-446-1158 / （ 978 ） 794-1666 /传真： （ 978 ） 689-0803
120101
第1页2
2N6383 ， 2N6384 ， 2N6385 ， JAN系列
电气特性（续）
特征
发射基截止电流
V
EB
= 5.0伏
集电极 - 发射极截止电流
V
CE
= 40 VDC
V
CE
= 60 VDC
V
CE
= 80伏直流
集电极 - 发射极截止电流
V
CE
= 40 VDC ，V
BE
= 1.5 VDC
V
CE
= 60 VDC ，V
BE
= 1.5 VDC
V
CE
= 80伏，V
BE
= 1.5 VDC
符号
I
EBO
2N6383
2N6384
2N6385
2N6383
2N6384
2N6385
分钟。
马克斯。
5.0
1.0
1.0
1.0
0.3
0.3
0.3
单位
MADC
I
首席执行官
MADC
I
CEX
MADC
基本特征
(3)
正向电流传输比
I
C
= 5.0 ADC ，V
CE
= 3.0伏
I
C
= 10位ADC ，V
CE
= 3.0伏
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 5.0 ADC ，我
B
= 10 MADC
I
C
= 10位ADC ，我
B
= 0.1 ADC
基射极电压
I
C
= 5.0 ADC ，V
CE
= 3.0伏
I
C
= 10位ADC ，V
CE
= 3.0伏
h
FE
1,000
100
20,000
V
CE （ SAT ）
2.0
3.0
2.8
4.5
VDC
V
BE（上）
VDC
动态特性
小信号短路正向电流传输比
I
C
= 1.0 ADC ，V
CE
= 5.0伏， F = 1.0 MHz的
输出电容
V
CB
= 10 VDC ，我
E
= 0，100千赫
≤
f
≤
1.0兆赫
h
fe
C
敖包
20
300
200
pF
开关特性
开启时间
V
CC
= 30伏直流;我
C
= 5.0 ADC ;我
B1
= 20 MADC
打开-O FF时间
V
CC
= 30伏直流;我
C
= 5.0 ADC ;我
B1
= -I
B2
= 20 MADC
t
on
2.5
10
s
s
t
关闭
安全工作区
DC测试
T
C
= +25
0
C， 1个周期，T = 1.0秒
测试1
V
CE
= 10 VDC ，我
C
= 10位ADC
所有类型
测试2
V
CE
= 30伏直流电，我
C
= 3.33 ADC
所有类型
测试3
V
CE
= 40
VDC
, I
C
= 1.5
ADC
2N6383
V
CE
= 60 VDC ，我
C
= 0.4 ADC
2N6384
V
CE
= 80伏直流，我
C
= 0.16 ADC
2N6385
（ 3 ）脉冲测试：脉冲宽度= 300μS ，占空比
≤
2.0%.
6湖街，劳伦斯，MA 01841
1-800-446-1158 / （ 978 ） 794-1666 /传真： （ 978 ） 689-0803
120101
第2页2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
描述
·采用TO-3封装
·补键入2N6648 /六千六百五十分之六千六百四十九
·
达林顿
·
高直流电流增益
应用
·专为低中频
电源的应用，如电源开关
音频放大器，锤驱动器和分流
和串联稳压器
钉扎
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
描述
2N6383 2N6384 2N6385
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
绝对最大额定值（Ta =
)
符号
参数
2N6383
V
CBO
集电极 - 基极电压
2N6384
2N6385
2N6383
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
2N6384
2N6385
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
D
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25
集电极开路
开基
发射极开路
条件
价值
40
60
80
40
60
80
5
10
15
0.25
100
200
-65~200
V
A
A
A
W
V
V
单位
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
价值
1.75
单位
/W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2N6383 2N6384 2N6385
图2外形尺寸（ unindicated公差： ± 0.10mm）的
3
JMnic
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
描述
·带
TO- 3封装
.Complement
键入2N6648 /六千六百五十〇分之六千六百四十九
达林顿
高直流电流增益
应用
·设计
中低频率
电源的应用，如电源开关
音频放大器，锤驱动器和分流
和串联稳压器
钉扎
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
描述
2N6383 2N6384 2N6385
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
绝对最大额定值（Ta =
℃)
符号
参数
2N6383
V
CBO
集电极 - 基极电压
2N6384
2N6385
2N6383
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
2N6384
2N6385
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
D
