【INCHANGE半导体产品speci fi cation硅PNP功率晶体管2N5883 2N5884】,IC型号2N5883,2N5883 PDF资料,2N5883经销商,ic,电子元器件-51电子网

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

2N5883 2N5884

描述

·带

TO- 3封装

.Complement

键入2N5885 2N5886

高

功率耗散

应用

·他们

拟用于电力线的使用

和切换应用程序

钉扎

针

1

2

3

BASE

辐射源

集热器

Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号

描述

绝对最大额定值（Ta =

℃)

符号

V

CBO

固电

IN

导½

半

参数

条件

2N5883

集电极 - 基极电压

2N5884

发射极开路

V

首席执行官

集电极 - 发射极电压

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

P

D

T

j

T

英镑

发射极 - 基极电压

集电极电流

ES

昂

CH

2N5883

2N5884

开基

ICO

EM

OR

UCT

ND

价值

-60

-80

-60

-80

-5

-25

-50

-7.5

单位

V

集电极开路

V

A

W

℃

集电极电流峰值

基极电流

总功耗

结温

储存温度

T

C

=25℃

200

-65~200

热特性

符号

R

第j个-C

参数

热阻结到外壳

价值

0.875

单位

℃/W

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

2N5883 2N5884

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

参数

2N5883

I

C

= -0.2A ;我

B

=0

2N5884

I

C

= -15A ;我

B

=-1.5A

I

C

= -25A ，我

B

=-6.25A

I

C

= -25A ，我

B

=-6.25A

I

C

= -10A ; V

CE

=-4V

V

CB

= RatedV

CBO

; I

B

=0

2N5883

I

首席执行官

集电极截止电流

V

CE

= -30V ;我

B

=0

-2

V

CE

= -40V ;我

B

=0

V

CE

= RatedV

首席执行官

;

mA

-80

-1

-4

-2.5

-1.5

-1

V

mA

条件

民

-60

V

典型值。

最大

单位

V

CEO （ SUS ）

集电极 - 发射极

维持电压

V

CEsat-1

V

CEsat-2

V

BESAT

V

BE

I

CBO

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

基射极电压上

集电极截止电流

I

CEV

固电

IN

集电极截止电流

(V

BE （OFF）的

=1.5V)

