晶体管
P
C
- TA
1.2
–6
Ta=25C
I
B
=–40mA
1.0
–5
–35mA
–30mA
–25mA
–4
–20mA
–15mA
–10mA
–2
–5mA
–1
–1mA
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0
0
–2
–4
–6
–8
–10
–12
0
0
– 0.4
– 0.8
–10
2SB873
I
C
— V
CE
–12
V
CE
=–2V
25C
I
C
— V
BE
集电极耗散功率P
C
(W)
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
Ta=75C
–8
–25C
0.8
0.6
–3
–6
0.4
–4
0.2
–2
–1.2
–1.6
–2.0
环境温度Ta （C ）
集电极到发射极电压V
CE
(V)
基极至发射极电压V
BE
(V)
V
CE （ SAT ）
— I
C
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
–100
–30
–10
–3
–1
Ta=75C
25C
–25C
I
C
/I
B
=30
600
h
FE
— I
C
240
V
CE
=–2V
Ta=75C
500
25C
f
T
— I
E
V
CB
=–6V
Ta=25C
正向电流传输比H
FE
过渡频率f
T
（兆赫）
–1
–3
–10
200
400
160
300
–25C
120
– 0.3
– 0.1
– 0.03
200
80
100
40
– 0.01
– 0.01 – 0.03 – 0.1 – 0.3
–1
–3
–10
0
– 0.01 – 0.03 – 0.1 – 0.3
0
1
3
10
30
100
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
发射极电流I
E
（MA ）
C
ob
— V
CB
200
–100
I
E
=0
f=1MHz
Ta=25C
–30
安全操作区（ ASO ）
单脉冲
Ta=25C
集电极输出电容C
ob
（PF ）
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
–1
集电极电流I
C
(A)
–10
–3
–1
I
CP
I
C
t=1s
t=10ms
– 0.3
– 0.1
– 0.03
– 0.01
– 0.1 – 0.3
–3
–10
–30
–100
–1
–3
–10
–30
–100
集电极基极电压V
CB
(V)
集电极到发射极电压V
CE
(V)
2
晶体管
2SB0873
(2SB873)
PNP硅外延平面型
对于低频功率放大
用于DC-DC转换器
对于频闪仪
■
特点
低集电极 - 发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
大的集电极电流I
C
5.9
±0.2
单位：mm
4.9
±0.2
■
绝对最大额定值
T
a
=
25°C
参数
集电极 - 基极电压（发射极开路）
集电极 - 发射极电压（基本开）
发射极 - 基极电压（集电极开路）
集电极电流
峰值集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
T
j
T
英镑
等级
30
20
7
5
10
1
150
55
to
+150
单位
V
V
1 2 3
0.45
+0.2
–0.1
(1.27)
(1.27)
0.45
+0.2
–0.1
13.5
±0.5
0.7
+0.3
–0.2
0.7
±0.1
8.6
±0.2
V
A
A
W
°C
°C
2.54
±0.15
1 ：发射器
2 ：收藏家
3 ：基本
EIAJ ： SC- 51
TO- 92L -A1套餐
■
电气特性
T
a
=
25°C
±
3°C
参数
集电极 - 发射极电压（基本开）
发射极 - 基极电压（集电极开路）
集电极 - 基极截止电流（发射极开路）
发射极 - 基极截止电流（集电极开路）
正向电流传输比
*1, 2
集电极 - 发射极饱和电压
*1
跃迁频率
集电极输出电容
（共发射极反向传输）
符号
V
首席执行官
V
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
f
T
C
ob
条件
I
C
= 1
妈，我
B
=
0
I
E
= 10 A,
I
C
=
0
V
CB
= 10
V，I
E
=
0
V
EB
= 5
V，I
C
=
0
V
CE
= 2
V，I
C
= 2
A
I
C
= 3
A，I
B
=
0.1 A
V
CB
= 6
V，I
E
=
50毫安，女
=
200兆赫
V
CB
= 20
V，I
E
=
0, f
=
1兆赫
120
85
90
民
20
7
100
100
625
1
典型值
最大
单位
V
V
nA
nA
V
兆赫
pF
