摩托罗拉
半导体技术资料
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通过2N5400 / D
放大器晶体管
PNP硅
2N5400
2N5401*
*摩托罗拉的首选设备
集热器
3
2
BASE
1
辐射源
1
2
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
器件总功耗@ TA = 25℃
减免上述25℃
器件总功耗@ TC = 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
符号
VCEO
VCBO
VEBO
IC
PD
PD
TJ ， TSTG
2N5400 2N5401
120
130
5.0
600
625
5.0
1.5
12
- 55 + 150
150
160
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
mW
毫瓦/°C的
瓦
毫瓦/°C的
°C
3
CASE 29-04 ，风格1
TO-92 （TO- 226AA ）
热特性
特征
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
符号
R
q
JA
R
q
JC
最大
200
83.3
单位
° C / W
° C / W
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压（ 1 ）
（ IC = 1.0 MADC ， IB = 0 ）
集电极 - 基极击穿电压
（ IC = 100
m
的adc ，IE = 0）
发射极 - 基极击穿电压
（IE = 10
m
ADC ， IC = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCB = 100伏， IE = 0 ）
（ VCB = 120伏， IE = 0 ）
（ VCB = 100伏， IE = 0 ， TA = 100 ° C）
（ VCB = 120伏， IE = 0 ， TA = 100 ° C）
发射Cuto FF电流
（ VEB = 3.0伏， IC = 0 ）
1.脉冲测试：脉冲宽度= 300
m
S，占空比= 2.0 ％ 。
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
V（ BR ） CEO
2N5400
2N5401
V（ BR ） CBO
2N5400
2N5401
V（ BR ） EBO
ICBO
2N5400
2N5401
2N5400
2N5401
IEBO
—
—
—
—
—
100
50
100
50
50
130
160
5.0
—
—
—
120
150
—
—
VDC
VDC
VDC
NADC
μAdc
NADC
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
摩托罗拉公司1996年
1
2N5400 2N5401
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明） （续）
特征
符号
民
最大
单位
基本特征（ 1 ）
直流电流增益
（ IC = 1.0 MADC ， VCE = 5.0 V直流）
的hFE
2N5400
2N5401
2N5400
2N5401
2N5400
2N5401
VCE （ SAT ）
—
—
VBE （ SAT ）
—
—
1.0
1.0
0.2
0.5
VDC
30
50
40
60
40
50
—
—
180
240
—
—
VDC
—
（ IC = 10 MADC ， VCE = 5.0 V直流）
（ IC = 50 MADC ， VCE = 5.0 V直流）
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = 10 MADC ， IB = 1.0 MADC ）
（ IC = 50 MADC ， IB = 5.0 MADC ）
基地 - 发射极饱和电压
（ IC = 10 MADC ， IB = 1.0 MADC ）
（ IC = 50 MADC ， IB = 5.0 MADC ）
小信号特性
电流 - 增益 - 带宽积
（ IC = 10 MADC ， VCE = 10 VDC ， F = 100兆赫）
输出电容
（ VCB = 10 VDC ， IE = 0 ， F = 1.0兆赫）
小信号电流增益
（ IC = 1.0 MADC ， VCE = 10 VDC ， F = 1.0千赫）
噪声系数
（ IC = 250
μAdc ，
VCE = 5.0伏， RS = 1.0千欧， F = 1.0千赫）
1.脉冲测试：脉冲宽度= 300
m
S，占空比= 2.0 ％ 。
2N5400
2N5401
NF
fT
2N5400
2N5401
科博
的hFE
30
40
—
200
200
8.0
dB
100
100
—
400
300
6.0
pF
—
兆赫
2
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
2N5400 2N5401
θ
V，温度系数（毫伏/
°
C)
1.0
0.9
0.8
V，电压（V ）
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0.1
0.2 0.3 0.5
1.0 2.0 3.0 5.0
10
20 30
IC ，集电极电流（毫安）
