【】,IC型号2N3704,2N3704 PDF资料,2N3704经销商,ic,电子元器件-51电子网

2N3704

NPN通用放大器

该设备专为使用通用放大器和

开关需要集电极电流300mA的电流。

从工艺10采购。

见PN100的特点。

1

TO-92

1.辐射源2.收藏家3.基地

NPN外延硅晶体管

绝对最大额定值*

T

a

= 25 ° C除非另有说明

符号

V

首席执行官

V

CBO

V

EBO

I

C

T

J

, T

ST

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

- 连续

工作和存储结温范围

参数

价值

30

50

5.0

500

-55 ~ +150

单位

V

mA

°C

*这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。

注意事项：

1 ）这些等级是基于对150度C的最高结温

2 ）这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。

电气特性

T

a

= 25 ° C除非另有说明

符号

开关特性

BV

（ BR ） CEO

BV

（ BR ） CBO

BV

（ BR ） EBO

I

CBO

I

EBO

h

FE

V

CE

（SAT）

V

BE

（上）

C

ob

f

T

参数

测试条件

I

C

= 10毫安，我

B

= 0

I

C

= 100μA ，我

E

= 0

I

E

= 100μA ，我

C

= 0

V

CB

= 20V ，我

E

= 0

V

EB

= 3.0V ，我

C

= 0

V

CE

= 5.0V ，我

C

= 50毫安

I

C

= 100mA时我

B

= 5.0毫安

V

CE

= 2.0V ，我

C

= 100毫安

V

CB

= 10V ， F = 1.0MHz的

I

C

= 50mA时V

CE

= 2.0V

100

0.5

分钟。

30

50

5.0

100

300

1.0

0.6

12

V

pF

兆赫

典型值。

马克斯。

单位

V

nA

集电极 - 发射极击穿电压

集电极 - 基极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

集电极 - 发射极饱和电压

电压集电极 - 发射极

电流增益带宽积

输出电容

在特性*

小信号特性

*脉冲测试：脉冲

≤

300μS ，占空比

≤

2.0%

热特性

T

A

= 25 ° C除非另有说明

符号

P

D

R

θJC

R

θJA

参数

器件总功耗

减免上述25℃

热阻，结到外壳

热阻，结到环境

马克斯。

625

5.0

83.3

200

单位

mW

毫瓦/°C的

° C / W

2002仙童半导体公司

版本B ， 2002年7月

2N3704

包装尺寸

TO-92

4.58

–0.15

+0.25

0.46

14.47

±0.40

±0.10

4.58

±0.20

1.27TYP

[1.27

±0.20

]

3.60

±0.20

1.27TYP

[1.27

±0.20

]

0.38

–0.05

+0.10

3.86MAX

1.02

±0.10

0.38

–0.05

+0.10

(R2.29)

(0.25)