导½

半

2N5884

V

CE

= RatedV

首席执行官

; T

C

=150℃

V

EB

= -5V ;我

C

=0

I

EBO

h

FE-1

h

FE-2

h

FE-3

f

T

C

cb

发射极截止电流

直流电流增益

ES

昂

CH

I

C

= -3A ; V

CE

=-V

MIC

E

ND

O

35

20

4

OR

UCT

-1

-10

-1

100

mA

I

C

= -10A ; V

CE

=-4V

I

C

= -25A ; V

CE

=-4V

Trainsistion频率

集电极电容基地

I

C

= -1A ; V

CE

=-10V;f=1MHz

I

E

=0; V

CB

=-10V;f=1MHz

兆赫

500

pF

开关时间

t

r

t

s

t

f

上升时间

贮存时间

下降时间

I

C

= -10A ，我

B1

=- I

B2

=-1A

V

CC

=-30V

0.7

1.0

0.8

μs

2

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

包装外形

2N5883 2N5884

固电

IN

导½

半

ES

昂

CH

ND

ICO

EM

OR

UCT

图2外形尺寸（ unindicated公差： ± 0.10mm）的

3

2N5883 ， 2N5884 （ PNP ）

2N5885 ， 2N5886 （ NPN ）

2N5884和2N5886的首选设备

其他芯片

大功率晶体管

互补硅大功率晶体管被设计为

通用功率放大器和开关应用。

特点

http://onsemi.com

低集电极 - 发射极饱和电压 -

V

CE （ SAT ）

= 1.0伏，（最大值），在我

C

= 15 ADC

低漏电流

I

CEX

= 1.0 MADC （最大）额定电压

出色的直流电流增益 -

h

FE

= 20 （分钟），在我

C

= 10位ADC

高电流增益带宽积 -

f

t

= 4.0兆赫（分钟），在我

C

= 1.0 ADC

无铅包可用*

25安培互补

硅功率晶体管

60 - 80伏， 200瓦

最大额定值

（注1 ）

等级

TO- 204AA （TO- 3）

案例1-07

风格1

符号

V

首席执行官

价值

60

80

60

80

单位

VDC

集电极 - 发射极电压

2N5883, 2N5885

2N5884, 2N5886

集电极 - 基极电压

2N5883, 2N5885

2N5884, 2N5886

V

CB

VDC

发射极 - 基极电压

集电极电流 -

连续

PEAK

基极电流

V

EB

I

C

5.0

25

50

VDC

ADC

I

B

7.5

ADC

器件总功耗@ T

C

= 25°C

减免上述25℃

工作和存储结

温度范围

P

D

200

1.15

W

W / ℃，

°C

T

J

, T

英镑

- 65至+ 200

标记图

2N588xG

Ayyww

MEX

2N588x

G

A

YY

WW

MEX

热特性

特征

符号

q

JC

最大

单位

=器件代码

X = 3 ，4，5 ，或6个

= Pb-Free包装

=大会地点

=年

=工作周

=原产地

热阻，结到外壳

0.875

° C / W

强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大

额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作

工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力

推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。

1.表示JEDEC注册的数据。单位和条件不同，一些

参数和重新登记反映这些变化已要求。

上述所有值最大或超过目前JEDEC注册的数据。

订购信息

请参阅包装详细的订购和发货信息

尺寸部分本数据手册的第5页上。

首选

装置被推荐用于将来使用的选择

和最佳的整体价值。

*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请

下载安森美半导体焊接与安装技术

参考手册， SOLDERRM / D 。

半导体元件工业有限责任公司， 2006年

1

2006年3月 - 11牧师

出版订单号：

2N5883/D

PD ，功耗（瓦）

2.表示JEDEC注册的数据。

3.脉冲测试：脉冲宽度

v

300

女士，

占空比

v

2.0%.

4. f

T

= |h

fe

|

f

TEST

.

开关特性

动态特性

基本特征

电气特性

（注2）（T

C

= 25 ° C除非另有说明）

下降时间

贮存时间

上升时间

小信号电流增益（I

C

= 3.0 ADC ，V

CE

= 4.0伏，女

TEST

= 1.0千赫）

输出电容

(V

CB

= 10 VDC ，我

E

= 0中，f = 1.0 MHz）的

电流增益 - 带宽积（注4 ）

基射极电压上（注3 ）

基射极饱和电压（注3 ）

集电极 - 发射极饱和电压（注3 ）

(I

C

= 15 ADC ，我

B

= 1.5 ADC）

(I

C

= 25个ADC ，我

B

= 6.25 ADC）

DC电流增益（注3）

(I

C

= 3.0 ADC ，V

CE

= 4.0伏）

(I

C

= 10位ADC ，V

CE

= 4.0伏）

(I

C

= 25个ADC ，V

CE

= 4.0伏）

发射极截止电流（V

EB

= 5.0伏，我

C

= 0)

收藏家Cuto FF电流

(V

CB

= 60 VDC ，我

E

= 0)

(V

CB

= 80伏直流，我

E

= 0)

收藏家Cuto FF电流

(V

CE

= 60 VDC ，V

BE （OFF）的

= 1.5伏）

(V

CE

= 80伏，V

BE （OFF）的

= 1.5伏）

(V

CE

= 60 VDC ，V

BE （OFF）的

= 1.5伏，T

C

= 150°C)

(V

CE

= 80伏，V

BE （OFF）的

= 1.5伏，T

C

= 150°C)

收藏家Cuto FF电流

(V

CE

= 30伏直流电，我

B

= 0)

(V

CE

= 40 VDC ，我

B

= 0)

集电极 - 发射极耐受电压（注3 ）

(I

C

= 200 MADC ，我

B

= 0)

