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SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
描述
·采用TO-3封装
·低集电极饱和电压
·高直流电流增益
应用
·专为音频放大器
开关电路的应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
描述
2N6326 2N6327 2N6328
F
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
绝对最大额定值（Ta =
)
符号
参数
2N6326
V
CBO
集电极 - 基极电压
2N6327
2N6328
2N6326
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
2N6327
2N6328
V
EBO
I
C
I
B
P
D
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25
集电极开路
开基
发射极开路
条件
价值
60
80
100
60
80
100
5
30
7.5
200
200
-65~200
V
A
A
W
V
V
单位
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
价值
0.875
单位
/W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
2N6326
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极
维持电压
2N6327
2N6328
V
CESAT
V
BESAT
V
BE
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基射极电压上
2N6326
I
CBO
集电极截止电流
2N6327
2N6328
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
I
C
= 15A ;我
B
=1.5A
I
C
= 15A ;我
B
=1.5A
I
C
= 8A ; V
CE
=4V
V
CB
= 60V ;我
E
=0
T
C
=150
V
CB
= 80V ;我
E
=0
T
C
=150
V
CB
= 100V ;我
E
=0
T
C
=150
V
EB
= 4V ;我
C
=0
I
C
= 8A ; V
CE
=4V
I
C
= 30A ; V
CE
=4V
I
C
= 0.2 A;我
B
=0
2N6326 2N6327 2N6328
符号
条件
民
60
80
100
典型值。
最大
单位
V
1.2
1.5
1.5
1.0
5.0
1.0
5.0
1.0
5.0
1.0
25
6
3
30
V
V
V
mA
mA
I
C
= 1A ; V
CE
=10V;f=1.0MHz
兆赫
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2N6326 2N6327 2N6328
图2外形尺寸（ unindicated公差：为±0.1mm ）
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
描述
·带
TO- 3封装
ULOW
集电极饱和电压
高
直流电流增益
应用
·设计
音频放大器
开关电路的应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
描述
2N6326 2N6327 2N6328
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
绝对最大额定值（Ta =
℃)
符号
固电
IN
导½
半
参数
2N6326
2N6327
发射极开路
2N6328
2N6326
2N6327
条件
V
CBO
集电极 - 基极电压
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
ES
昂
CH
2N6328
MIC
E
ND
O
OR
UCT
价值
60
80
100
60
80
100
单位
V
开基
V
V
EBO
I
C
I
B
P
D
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
总功耗
结温
储存温度
集电极开路
5
30
7.5
V
A
A
W
℃
℃
T
C
=25℃
200
200
-65~200
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
价值
0.875
单位
℃/W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
2N6326 2N6327 2N6328
条件
民
典型值。
最大
单位
2N6326
集电极 - 发射极
维持电压
60
V
CEO （ SUS ）
2N6327
I
C
= 0.2 A;我
B
=0
80
V
2N6328
100
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 15A ;我
B
=1.5A
1.2
V
V
BESAT
基射极饱和电压
I
C
= 15A ;我
B
=1.5A
1.5
V
V
BE
基射极电压上
I
C
= 8A ; V
CE
=4V
V
CB
= 60V ;我
E
=0
T
C
=150℃
V
CB
= 80V ;我
E
=0
T
C
=150℃
V
CB
= 100V ;我
E
=0
T
C
=150℃
V
EB
= 4V ;我
C
=0
1.5
1.0
5.0
V
I
CBO
电半
固
IN
集电极截止电流
导½
2N6326
2N6327
2N6328
I
EBO
发射极截止电流
h
FE-1
直流电流增益
ES
昂
CH
ND
ICO
EM
OR
UCT
1.0
5.0
1.0
5.0
1.0
mA
mA
I
C
= 8A ; V
CE
=4V
25
h
FE-2
直流电流增益
I
C
= 30A ; V
CE
=4V
6
30
f
T
跃迁频率
I
C
= 1A ; V
CE
=10V;f=1.0MHz
3
兆赫
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2N6326 2N6327 2N6328
固电
IN
导½
半
ES
昂
CH
ND
ICO
EM
OR
UCT
图2外形尺寸（ unindicated公差：为±0.1mm ）
3
JMnic
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
描述
·带
TO- 3封装
ULOW
集电极饱和电压
高
直流电流增益
应用
·设计
音频放大器
开关电路的应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
描述
2N6326 2N6327 2N6328
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