注） 1.测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法晶体管。
2. * 1 ：脉冲测量
* 2 ：等级分类
秩
h
FE
P
90 135
Q
120 205
R
180 625
注）括号中的部分数字表示以往的零件号。
出版日期： 2003年1月
SJC00061BED
(3.2)
1
请求您的特别关注和注意事项使用的技术信息
并在此材料中描述的半导体
（ 1）出口许可证需要从日本政府主管部门获得的
如果在此材料的任何产品或技术的描述和控制下"Foreign
外汇及外贸Law"是要出口或带出日本。
（ 2 ）在本材料中描述的技术信息仅限于展示代表characteris-
抽搐和产品的应用电路示例。它既不保证不侵权的好知识
识产权权利或本公司或第三方，也不授予任何许可拥有的任何其他权利。
（ 3 ）我们不为权利所产生出使用的第三方拥有的侵权责任
产品或如在本材料中描述的技术。
（4）在此材料中描述的产品旨在被用于标准的应用程序或一般
电子设备（如办公设备，通讯设备，测量仪器
ments和家用电器） 。
提前为下列应用程序的信息，请咨询我们的销售人员：
特殊应用（例如用于飞机，航天，汽车，交通控制设备，
燃烧设备，生命支持系统和安全装置），其中卓越的品质和
可靠性是必需的，或者如果产品的失效或故障可能直接危及生命或
对人体的危害。
任何应用程序比预期的标准应用程序等。
（ 5 ）在本材料中描述的产品和产品规格如有变更，恕不
通知进行修改和/或改进。在您的设计，采购，或使用的最后阶段
的产品，因此，要求的最先进的最新产品标准提前，以确保
最新的规格满足您的要求。
（ 6 ）在设计你的装备，符合保障的价值，特别是对马克西 -
妈妈等级，工作电源电压的范围内，和热辐射特性。其它 -
明智的，我们不会为可能在你的设备后出现的任何缺陷承担责任。
即使产品的保证值范围内使用，考虑到审议
分解，失效模式，可能的发病发生于半导体产品。措施
在系统上，如冗余设计，火势蔓延或预防干扰的
建议为了防止物理损伤，火灾，社会的损害，例如，通过使用
产品。
（7 ）在使用的量防潮包装是必需的产品，观察的条件（包括
保质期的时间，让站在非密封件）同意在规格表后，
单独交流。
（ 8 ）该材料可不能转载或复制全部或部分，未经事先书面
松下电器产业株式会社许可
2002年七月
晶体管
P
C
- TA
1.2
–6
Ta=25C
I
B
=–40mA
1.0
–5
–35mA
–30mA
–25mA
–4
–20mA
–15mA
–10mA
–2
–5mA
–1
–1mA
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0
0
–2
–4
–6
–8
–10
–12
0
0
– 0.4
– 0.8
–10
2SB873
I
C
— V
CE
–12
V
CE
=–2V
25C
I
C
— V
BE
集电极耗散功率P
C
(W)
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
Ta=75C
–8
–25C
0.8
0.6
–3
–6
0.4
–4
0.2
–2
–1.2
–1.6
–2.0
环境温度Ta （C ）
集电极到发射极电压V
CE
(V)
基极至发射极电压V
BE
(V)
V
CE （ SAT ）
— I
C
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
–100
–30
–10
–3
–1
Ta=75C
25C
–25C
I
C
/I
B
=30
600
h
FE
— I
C
240
V
CE
=–2V
Ta=75C
500
25C
f
T
— I
E
V
CB
=–6V
Ta=25C
正向电流传输比H
FE
过渡频率f
T
（兆赫）
–1
–3
–10
200
400
160
300
–25C
120
– 0.3
– 0.1
– 0.03
200
80
100
40
– 0.01
– 0.01 – 0.03 – 0.1 – 0.3
–1
–3
–10
0
– 0.01 – 0.03 – 0.1 – 0.3
0
1
3
10
30
100
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
发射极电流I
E
（MA ）
C
ob
— V
CB
200
–100
I
E
=0
f=1MHz
Ta=25C
–30
安全操作区（ ASO ）
单脉冲
Ta=25C
集电极输出电容C
ob
（PF ）
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
–1
集电极电流I
C
(A)
–10
–3
–1
I
CP
I
C
t=1s
t=10ms
– 0.3
– 0.1
– 0.03
– 0.01
– 0.1 – 0.3
–3
–10
–30
–100
–1
–3
–10
–30
–100
集电极基极电压V
CB
(V)
集电极到发射极电压V
CE
(V)
2
QQ：2880707522 复制