2N5883 ， 2N5884 （ PNP ） 2N5885 ， 2N5886 （ NPN ）

(I

C

= 10位ADC ，V

CE

= 4.0伏）

100

125

150

175

200

特征

25

50

75

0

(V

CC

= 30伏直流电，我

C

= 10位ADC ，我

B1

= I

B2

= 1.0 ADC）

(I

C

= 25个ADC ，我

B

= 6.25 ADC）

(I

C

= 1.0 ADC ，V

CE

= 10 VDC ，女

TEST

= 1.0兆赫）

25

50

75

100

125

150

T

C

，外壳温度（ ° C）

图1.功率降额

http://onsemi.com

2N5883, 2N5885

2N5884, 2N5886

2N5883, 2N5885

2N5884, 2N5886

2N5883, 2N5884

2N5885, 2N5886

2N5883, 2N5885

2N5884, 2N5886

2N5883, 2N5885

2N5984, 2N5886

2N5883, 2N5885

2N5884, 2N5886

175

V

CEO （ SUS ）

符号

V

CE （ SAT ）

V

BE （ SAT ）

V

BE（上）

I

CBO

I

首席执行官

I

EBO

I

CEX

C

ob

h

FE

200

h

fe

f

T

t

s

t

r

t

f

民

4.0

35

20

4.0

20

60

80

1000

500

最大

100

0.8

1.0

0.7

1.5

2.5

1.0

4.0

1.0

10

2.0

MADC

兆赫

单位

VDC

pF

ms

2

2N5883 ， 2N5884 （ PNP ） 2N5885 ， 2N5886 （ NPN ）

V

CC

30 V

3.0

TO SCOPE

t

r

≤

20纳秒

开启时间

R

L

+2.0 V

0

t

r

≤

20纳秒

11 V

10至100

ms

T， TIME （

μ

s)

占空比

≈

2.0%

V

CC

R

L

+9.0 V

0

R

B

11 V

t

r

≤

20纳秒

10至100

ms

10

30 V

3.0

TO SCOPE

t

r

≤

20纳秒

10

R

B

2.0

1.0

0.7

0.5

0.3

0.2

0.1

0.07

0.05

0.03

0.02

0.3

2N5883 ， 2N5884 （ PNP ）

2N5885 ， 2N5886 （ NPN ）

t

r

T

J

= 25°C

I

C

/I

B

= 10

V

CC

= 30 V

V

BE （OFF）的

= 2 V

关断时间

t

d

V

BB

+7.0 V

占空比

≈

2.0%

针对图曲线3 & 6，R

B

＆放大器;

L

是多种多样的。

输入电平大致如图所示。

适用于NPN ，翻转所有的极性。

0.5 0.7 1.0

2.0 3.0

5.0 7.0 10

I

C

，集电极电流（安培）

20

30

图3.开启时间

图2.开关时间等效测试电路

1.0

R（T ），有效瞬态热

电阻（标准化）

0.5

D = 0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

单脉冲

P

（ PK）

q

JC

（吨） = R （t）的

q

JC

q

JC

= 0.875 ° C / W MAX

D曲线任选一功率

脉冲序列如图

t

1

读取时间AT＆T

1

t

2

T

J（下PK）

T

C

= P

（ PK）

q

JC

(t)

占空比D = T

1

/t

2

0.05

0.02

0.01

0.02

0.05

0.1

0.2

0.5

1.0

2.0

5.0

10

吨，时间（ ms）的

20

50

100

200

500

1000

2000

图4.热响应

100

50

20

10

dc

1毫秒

5毫秒

500

ms

5.0

2.0

1.0

0.5

0.2

0.1

1.0

T

J

= 200°C

二次击穿有限公司

键合丝有限公司

散热的限制， @ T

C

= 25°C

（单脉冲）

曲线适用于低于额定V

首席执行官

2N5883, 2N5885

2N5884, 2N5886

2.0 3.0

5.0 7.0 10

20 30

50 70

V

CE

，集电极 - 发射极电压（伏）

100

有对的功率处理能力两方面的局限性

晶体管：平均结温及第二

击穿。安全工作区曲线表明我

C

V

CE

晶体管必须可靠地观察到极限

操作;即，晶体管不能承受较大的

功耗比曲线表示。

图5的数据是基于T

J（下PK）

= 200_C ;牛逼

C

is

可变根据条件。其次，脉细数

限制是有效的占空比来假定T 10 ％

J（下PK）

v

200℃。牛逼

J（下PK）

可以从在数据计算

图4.在高温情况下，热限制将

减少可处理到的值小于所述的功率

通过限制二次击穿的罚款。

IC ，集电极电流（安培）

图5.活动区安全工作区

http://onsemi.com

3

2N5883 ， 2N5884 （ PNP ） 2N5885 ， 2N5886 （ NPN ）

10

7.0

5.0

3.0

T， TIME （

μ

s)