50
100
VCE （SAT） @ IC / IB = 10
VBE （星期六） @ IC / IB = 10
TJ = 25°C
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
–0.5
–1.0
–1.5
–2.0
–2.5
0.1
θ
VB的VBE （SAT）
0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0
10
20 30
IC ，集电极电流（毫安）
50
100
θ
VC的VCE （SAT）
TJ = - 55 ° C至135°C的
图4. “开”电压
图5.温度系数
10.2 V
VIN
10
s
输入脉冲
TR ， TF
≤
10纳秒
占空比= 1.0 ％
0.25
F
100
RB
5.1 k
VIN
100
1N914
3.0 k
RC
VOUT
C，电容（pF ）
VBB
+ 8.8 V
VCC
–30 V
100
70
50
30
20
10
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
0.2
CIBO
TJ = 25°C
科博
显示的数值为IC @ 10毫安
0.3
2.0 3.0
5.0 7.0
0.5 0.7 1.0
VR ，反向电压（伏）
10
20
图6.开关时间测试电路
图7的电容
1000
700
500
300
T， TIME （ NS ）
200
100
70
50
30
20
2000
IC / IB = 10
TJ = 25°C
TR @ VCC = 120 V
TR @ VCC = 30 V
T， TIME （ NS ）
1000
700
500
300
200
100
70
50
30
100
200
20
0.2 0.3 0.5
1.0
2.0 3.0 5.0
10
20 30
50
100
200
IC / IB = 10
TJ = 25°C
TF @ VCC = 30 V
TS @ VCC = 120 V
TF @ VCC = 120 V
TD @ VBE （关闭） = 1.0 V
VCC = 120 V
1.0
2.0 3.0 5.0
10
20 30
50
10
0.2 0.3 0.5
IC ，集电极电流（毫安）
IC ，集电极电流（毫安）
图8.导通时间
图9.开启，关闭时间
4
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
2N5400
2N5400
C
B
TO-92
E
PNP通用放大器
该器件是专为使用一般通用放大器
和开关要求高电压。
绝对最大额定值*
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J
, T
英镑
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
TA = 25° C除非另有说明
参数
价值
120
130
5.0
600
-55到+150
单位
V
V
V
mA
°C
工作和存储结温范围
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
注意事项：
1)
这些评级是基于150度C的最高结温
2)
这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。
热特性
符号
P
D
R
θJC
R
θJA
TA = 25° C除非另有说明
特征
器件总功耗
减免上述25℃
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
最大
2N5400
625
5.0
83.3
200
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
2001年仙童半导体公司
2N5400 ，版本A
TO- 92卷带数据
TO-92封装
CON组fi guration ：
图1.0
磁带和卷轴选项
FSCINT标签样本
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
LOT ：
CBVK741B019
HTB ： B
数量：
10000
参见图2.0不同
缫丝样式
NSID ：
PN2222N
产品规格：
D / C1 ：
D9842
SPEC REV ：
QA REV ：
B2
FSCINT
LABEL
（ FSCINT ）
5卷轴元
中级盒
F63TNR
LABEL
定制
LABEL
375毫米X 267毫米X 375毫米
中级盒
F63TNR标签样本
LOT ： CBVK741B019
FSID ： PN222N
D / C1 ： D9842
D / C2 ：
QTY1 ：
QTY2 ：
数量： 2000
产品规格：
SPEC REV ：
CPN ：
N / F： F
定制
LABEL
(F63TNR)3
TO- 92 TNR / AMMO包装INFROMATION
填料
REEL
风格
A
E
弹药
M
P
QUANTITY
2,000
2,000
2,000
2,000
EOL代码
D26Z
D27Z
D74Z
D75Z
弹药盒OPTION
参见图3.0为2弹药
包选项
单位重量
= 0.22克
卷重量组件
= 1.04千克
弹药的重量与分量= 1.02公斤
每间箱= 10000台最大数量
FSCINT
LABEL
327毫米X 158毫米X 135毫米
立即盒
定制
LABEL
5弹药盒每
中级盒