单位：毫米

2002仙童半导体公司

版本B ， 2002年7月

商标

下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是

并非意在将所有这样的商标的详尽清单。

ACEX

ActiveArray

深不见底

CoolFET

CROSSVOLT

DOME

EcoSPARK

E

2

CMOS

TM

EnSigna

TM

FACT

FACT静音系列

快

FASTr

FRFET

GlobalOptoisolator

GTO

HiSeC

I

2

C

一刀切。周围的世界。

电源特许经营

放弃

ImpliedDisconnect ？吃豆？

POP

等平面

Power247

LittleFET

的PowerTrench

的MicroFET

QFET

采用MicroPak

QS

MICROWIRE

QT光电

MSX

静音系列

MSXPro

RapidConfigure

OCX

RapidConnect

OCXPro

SILENT SWITCHER

OPTOLOGIC

SMART START

OPTOPLANAR

SPM

隐形

SuperSOT-3

SuperSOT-6

SuperSOT-8

SyncFET

TinyLogic

TruTranslation

UHC

UltraFET

VCX

飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT

注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD

不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的

或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利

权利，也没有他人的权利。

生命支持政策

飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件

设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。

如本文所用：

2.关键部件是在生命的任何组件

1.生命支持设备或系统的设备或

支持设备或系统，其故障执行能

其中，（ a）打算通过外科手术移植到系统中

可以合理预期造成的生命的失败

人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其

支持设备或系统，或影响其安全性或

不履行时，按照正确使用

与标示中的使用说明，可以

有效性。

合理预期会导致显著伤害

用户。

产品状态定义

条款的德网络nition

数据表标识

超前信息

产品状态

形成或

在设计

一是生产

德网络nition

该数据表包含了设计规范

产品开发。特定网络阳离子可改变

恕不另行通知方式。

该数据表包含的初步数据，和

补充资料将在晚些时候公布。

飞兆半导体保留做出正确的

在任何时候，恕不另行通知，以提高变化

设计。

该数据表包含最终规格。飞兆半导体

半导体公司保留在作出变更的权利

恕不另行通知，以便随时改进设计。

该数据表包含在产品规格

已经停产了仙童半导体公司。

数据表打印仅供参考信息。

初步

没有Identi网络所需的阳离子

满负荷生产

过时的

不在生产中

我牧师

小信号晶体管

TO- 92 CASE

型号

描述

领导

CODE

VCBO

(V)

民

18

25

50

40

50

40

30

60

30

60

40

30

40

30

25

30

45

60

VCEO VEBO

(V)

* VCES

民

18

25

50

25

30

20

30

60

30

40

30

25

30

25

15

45

40

(V)

最大

5.0

6.0

4.0

6.0

5.0

6.0

5.0

4.0

6.0

7.0

6.0

ICBO @ VCB

（ nA的）

* ICES

* ICEV

最大

500

100

500

100

50

50*

100

50

10

100*

(V)

的hFE

*的hFE

(1kHZ)

最大

250

180*

300*

470*

500

300

180

500

800

540

225

540

300

150

300

150

600

400

660

165

330

660

200

300

150

300

150

300

400

150

360

150

360

160

600

150

@ @ VCE IC

(V)

（MA ）

VCE （ SAT ） @ IC玉米棒

(V)