2.0

1.0

0.7

0.5

0.3

0.2

0.1

0.3

0.5 0.7

t

f

t

s

3000

2N5883 ， 2N5884 （ PNP ）

2N5885 ， 2N5886 （ NPN ）

t

s

T

J

= 25°C

V

CC

= 30 V

I

C

/I

B

= 10

I

B1

= I

B2

T

J

= 25°C

2000

C，电容（pF ）

C

ob

C

ib

1000

700

500

2N5883 ， 2N5884 （ PNP ）

2N5885 ， 2N5886 （ NPN ）

20

30

300

0.1

0.2

C

ob

50

100

C

ib

t

f

1.0

2.0 3.0

5.0 7.0 10

I

C

，集电极电流（安培）

0.5

1.0 2.0

5.0

10

20

V

R

，反向电压（伏）

图6.开启，关闭时间

PnP设备

2N5883和2N5884

1000

700

500

的hFE ， DC电流增益

300

200

100

70

50

30

20

10

0.3

0.5 0.7 1.0

2.0

3.0

5.0 7.0

10

20 30

25°C

55

°C

1000

700

500

的hFE ， DC电流增益

300

200

100

70

50

30

20

10

0.3

0.5 0.7

25°C

图7.电容

NPN器件

2N5885和2N5886

T

J

= 150°C

V

CE

= 4.0 V

V

CE

= 4.0 V

T

J

= 150°C

55

°C

1.0

2.0

3.0

5.0 7.0

10

20

30

I

C

，集电极电流（安培）

I

C

，集电极电流（安培）

图8.直流电流增益

图9.直流电流增益

VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）

2.0

T

J

= 25°C

1.6

I

C

= 2.0 A

1.2

5.0 A

10 A

20 A

VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）

2.0

T

J

= 25°C

1.6

I

C

= 2.0 A

5.0 A

10 A

20 A

1.2

0.8

0.4

0

0.01

0.4

0.02

0.05 0.1

0.2

0.5

1.0

I

B

，基极电流（安培）

2.0

5.0

10

0

0.01

0.02

0.05 0.1 0.2

0.5

1.0 2.0

I

B

，集电极电流（安培）

5.0

10

图10.集电极饱和区

图11.集电极饱和区

http://onsemi.com

4

2N5883 ， 2N5884 （ PNP ） 2N5885 ， 2N5886 （ NPN ）

2.0

T

J

= 25°C

1.6

V，电压（V ）

1.6

2.0

T

J

= 25°C

1.2

V

BE （ SAT ）

@ I

C

/I

B

= 10

V

BE

@ V

CE

= 4 V

0.4

V

CE （ SAT ）

@ I

C

/I

B

= 10

0

0.3

0.5 0.7 1.0

2.0 3.0

5.0 7.0

10

20

30

1.2

V

BE （ SAT ）

@ I

C

/I

B

= 10

V

BE

@ V

CE

= 4 V

0.4

V

CE （ SAT ）

@ I

C

/I

B

= 10

0

0.3

0.5 0.7 1.0

2.0 3.0

5.0 7.0

10

20

30

0.8

I

C

，集电极电流（安培）

I

C

，集电极电流（安培）

图12. “开”电压

图13为“ON”电压

订购信息

设备

2N5883

2N5883G

2N5884

2N5884G

2N5885

2N5885G

2N5886

2N5886G

包

TO204

（无铅）

TO204

（无铅）

100单位/托盘

TO204

（无铅）

TO204

（无铅）

航运

http://onsemi.com

5

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

2N5883 2N5884

描述

·采用TO-3封装

·补键入2N5885 2N5886

·高功率耗散

应用

·他们的目的是用于电力线的使用

和切换应用程序

钉扎

针

1

2

3

BASE

辐射源

集热器

Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号

描述

绝对最大额定值（Ta =

)

符号

V

CBO

参数

2N5883

集电极 - 基极电压

2N5884

2N5883

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

P

D

T

j

T

英镑

集电极 - 发射极电压

2N5884

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

基极电流

总功耗

结温

储存温度

T

C

=25

集电极开路

开基

-80

-5

-25

-50

-7.5

200

-65~200

V

A

W

发射极开路

-80

-60

V

条件

价值

-60

V

单位

热特性

符号

R

第j个-C

参数

热阻结到外壳

价值

0.875

单位

/W

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

2N5883 2N5884

特征

Tj=25

除非另有说明

参数

集电极 - 发射极

维持电压

2N5883

I

C

= -0.2A ;我

B

=0

2N5884

I

C

= -15A ;我

B

=-1.5A

I

C

= -25A ，我

B

=-6.25A

I

C

= -25A ，我

B

=-6.25A

I

C

= -10A ; V

CE

=-4V

V

CB

= RatedV

CBO

; I

B

=0

2N5883

I

首席执行官

集电极截止电流

2N5884

集电极截止电流

(V

BE （OFF）的

=1.5V)

