2N6071A / B系列
首选设备
敏感的双向可控硅门
硅双向晶闸管
主要设计用于全波交流控制应用中，如
调光器，马达控制，加热控制和电源;或
只要全波硅栅极控制固态器件
需要的。三端双向可控硅类型晶闸管从阻断切换到导通
国家对任一极性施加阳极电压与正向或
负门极触发。
特点
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双向可控硅
4.0 RMS ， 200 - 600 V
敏感的触发门独特的兼容直接耦合
为TTL ， HTL ， CMOS和运算放大器集成电路
逻辑功能
门极触发： 4模式 - 2N6071A ，B ; 2N6073A ，B ; 2N6075A ，B
阻断电压为600 V
所有的扩散和玻璃钝化结大中华区参数
均匀性和稳定性
体积小，坚固耐用， Thermopad建设低热
性，高散热性和耐用性
器件标识：设备类型，例如， 2N6071A ，日期代码
MT2
G
MT1
后视图
SHOW TAB
3
TO225
CASE 077
风格5
2 1
标记图
YWW
2N
607xyG
= 1, 3, 5
= A，B
=年
=工作周
= Pb-Free包装
1.阴极
2.阳极
3.门
x
y
Y
WW
G
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第7页。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年4月 - 启示录7
出版订单号：
2N6071/D
2N6071A / B系列
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
*重复峰值断态电压（注1 ）
(T
J
=
*40
至110℃ ，正弦波， 50到60赫兹，门打开）
2N6071A,B
2N6073A,B
2N6075A,B
*开启状态RMS电流（T
C
= 85°C ），完整周期正弦波50到60赫兹
*峰值不重复浪涌电流（一个完整周期， 60赫兹，T
J
= +110°C)
电路熔断思考（ T = 8.3毫秒）
*峰值功率门控（脉冲宽度
≤
1.0
女士，
T
C
= 85°C)
*平均栅极电源（ T = 8.3毫秒，T
C
= 85°C)
*峰值栅极电压（脉冲宽度
≤
1.0
女士，
T
C
= 85°C)
*工作结温范围
*存储温度范围
安装扭矩（ 6-32螺丝） （注2 ）
符号
V
DRM ，
V
RRM
200
400
600
I
T（ RMS ）
I
TSM
I
2
t
P
GM
P
G（ AV ）
V
GM
T
J
T
英镑
4.0
30
3.7
10
0.5
5.0
-40到+110
-40到+150
8.0
A
A
A
2
s
W
W
V
°C
°C
英寸磅。
价值
单位
V
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
1. V
DRM
和V
RRM
对于所有类型的可以在一个连续的基础上被应用。阻断电压不得用恒定电流源，例如测试
该器件的电压额定值被超过。
2.额定扭矩适用与使用的压缩垫圈。安装扭矩超过6英寸英镑不会明显降低的情况下对信宿热
性。主终端2和散热片接触垫是常见的。
热特性
特征
*热阻，结到外壳
热阻，结到环境
最大的铅焊接温度的目的1/8“案件从10秒
*表示JEDEC注册的数据。
符号
R
QJC
R
qJA
T
L
最大
3.5
75
260
单位
° C / W
° C / W
°C
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2
2N6071A / B系列
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明; ELECTRICALS应用在两个方向上）
特征
开关特性
*重复峰值电流阻断
(V
D
=额定V
DRM
, V
RRM ;
门打开）
基本特征
*峰值通态电压（注3 ） （我
TM
=
"6.0
A峰值）
*门极触发电压（连续DC ） ，所有象限
（主候机楼电压= 12伏，R
L
= 100
W,
T
J
= 40°C)
门非触发电压，所有象限
（主候机楼电压= 12伏，R
L
= 100
W,
T
J
= 110°C)
*保持电流
（主候机楼电压= 12 VDC，门打开，启动电流=
"1
ADC）
T
J
= 40°C
T
J
= 25°C
开启时间（我
TM
= 14个ADC ，我
GT
= 100 MADC ）
V
TM
V
GT
V
GD
0.2
I
H
t
gt
1.5
30
15
ms
mA
1.4
2.5
V
2
V
V
T
J
= 25°C
T
J
= 110°C
I
DRM ，
I
RRM
10
2
mA
mA
符号
民
典型值
最大
单位
象限
（最大值）
TYPE
门极触发电流（连续直流）
（主候机楼电压= 12伏，R
L
= 100
W)
2N6071A
2N6073A
2N6075A
2N6071B
2N6073B
2N6075B
动态特性
换相电压临界上升率
@ V
DRM
, T
J
= 85°C ，门打开，我
TM
= 5.7 A，指数波形，
整流的di / dt = 2.0 A / MS
3.脉冲测试：脉冲宽度
≤
2.0毫秒，占空比
≤
2%.
*表示JEDEC注册的数据。
dv / dt的（C ）
5
V / ms的
I
GT
@
T
J
+25°C
40°C
+25°C
40°C
I
mA
5
20
3
15
II
mA
5
20
3
15
III
mA
5
20
3
15
IV
mA
10
30
5
20
示例应用程序：
TTL -敏感GATE 4安培TRIAC
触发模式II及III
14
MC7400
4
7
V
EE
= 5.0 V
+
510
W
2N6071A
负载
115伏交流
60赫兹
0V
V
EE
触发装置被推荐用于浇注的双向晶闸管。它们提供：
1.一致预测的开启点。
2.简化电路。
3.快速的导通时间为冷却器，更有效和可靠的操作。
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3
2N6071A / B系列
双向晶闸管电压电流特性
（双向设备）
+电流
1象限
MainTerminal 2 +
符号
V
DRM
I
DRM
V
RRM
I
RRM
V
TM
I
H
参数
重复峰值正向关闭状态电压
峰值正向阻断电流
反向重复峰值断态电压
峰值反向电流阻断
最大通态电压
保持电流
象限3
MainTerminal 2 -
I
H
V
TM
I
RRM
在V
RRM
在国家
I
H
V
TM
关国
+电压
I
DRM
在V
DRM
象限定义的三端双向可控硅
MT2正
（正半周）
+
（+）， MT2
（+）， MT2
第二象限
() I
GT
门
MT1
REF
(+) I
GT
门
MT1
REF
我象限
I
GT
（ - ） MT2
（ - ） MT2
+ I
GT
第三象限
() I
GT
门
MT1
REF
(+) I
GT
门
MT1
REF
第四象限
MT2负
（负半周）
所有极性引用给MT1 。
与同相的信号（使用标准的AC线）象限I和III被使用。
敏感门逻辑参考
IC逻辑功能
TTL
HTL
CMOS （ NAND ）
CMOS （缓冲液）
运算放大器连接器
零电压开关
2N6071A系列
2N6071A系列
2N6071A系列
2N6071B系列
2N6071B系列
2N6071B系列
2N6071A系列
射击象限
I
II
2N6071A系列
2N6071A系列
III
2N6071A系列
2N6071A系列
IV
2N6071B系列
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4
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