F63TNR
LABEL
333毫米X 231毫米X 183毫米
中级盒
定制
LABEL
（ TO- 92 ）批量包装信息
EOL
CODE
J18Z
J05Z
NO EOL
CODE
描述
TO- 18 OPTION STD
TO- 5 OPTION STD
TO- 92标准
直： PKG 92 ，
94 （ NON PROELECTRON
系列）， 96
TO- 92标准
直： PKG 94
（ PROELECTRON系列
BCXXX ， BFXXX ， BSRXXX ）
97, 98
LEADCLIP
维
不含铅CLIP
不含铅CLIP
NO LEADCLIP
QUANTITY
2.0 K /盒
1.5 K /盒
2.0 K /盒
BULK选项
请参阅批量包装
信息表
防静电
泡泡表
FSCINT标签
L34Z
NO LEADCLIP
2.0 K /盒
2000个单位
EO70盒
std选项
114毫米X 102毫米X 51毫米
立即盒
5 EO70每个盒子
中级盒
530毫米X 130毫米X 83毫米
中级盒
定制
LABEL
FSCINT标签
最高1万台
每间箱
性病选项
2001仙童半导体公司
2001年3月，修订版B1
2N5400
公司Bauelemente
符合RoHS产品
的“-C”后缀指定卤素&无铅
-0.6 A， -130 V
PNP塑料封装晶体管
特点
开关和放大高压
应用，如电话
低电流（ max.600mA ）
高电压（ max.130V ）
TO-92
G
H
J
A
D
辐射源
BASE
集热器
毫米
分钟。
马克斯。
4.40
4.70
4.30
4.70
12.70
-
3.30
3.81
0.36
0.56
0.36
0.51
1.27 TYP 。
1.10
-
2.42
2.66
0.36
0.76
REF 。
集热器
B
K
BASE
E
C
F
辐射源
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
连续集电极电流 -
集电极耗散功率
交界处，贮存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
J
, T
英镑
等级
-130
-120
-5
-600
625
150, -55~150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
集电极基极击穿电压
集电极到发射极击穿电压
发射极基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极到发射极饱和电压
基地发射极电压
集电极输出电容
跃迁频率
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE1
h
FE2
h
FE3
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
C
ob
f
T
民
-130
-120
-5
-
-
30
40
40
--
--
--
--
-
100
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
-0.1
-0.1
-
180
-
-0.2
-0.5
-1
-1
6
-
单位
V
V
V
μA
μA
测试条件
I
C
= -100μA ，我
E
= 0A
I
C
= -1mA ，我
B
= 0A
I
E
= -10μA ，我
C
= 0A
V
CB
= -100V ，我
E
= 0 A
V
EB
= -3V ，我
C
= 0毫安
V
CE
= -5V ，我
C
=-1mA
V
CE
= -5V ，我
C
=-10mA
V
CE
= -5V ，我
C
=-50mA
I
C
= -10mA ，我
B
=-1mA
I
C
= -50mA ，我
B
=-5mA
I
C
= -10mA ，我
B
=-1mA
I
C
= -50mA ，我
B
=-5mA
V
CB
= -10V ，我
E
= 0A ， F = 1MHz的
V
CE
= -10V ，我
C
= -10mA ， F = 30MHz的
V
V
V
V
pF
兆赫
http://www.SeCoSGmbH.com/
规范的任何更改将不个别通知。
29月- 2010版本A
第1页2
2N5400
公司Bauelemente
-0.6 A， -130 V
PNP塑料封装晶体管
特性曲线
http://www.SeCoSGmbH.com/
规范的任何更改将不个别通知。
29月- 2010版本A
第2页2
2N5400, 2N5401
首选设备
放大器晶体管
PNP硅
特点
无铅包可用*
http://onsemi.com
集热器
3
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
器件总功耗
@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
器件总功耗
@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
P
D
625
5.0
P
D
1.5
12
T
J
, T
英镑
-55到+150
瓦
毫瓦/°C的
°C
12
3
mW
毫瓦/°C的
TO92
CASE 29
风格1
2N5400 2N5401
120
130
5.0
600
150
160
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
1
辐射源
2
BASE