发射极截止电流

直流电流增益

Trainsistion频率

集电极电容基地

V

CE

= -40V ;我

B

=0

V

CE

= RatedV

首席执行官

;

V

CE

= RatedV

首席执行官

; T

C

=150

V

EB

= -5V ;我

C

=0

I

C

= -3A ; V

CE

=-V

I

C

= -10A ; V

CE

=-4V

I

C

= -25A ; V

CE

=-4V

I

C

= -1A ; V

CE

=-10V;f=1MHz

I

E

=0; V

CB

=-10V;f=1MHz

35

20

4

500

兆赫

pF

100

-1

mA

-10

-1

mA

V

CE

= -30V ;我

B

=0

-2

mA

-80

-1

-4

-2.5

-1.5

-1

V

mA

条件

民

-60

V

典型值。

最大

单位

符号

V

CEO （ SUS ）

V

CEsat-1

V

CEsat-2

V

BESAT

V

BE

I

CBO

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

基射极电压上

集电极截止电流

I

CEV

I

EBO

h

FE-1

h

FE-2

h

FE-3

f

T

C

cb

开关时间

t

r

t

s

t

f

上升时间

贮存时间

下降时间

I

C

= -10A ，我

B1

=- I

B2

=-1A

V

CC

=-30V

0.7

1.0

0.8

s

2

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

包装外形

2N5883 2N5884

图2外形尺寸（ unindicated公差： ± 0.10mm）的

3

产品speci fi cation

www.jmnic.com

硅PNP功率晶体管

描述

·带

TO- 3封装

.Complement

键入2N5885 2N5886

应用

·他们

拟用于电力线的使用

和切换应用程序

钉扎

针

1

2

3

BASE

辐射源

集热器

描述

2N5883 2N5884

Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号

绝对最大额定值（Ta =

℃)

符号

V

CBO

参数

集电极 - 基

电压

集电极 - 发射极

电压

2N5883

发射极开路

2N5884

2N5883

开基

2N5884

集电极开路

80

5

25

50

7.5

T

C

=25℃

200

-65~200

V

A

W

℃

80

60

V

条件

价值

60

V

单位

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

P

D

T

j

T

英镑

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

基极电流

总功耗

结温

储存温度

热特性

符号

R

第j个-C

参数

热阻结到外壳

价值

0.875

单位

℃/W

JMnic

产品speci fi cation

www.jmnic.com

硅PNP功率晶体管

2N5883 2N5884

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

参数

集电极 - 发射极

维持电压

2N5883

I

C

= 0.2A ;我

B

=0

2N5884

I

C

= 15A ;我

B

=1.5A

I

C

= 25A ;我

B

=6.25A

I

C

= 25A ;我

B

=6.25A

I

C

= 10A ; V

CE

=4V

V

CB

= RatedV

CBO

; I

B

=0

2N5883

I

首席执行官

集电极截止电流

2N5884

集电极截止电流

(V

BE （OFF）的

=1.5V)

发射极截止电流

直流电流增益

Trainsistion频率

集电极电容基地

V

CE

= 40V ;我

B

=0

V

CE

= RatedV

首席执行官

;

