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2N5908
低噪声，低漂移
单片双
N沟道JFET
的2N5908是一个高性能的单片双
JFET具有严格匹配，低漂移
温度规格，是针对在使用
广泛的精密仪器仪表应用
其中，紧跟踪是必须的。
所述密封TO -78封装，非常适合
高新可靠性和恶劣环境下的应用。
（见包装信息） 。
特点是什么？
低漂移
超低漏电
LOW夹断
绝对最大额定值
@25°C(unlessotherwisenoted)
|V
GS1‐2
/T|=5V/°CTYP.
I
G
=150fATYP.
V
p
=2VTYP.
2N5908优点：
严密跟踪
良好的匹配
超低漏电
低漂移
最高温度
储存温度
‐65°Cto+150°C
工作结温
+150°C
MaximumVoltageandCurrentforEachTransistor–Note1
‐V
GSS
栅极电压漏极或源极
40V
‐V
DSO
漏源极电压
40V
‐I
G（ F）
门正向电流
10mA
‐I
G
门反向电流
10A
最大功率耗散
DeviceDissipation@FreeAir–Total40mW@+125°C
MATCHINGCHARACTERISTICS@25°CUNLESSOTHERWISENOTED
SYMBOL
特征值单位条件
|V
GS1‐2
/ T | MAX 。
漂移VS.
20
μV/°C V
DG
=10V,I
D
=30A
温度是多少？
T
A
=‐55°Cto+125°C
|V
GS1‐2
|最大。
失调电压
10
mV
V
DG
=10V,I
D
=30A
（典型值） *
60
‐‐
300
100
1
400
2
2
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
1
‐‐
0.1
0.01
90
90
‐‐
20
‐‐
‐‐
‐‐
马克斯。
‐‐
‐‐
500
200
5
1000
5
4.5
4
1
1
2
5
‐‐
5
0.1
0.1
‐‐
‐‐
1
70
3
1.5
0.1
单位“
V
V
μmho
μmho
%
A
%
V
V
pA
nA
pA
nA
pA
μmho
条件“
V
DS
=0I
D
=1nA
I
G
=1nAI
D
=0I
S
=0
V
DG
=10VV
GS
=0Vf=1kHz
V
DG
=10VI
D
=30Af=1kHz
V
DG
=10VV
GS
=0V
V
DS
=10VI
D
=1nA
V
DS
=10VI
D
=30A
V
DG
=10VI
D
=30A
T
A
=+125°C
V
DS
=0VV
GS
=20V
T
A
=+125°C
V
GG
=20V
V
DG
=10VV
GS
=0V
V
DG
=10VI
D
=30A
V
DS
=10to20VI
D
=30A
V
DS
=5to10VI
D
=30A
V
DS
=10VV
GS
=0VR
G
=10MΩ
f=100HzNBW=6Hz
V
DG
=10VI
D
=30Af=10HzNBW=1Hz
V
DS
=10VV
GS
=0Vf=1MHz
V
DG
=20VI
D
=30A
ELECTRICALCHARACTERISTICS@25°C(unlessotherwisenoted)
SYMBOL
特色」
分钟。
BV
GSS
击穿电压
40
BV
GGO
栅栅击穿
40
跨
Y
FSS
全导
70
Y
fS
典型的操作
50
|Y
FS1‐2
/Y
FS
|
不匹配
‐‐
漏电流
I
DSS
全导
60
|I
DSS1‐2
/I
DSS
|
错配的全导
‐‐
栅极电压
V
GS
（关闭）或V
p
夹断电压
0.6
V
GS
（上）
工作范围
‐‐
栅极电流
‐I
G
马克斯。
经营？
‐‐
‐I
G
马克斯。
高温
‐‐
‐I
GSS
马克斯。
在全导通
‐‐
‐I
GSS
马克斯。
高温
‐‐
I
GGO
栅极到栅极漏
‐‐
输出电导
Y
OSS
全导
‐‐
Y
OS
经营？
‐‐
|Y
OS1‐2
|
微分
‐‐
共模抑制
CMR刀
‐20log|V
GS1‐2
/V
DS
|
‐‐
CMR刀
‐20log|V
GS1‐2
/V
DS
|
‐‐
NOISE
NF
身材
‐‐
e
n
电压是多少？
‐‐
Capacitance
C
国际空间站
输入 -
‐‐
C
RSS
反向传输
‐‐
C
DD
漏漏
‐‐
点击购买
dB
dB
内华达州/ √Hz的
pF
注1 - 这些额定值的限制值高于其中任何半导体的适用性可能受到损害
TO- 78 （底视图）
Micross组件欧洲
可用的软件包：
2N5908的TO- 78
2N5908可用裸片
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Micross
全包和模具尺寸
电话：+44 1603 788967
电子邮件：
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第三方可能导致其使用的其他权利。没有获发牌照以暗示或以其他方式线性集成系统中的任何专利或专利权。
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