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（去甲不
MAL运行条件下），同时无效。如果这些限制是EX-
超过容许，设备功能操作不暗示，可能会损坏和可靠性
能力可能受到影响。
标记图
2N
540x
AYWWG
G
热特性
特征
热阻，
结到环境
热阻，
结到外壳
符号
R
qJA
R
QJC
最大
200
83.3
单位
° C / W
° C / W
A
=大会地点
Y
=年
WW
=工作周
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第5页上。
*有关我们的无铅策略的更多信息
和焊接的详细信息，请下载
安森美半导体焊接与安装
技术参考手册， SOLDERRM / D 。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
1
2005年12月 - 第1版
出版订单号：
2N5400/D
2N5400, 2N5401
0.9
0.8
V，电压（V ）
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0.1
0.2 0.3 0.5
2.0 3.0 5.0
10
20 30
I
C
，集电极电流（毫安）
1.0
50
100
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
θ
V，温度系数（毫伏/
°
C)
1.0
T
J
= 25°C
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0.1
q
VB
对于V
BE （ SAT ）
0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0
10
20 30
I
C
，集电极电流（毫安）
50
100
q
VC
对于V
CE （ SAT ）
T
J
= - 55 ° C至135°C的
图4. “开”电压
图5.温度系数
10.2 V
V
in
10
ms
输入脉冲
t
r
, t
f
≤
10纳秒
占空比= 1.0 ％
0.25
mF
100
R
B
5.1 k
V
in
100
1N914
3.0 k
R
C
V
OUT
C，电容（pF ）
V
BB
+8.8 V
V
CC
30 V
100
70
50
30
20
10
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
0.2
0.3
2.0 3.0
5.0 7.0
0.5 0.7 1.0
V
R
，反向电压（伏）
C
IBO
T
J
= 25°C
C
敖包
显示的值是我
C
@ 10毫安
10
20
图6.开关时间测试电路
图7的电容
1000
700
500
300
T， TIME （ NS ）
200
100
70
50
30
20
2000
I
C
/I
B
= 10
T
J
= 25°C
t
r
@ V
CC
= 120 V
t
r
@ V
CC
= 30 V
T， TIME （ NS ）
1000
700
500
300
200
100
70
50
30
50
100
200
20
0.2 0.3 0.5
1.0
2.0 3.0 5.0
10
20 30
50
100
200
I
C
/I
B
= 10
T
J
= 25°C
t
f
@ V
CC
= 30 V
t
s
@ V
CC
= 120 V
t
f
@ V
CC
= 120 V
t
d
@ V
BE （OFF）的
= 1.0 V
V
CC
= 120 V
1.0
2.0 3.0 5.0
10
20 30
10
0.2 0.3 0.5
I
C
，集电极电流（毫安）
I
C
，集电极电流（毫安）
图8.导通时间
图9.开启，关闭时间
http://onsemi.com
4
2N5400, 2N5401
订购信息
设备
2N5400
2N5400G
2N5400RLRP
2N5400RLRPG
2N5401
2N5401G
2N5401RL1
2N5401RL1G
2N5401RLRA
2N5401RLRAG
2N5401RLRM
2N5401RLRMG
2N5401ZL1
2N5401ZL1G
包
TO92
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（无铅）
TO92
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（无铅）
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（无铅）
TO92
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（无铅）
TO92
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（无铅）
TO92
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（无铅）
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（无铅）
航运
5000单位/散装
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2000磁带&卷轴
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