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25℃
集电极开路
开基
发射极开路
条件
价值
40
60
80
40
60
80
5
10
15
0.25
100
200
-65~200
V
A
A
A
W
℃
℃
V
V
单位
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
价值
1.75
单位
℃/W
JMnic
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2N6383 2N6384 2N6385
图2外形尺寸（ unindicated公差： ± 0.10mm）的
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
描述
·带
TO- 3封装
.Complement
键入2N6648 /六千六百五十〇分之六千六百四十九
达林顿
高直流电流增益
应用
·设计
中低频率
电源的应用，如电源开关
音频放大器，锤驱动器和分流
和串联稳压器
钉扎
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
描述
2N6383 2N6384 2N6385
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
绝对最大额定值（Ta =
℃)
符号
参数
2N6383
V
CBO
集电极 - 基极电压
2N6384
2N6385
2N6383
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
2N6384
2N6385
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
D
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25℃
集电极开路
开基
发射极开路
条件
价值
40
60
80
40
60
80
5
10
15
0.25
100
200
-65~200
V
A
A
A
W
℃
℃
V
V
单位
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
价值
1.75
单位
℃/W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2N6383 2N6384 2N6385
图2外形尺寸（ unindicated公差： ± 0.10mm）的
3
2N6383
2N6384
2N6385
NPN硅功率
达林顿晶体管
中央
TM
半导体公司
描述：
中央SEMICONDUCTOR 2N3683系列
类型NPN硅功率达林顿晶体管
专为功率放大器的应用程序。
标记：全部型号
TO- 3 CASE
最大额定值：
(TC=25°C)
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
基极电流
功耗
工作和存储结温
热阻
符号
VCBO
VCEX
VCEO
VEBO
IC
ICM
IB
PD
TJ ， TSTG
Θ
JC
2N6383
40
40
40
2N6384
60
60
60
5.0
10
15
250
100
-65到+200
1.75
2N6385
80
80
80
单位
V
V
V
V
A
A
mA
W
°C
° C / W
电气特性：
（ TC = 25° C除非另有说明）
符号
测试条件
民
ICEV
ICEV
ICEO
IEBO
BVCEO
BVCEO
BVCEO
BVcer
BVcer
BVcer
BVCEV
BVCEV
BVCEV
VCEV =额定VCEO ，
VCEV =额定VCEO ，
VCE =额定VCEO
VEB=5.0V
IC = 200毫安（ 2N6383 ）
IC = 200毫安（ 2N6384 ）
IC = 200毫安（ 2N6385 ）
IC =的200mA， RBE = 100Ω （ 2N6383 ）
IC =的200mA， RBE = 100Ω （ 2N6384 ）
IC =的200mA， RBE = 100Ω （ 2N6385 ）
IC =的200mA， VBE （关闭） = 1.5V （ 2N6383 ）
IC=200mA,
IC=200mA,
VBE （关闭） = 1.5V （ 2N6384 ）
VBE （关闭） = 1.5V （ 2N6385 ）
40
60
80
40
60
80
40
60
80
VBE(off)=1.5V
VBE （关闭） = 1.5V ， TC = 150℃
最大
300
3.0
1.0
10
单位
μA
mA
mA
mA
V
V
V
V
V
V
V
V
V
R1 （ 2008年28月）
中央
VCE （ SAT ）
VCE （ SAT ）
VBE （ON）的
VBE （ON）的
的hFE
的hFE
VF
COB
| HHE |
HHE
IC = 5.0A ， IB = 10毫安
IC = 10A ， IB =百毫安
VCE = 3.0V ， IC = 5.0A
VCE = 3.0V ， IC = 10A
VCE = 3.0V ， IC = 5.0A
VCE = 3.0V ， IC = 10A
TM
2N6383
2N6384
2N6385
NPN硅功率
达林顿晶体管
半导体公司
电气特性 - 续：
（ TC = 25° C除非另有说明）
符号
测试条件
民
最大
2.0
3.0
2.8
4.5
1K
100
4.0
200
20
1K
20K
单位
V
V
V
V
IF=10A
VCB = 10V ， IE = 0 ， F = 1.0MHz的
VCE = 5.0V ， IC = 1.0A ， F = 1.0MHz的
VCE = 5.0V ， IC = 1.0A ， F = 1.0kHz
V
pF
TO- 3 CASE - 机械概要
R2
前导码：
1）基础
2 ）辐射源
C）集热器
标记：全部型号
R1 （ 2008年28月）
QQ：2880707522 复制