（MA ）

fT

NF

花花公子

2N2712

2N2714

2N2923

2N2924

2N2925

2N2926

2N3391A

2N3392

2N3393

2N3395

2N3396

2N3397

2N3398

2N3415

2N3416

2N3417

2N3702

2N3703

2N3704

2N3705

2N3706

2N3707

2N3708

2N3709

2N3710

2N3711

2N3859A

2N3860

2N3903

2N3904

2N3905

2N3906

2N4058

2N4123

2N4124

2N4125

2N4126

2N4264

2N4287

2N4289

2N4400

NPN幅度/ SWITCH

NPN低噪声

PNP幅度/ SWITCH

NPN幅度/ SWITCH

NPN低噪声

NPN幅度/ SWITCH

PNP幅度/ SWITCH

PN幅度/ SWITCH

PNP低噪声

NPN幅度/ SWITCH

PNP幅度/ SWITCH

NPN SAT SWITCH

NPN低噪声

PNP低噪声

NPN幅度/ SWITCH

欧洲央行

EBC

欧洲央行

EBC

欧洲央行

EBC

18

25

18

25

50

20

60

30

20

12

30

45

35

民

75

90

150

235

35

250

150

90

150

90

55

180

75

180

60

30

100

50

30

100

45

90

180

100

150

50

100

50

100

50

120

50

120

40

150

50

--

0.30

--

4.50

5.0

2.0

5.0

4.50

1.0

5.0

1.0

5.0

0.35

1.0

--

50

--

2.0

0.05

50

1.0

2.0

10

0.10

2.0

10

1.0

150

--

1.20

--

0.30

0.25

0.60

0.80

1.0

0.125

0.30

0.40

0.70

0.30

0.40

0.35

0.80

0.75

--

50

--

50

100

10

50

10

50

100

1.0

500

（ pF）的（兆赫）（ dB）的

* CRB * TYP

MAX MIN MAX MAX

12

2.8

--

10

--

12

--

4.0

4.5

--

4.0

4.5

4.0

6.0

8.0

6.5

--

160*

120*

--

100

--

90

250

300

200

250

--

250

300

200

250

350

40

200

--

2.8

5.0

--

5.0

--

6.0

5.0

4.0

5.0

6.0

5.0

4.0

--

5.0

4.0

--

225

250

260

300

--

35

--

255

72

W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米

器件可形成领先优势，

有关详细信息，请参阅第216页通219 。

此外，在Ammopack或磁带&卷可用，

有关详细信息，请参阅第230页通235 。

2N3704

B

C

TO-92

E

NPN通用放大器

该器件是专为使用一般通用放大器

和交换机要求集电极电流为300毫安。来源

从工艺10.见PN100的特点。

绝对最大额定值*

符号

V

首席执行官

V

CBO

V

EBO

I

C

T

J

, T

英镑

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

连续集电极电流 -

TA = 25° C除非另有说明

参数

价值

30

50

5.0

500

-55到+150

单位

V

mA

°C

工作和存储结温范围

*

这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。

注意事项：

1)

这些评级是基于150度C的最高结温

2)

这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。

热特性

符号

P

D

R

θJC

R

θJA

TA = 25° C除非另有说明

特征

器件总功耗

减免上述25℃

热阻，结到外壳

热阻，结到环境

最大

2N3704

625

5.0

83.3

200

单位

mW

毫瓦/°C的

° C / W

1997仙童半导体公司

2N3704

NPN通用放大器

（续）

电气特性

符号

参数

TA = 25° C除非另有说明

测试条件

民

最大

单位

开关特性

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） EBO

I

CBO

I

EBO

集电极 - 发射极击穿电压*

集电极 - 基极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

I

C

= 10 mA时，我

B

= 0

I

C

= 100

A,

I

E

= 0

I

E

= 100

A,

I

C

= 0

V

CB

= 20 V，I

E

= 0

V

EB

= 3.0 V，I

C

= 0

30

50

5.0

100

V

nA

基本特征*

h

FE

V

BE

（上）

V

CE

（SAT）

直流电流增益

基射极电压上

集电极 - 发射极饱和电压

V

CE

= 2.0 V，I

C

= 50毫安

V

CE

= 2.0 V，I

C

= 100毫安

I

C

= 100毫安，我

B

= 5.0毫安

100

0.5

300

1.0

0.6

V

小信号特性

C

ob

f

T

输出电容

电流增益 - 带宽积

V

CB

= 10 V ， F = 1.0 MHz的

I

C

= 50 mA时， V

CE

= 2.0 V,

100

12

pF

兆赫

*

脉冲测试：脉冲宽度

≤

300

s,

占空比

≤

2.0%

商标

下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是

并非意在将所有这样的商标的详尽清单。

ACEX

CoolFET

CROSSVOLT

E

2

CMOS

TM

FACT

FACT静音系列

快

FASTr

GTO

HiSeC

放弃

等平面

MICROWIRE

POP

的PowerTrench

QS

静音系列

SuperSOT-3

SuperSOT-6

SuperSOT-8

TinyLogic

飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT

注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD

不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的

或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利

权利，也没有他人的权利。

生命支持政策

飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件

设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。

如本文所用：

1.生命支持设备或系统的设备或

2.关键部件是在生命的任何组件

支持设备或系统，其故障执行能

其中，（ a）打算通过外科手术移植到系统中

可以合理预期造成的生命的失败

人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其

支持设备或系统，或影响其安全性或

不履行时，按照正确使用

与标示中的使用说明，可以

有效性。

合理预期会导致显著伤害

用户。

产品状态定义

条款的德网络nition

数据表标识

超前信息

产品状态

形成或

在设计

德网络nition

该数据表包含了设计规范

产品开发。特定网络阳离子可改变

恕不另行通知方式。

该数据表包含的初步数据，和

补充资料将在晚些时候公布。

飞兆半导体保留做出正确的

在任何时候，恕不另行通知，以提高变化

设计。

该数据表包含最终规格。飞兆半导体

半导体公司保留在作出变更的权利

恕不另行通知，以便随时改进设计。

初步

一是生产

没有Identi网络所需的阳离子

满负荷生产

过时的

不在生产中

该数据表包含在产品规格

已经停产了仙童半导体公司。

数据表打印仅供参考信息。

小信号晶体管

TO- 92 CASE

型号

描述

领导

CODE

VCBO

(V)