V

CE

= RatedV

首席执行官

; T

C

=150℃

V

EB

= 5V ;我

C

=0

I

C

= 3A ; V

CE

=4V

I

C

= 10A ; V

CE

=4V

I

C

= 25A ; V

CE

=4V

I

C

= 1A ; V

CE

=10V;f=1MHz

I

E

=0; V

CB

=10V;f=1MHz

35

20

4

500

兆赫

pF

100

1

mA

10

1

mA

V

CE

= 30V ;我

B

=0

2

mA

80

1

4

2.5

1.5

1

V

mA

条件

民

60

V

典型值。

最大

单位

V

CEO （ SUS ）

V

CEsat-1

V

CEsat-2

V

BESAT

V

BE

I

CBO

集电极 - 发射极饱和电压

基射极电压上

集电极截止电流

I

CEV

I

EBO

h

FE-1

h

FE-2

h

FE-3

f

T

C

CBO

开关时间

t

r

t

s

t

f

上升时间

贮存时间

下降时间

I

C

= 10A ;我

B1

=- I

B2

=1A

V

CC

=30V

0.7

1

0.8

μs

JMnic

产品speci fi cation

www.jmnic.com

硅PNP功率晶体管

包装外形

2N5883 2N5884

图2外形尺寸（ unindicated公差： ± 0.10mm）的

JMnic

硅外延

PNP晶体管

2N5883

高电压，低饱和电压。

密封TO3金属包。

专为功率开关

和线性应用

筛选选项可用

绝对最大额定值

（ TC = 25 ° C除非另有说明）

VCBO

VCEO

VEBO

IC

ICM

IB

PD

TJ

TSTG

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

连续集电极电流

峰值集电极电流

基极电流

TC = 25°C

在总功率耗散

减免上述25℃

结温范围

存储温度范围

-60V

-5V

-25A

-50A

-7.5A

200W

1.14W/°C

-65到+ 200℃

热性能

符号

R

θJC

参数

热阻，结到外壳

马克斯。

0.875

单位

° C / W

Semelab有限公司保留随时更改测试条件，参数限制和封装尺寸，恕不另行通知。

提供的信息Semelab被认为是既准确又可靠，在即将出版的时间。但

Semelab承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。 Semelab鼓励客户

验证数据表是在下订单之前电流。

Semelab有限公司

考文垂路，拉特沃思，莱斯特郡， LE17 4JB

电话：+44（ 0 ） 1455 556565

传真：+44（ 0 ） 1455 552612

电子邮件：

sales@semelab-tt.com

文档编号5981

问题3

第1页3

网址：

http://www.semelab-tt.com

硅外延

PNP晶体管

2N5883

电气特性

（ TC = 25 ° C除非另有说明）

符号

V（ BR ） CEO

ICEV

ICEO

ICBO

IEBO

(1)

参数

集电极 - 发射极

击穿电压

集电极截止电流

发射极截止电流

正向电流传输

比

基射极电压

测试条件

IC = -50mA

VCE = -60V

VBE = 1.5V

TC = 150℃

VCE = -30V

VCB = -60V

VEB = -5V

IC = -3A

IB = 0

IE = 0

IC = 0

VCE = -4V

IB = -1.5A

IB = -6.25A

分钟。

-60

典型值

马克斯。

单位

V

-1.0

-10

-2

-1.0

35

20

4

-1.5

-1.0

-4

-2.5

V

100

mA

的hFE

IC = -10A

IC = -25A

VBE

(1)

IC = -10A

IC = -15A

IC = -25A

VCE （ SAT ）

VBE （ SAT ）

(1)

集电极 - 发射极饱和

电压

基射极饱和

电压

(1)

动态特性

fT

跃迁频率

IC = -1.0A

F = 1.0MHz的

输出电容

上升时间

贮存时间

下降时间

VCC = -30V

IB1 = -IB2 = -1.0A

IC = -10A

VCB = -10V

F = 1.0MHz的

IE = 0

1000

0.7

1.0

0.8

s

pF

VCE = -10V

4

兆赫

科博

tr

ts

tf

笔记

（1 ）脉冲宽度

≤

300us,

δ ≤

2%

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文档编号5981

问题3

分页： 1 2 3

硅外延

PNP晶体管

2N5883

机械数据

尺寸mm （英寸）

25.15 (0.99)

26.67 (1.05)

10.67 (0.42)

11.18 (0.44)

1.52 (0.06)

3.43 (0.135)

6.35 (0.25)

9.15 (0.36)

38.61 (1.52)

39.12 (1.54)

0.97 (0.060)

1.10 (0.043)

29.9 (1.177)

30.4 (1.197)

16.64 (0.655)

17.15 (0.675)

1

2

3

（案例）

3.84 (0.151)

4.09 (0.161)

7.92 (0.312)

12.70 (0.50)

TO3 （ TO- 204AA ）金属封装

仰视图

引脚1 - 基地

引脚2 - 发射极

案例 - 集电极

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问题3

第3页3

22.23

(0.875)

马克斯。

博卡半导体公司

BSC

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A

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A

A

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