绝对最大额定值（Ta =
℃)
符号
参数
2N6326
V
CBO
集电极 - 基极电压
2N6327
2N6328
2N6326
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
2N6327
2N6328
V
EBO
I
C
I
B
P
D
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25℃
集电极开路
开基
发射极开路
条件
价值
60
80
100
60
80
100
5
30
7.5
200
200
-65~200
V
A
A
W
℃
℃
V
V
单位
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
价值
0.875
单位
℃/W
JMnic
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
2N6326 2N6327 2N6328
条件
民
典型值。
最大
单位
2N6326
集电极 - 发射极
维持电压
60
V
CEO （ SUS ）
2N6327
I
C
= 0.2 A;我
B
=0
80
V
2N6328
100
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 15A ;我
B
=1.5A
1.2
V
V
BESAT
基射极饱和电压
I
C
= 15A ;我
B
=1.5A
1.5
V
V
BE
基射极电压上
I
C
= 8A ; V
CE
=4V
V
CB
= 60V ;我
E
=0
T
C
=150℃
V
CB
= 80V ;我
E
=0
T
C
=150℃
V
CB
= 100V ;我
E
=0
T
C
=150℃
V
EB
= 4V ;我
C
=0
1.5
1.0
5.0
1.0
5.0
1.0
5.0
1.0
V
2N6326
I
CBO
集电极截止电流
2N6327
mA
2N6328
I
EBO
发射极截止电流
mA
h
FE-1
直流电流增益
I
C
= 8A ; V
CE
=4V
25
h
FE-2
直流电流增益
I
C
= 30A ; V
CE
=4V
6
30
f
T
跃迁频率
I
C
= 1A ; V
CE
=10V;f=1.0MHz
3
兆赫
2
JMnic
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2N6326 2N6327 2N6328
图2外形尺寸（ unindicated公差：为±0.1mm ）
3
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INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
描述
·带
TO- 3封装
ULOW
集电极饱和电压
高
直流电流增益
应用
·设计
音频放大器
开关电路的应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
描述
2N6326 2N6327 2N6328
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
绝对最大额定值（Ta =
℃)
符号
参数
2N6326
V
CBO
集电极 - 基极电压
2N6327
2N6328
2N6326
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
2N6327
2N6328
V
EBO
I
C
I
B
P
D
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j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25℃
集电极开路
开基
发射极开路
条件
价值
60
80
100
60
80
100
5
30
7.5
200
200
-65~200
V
A
A
W
℃
℃
V
V
单位
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
价值
0.875
单位
℃/W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
2N6326 2N6327 2N6328
条件
民
典型值。
最大
单位
2N6326
集电极 - 发射极
维持电压
60
V
CEO （ SUS ）
2N6327
I
C
= 0.2 A;我
B
=0
80
V
2N6328
100
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 15A ;我
B
=1.5A
1.2
V
V
BESAT
基射极饱和电压
I
C
= 15A ;我
B
=1.5A
1.5
V
V
BE
基射极电压上
I
C
= 8A ; V
CE
=4V
V
CB
= 60V ;我
E
=0
T
C
=150℃
V
CB
= 80V ;我
E
=0
T
C
=150℃
V
CB
= 100V ;我
E
=0
T
C
=150℃
V
EB
= 4V ;我
C
=0
1.5
1.0
5.0
1.0
5.0
1.0
5.0
1.0
V
2N6326
I
CBO
集电极截止电流
2N6327
mA
2N6328
I
EBO
发射极截止电流
mA
h
FE-1
直流电流增益
I
C
= 8A ; V
CE
=4V
25
h
FE-2
直流电流增益
I
C
= 30A ; V
CE
=4V
6
30
f
T
跃迁频率
I
C
= 1A ; V
CE
=10V;f=1.0MHz
3
兆赫
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2N6326 2N6327 2N6328
图2外形尺寸（ unindicated公差：为±0.1mm ）
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2SB1605
2-282822-2
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2SK3745LS-1E
22-15-3173
2SB716A
2SC5618FB
253A103C50NA
23C002G
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2SD1863
2N5730
2SA1323B
26001-0603
20020316-G141B01LF
2SK3933-01SJ
263284
供货商
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封装
单价/备注
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    2N6327
    -
    -
    -
    -
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