民

18

25

50

40

50

40

30

60

30

60

40

30

40

30

25

30

45

60

VCEO VEBO

(V)

* VCES

民

18

25

50

25

30

20

30

60

30

40

30

25

30

25

15

45

40

(V)

最大

5.0

6.0

4.0

6.0

5.0

6.0

5.0

4.0

6.0

7.0

6.0

ICBO @ VCB

（ nA的）

* ICES

* ICEV

最大

500

100

500

100

50

50*

100

50

10

100*

(V)

的hFE

*的hFE

(1kHZ)

最大

250

180*

300*

470*

500

300

180

500

800

540

225

540

300

150

300

150

600

400

660

165

330

660

200

300

150

300

150

300

400

150

360

150

360

160

600

150

@ @ VCE IC

(V)

（MA ）

VCE （ SAT ） @ IC玉米棒

(V)

（MA ）

fT

NF

花花公子

2N2712

2N2714

2N2923

2N2924

2N2925

2N2926

2N3391A

2N3392

2N3393

2N3395

2N3396

2N3397

2N3398

2N3415

2N3416

2N3417

2N3702

2N3703

2N3704

2N3705

2N3706

2N3707

2N3708

2N3709

2N3710

2N3711

2N3859A

2N3860

2N3903

2N3904

2N3905

2N3906

2N4058

2N4123

2N4124

2N4125

2N4126

2N4264

2N4287

2N4289

2N4400

NPN幅度/ SWITCH

NPN低噪声

PNP幅度/ SWITCH

NPN幅度/ SWITCH

NPN低噪声

NPN幅度/ SWITCH

PNP幅度/ SWITCH

PN幅度/ SWITCH

PNP低噪声

NPN幅度/ SWITCH

PNP幅度/ SWITCH

NPN SAT SWITCH

NPN低噪声

PNP低噪声

NPN幅度/ SWITCH

欧洲央行

EBC

欧洲央行

EBC

欧洲央行

EBC

18

25

18

25

50

20

60

30

20

12

30

45

35

民

75

90

150

235

35

250

150

90

150

90

55

180

75

180

60

30

100

50

30

100

45

90

180

100

150

50

100

50

100

50

120

50

120

40

150

50

--

0.30

--

4.50

5.0

2.0

5.0

4.50

1.0

5.0

1.0

5.0

0.35

1.0

--

50

--

2.0

0.05

50

1.0

2.0

10

0.10

2.0

10

1.0

150

--

1.20

--

0.30

0.25

0.60

0.80

1.0

0.125

0.30

0.40

0.70

0.30

0.40

0.35

0.80

0.75

--

50

--

50

100

10

50

10

50

100

1.0

500

（ pF）的（兆赫）（ dB）的

* CRB * TYP

MAX MIN MAX MAX

12

2.8

--

10

--

12

--

4.0

4.5

--

4.0

4.5

4.0

6.0

8.0

6.5

--

160*

120*

--

100

--

90

250

300

200

250

--

250

300

200

250

350

40

200

--

2.8

5.0

--

5.0

--

6.0

5.0

4.0

5.0

6.0

5.0

4.0

--

5.0

4.0

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225

250

260

300

--

35

--

255

72

W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米

器件可形成领先优势，

有关详细信息，请参阅第216页通219 。

此外，在Ammopack或磁带&卷可用，

有关详细信息，请参阅第230页通235 。