2N5013
尺寸以毫米（英寸） 。
8.51 (0.34)
9.40 (0.37)
7.75 (0.305)
8.51 (0.335)
在一个双极NPN器件
密封TO39
金属包装。
双极NPN装置。
6.10 (0.240)
6.60 (0.260)
12.70
(0.500)
分钟。
0.89
马克斯。
(0.035)
0.41 (0.016)
0.53 (0.021)
DIA 。
V
首席执行官
= 800V
5.08 (0.200)
典型值。
I
C
= 0.5A
2.54
(0.100)
2
1
0.74 (0.029)
1.14 (0.045)
0.71 (0.028)
0.86 (0.034)
3
所有Semelab密封产品
可根据被处理
BS ， CECC和JAN的要求，
JANTX ， JANTXV和JANS规格
45°
TO39 （ TO205AD ）
引脚配置
1 - 发射极
2 - 基
3 - 集电极
参数
V
首席执行官
*
I
C（ CONT ）
h
FE
f
t
P
D
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
800
0.5
单位
V
A
-
Hz
@ 10 / 25米（V
CE
/ I
C
)
30
20M
180
2
W
*最大工作电压
这是一个简易模式数据表。对于一个完整的数据表，请联系
sales@semelab.co.uk 。
Semelab Plc的保留改变试验条件，参数限制和封装尺寸，恕不另行通知。提供的信息Semelab信
是既准确又可靠，在即将出版的时间。然而Semelab承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。
Semelab PLC 。
电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612 。
电子信箱：
sales@semelab.co.uk
网址：
http://www.semelab.co.uk
产生
1-Aug-02
技术数据表
6湖街，劳伦斯，MA 01841
1-800-446-1158 / （ 978 ） 620-2600 /传真： （ 978 ） 689-0803
网址：http ： //www.microsemi.com
NPN硅晶体管
每个合格的MIL -PRF-七百二十七分之一万九千五
器件
水平
2N5010
2N5011
2N5012
2N5013
2N5014
2N5015
2N5010S
2N5011S
2N5012S
2N5013S
2N5014S
2N5015S
JAN
JANTX
JANTXV
绝对最大额定值
(T
C
= + 25 ° C除非另有说明）
参数/测试条件
集电极 - 发射极电压
2N5010
2N5011
2N5012
2N5013
2N5014
2N5015
集电极 - 基极电压
2N5010
2N5011
2N5012
2N5013
2N5014
2N5015
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
总功耗
@ T
A
= +25°C
@ T
C
= +25° C
热阻，结到外壳
1/
P
t
R
θJC
T
j
, T
英镑
1.0
7.0
20
-65到+200
W
° C / W
°C
TO-39
2N5010S通2N5015S
V
EBO
I
C
I
B
V
CBO
V
CER
符号
价值
500
600
700
800
900
1000
500
600
700
800
900
1000
5
200
20
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
VDC
VDC
VDC
VDC
VDC
VDC
VDC
VDC
VDC
MADC
MADC
TO-5
2N5010 2N5015直通
操作&存储结温范围
注意：
对于温度降额曲线1 /见七百二十七分之一万九千五。
T4 - LDS -0067版本2 （ 100293 ）
第1页4
技术数据表
6湖街，劳伦斯，MA 01841
1-800-446-1158 / （ 978 ） 620-2600 /传真： （ 978 ） 689-0803
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电气特性
(T
A
= + 25℃ ，除非另有说明）
参数/测试条件
集电极基截止电流
V
CB
= 400V
V
CB
= 500V
V
CB
= 580V
V
CB
= 650V
V
CB
= 700V
V
CB
= 760V
V
CB
= 400V
V
CB
= 500V
V
CB
= 588V
V
CB
= 650V
V
CB
= 700V
V
CB
= 760V
发射基地的截止电流
V
EB
= 4V
集电极基极击穿电压
I
C
= 0.1mAdc
I
C
= 0.1mAdc
I
C
= 0.1mAdc
I
C
= 0.2mAdc
I
C
= 0.2mAdc
I
C
= 0.2mAdc
发射极基极击穿电压
I
C
= 0毫安
I
E
= 0.05毫安
集电极到发射极击穿电压
R
BE
= 1KΩ
I
C
= 0.2毫安，脉冲
2N5010
2N5011
2N5012
2N5013
2N5014
2N5015
@ T
A
= +150°C
2N5010
2N5011
2N5012
2N5013
2N5014
2N5015
符号
分钟。
马克斯。
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
20
单位
NADC
NADC
NADC
NADC
NADC
NADC
uAdc
uAdc
uAdc
uAdc
uAdc
uAdc
uAdc
I
CBO1
I
CBO2
I
EBO
2N5010
2N5011
2N5012
2N5013
2N5014
2N5015
V
（ BR ） CBO
500
600
700
800
900
1000
5
VDC
VDC
VDC
VDC
VDC
VDC
VDC
V
（ BR ） EBO
2N5010
2N5011
2N5012
2N5013
2N5014
2N5015
2N5010, 2N5011, 2N5012
2N5013, 2N5014, 2N5015
V
（ BR ） CER
500
600
700
800
900
1000
30
30
10
10
180
180
VDC
VDC
VDC
VDC
VDC
VDC
正向电流传输比
I
C
= 25毫安
I
C
= 20mA下
V
CE
= 10V
V
CE
= 10V
I
C
= 5毫安
V
CE
= 10V
I
C
= 20mA下
h
FE1
h
FE2
@ T
A
= -55°C
h
FE3
T4 - LDS -0067版本2 （ 100293 ）
第2页4
技术数据表
6湖街，劳伦斯，MA 01841
1-800-446-1158 / （ 978 ） 620-2600 /传真： （ 978 ） 689-0803
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电气特性
(T
A
= + 25 ℃，除非另有说明） （续）
参数/测试条件
基射极饱和电压
I
C
= 25毫安
I
C
= 20mA下
I
B
= 5毫安，脉冲
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 25毫安
I
C
= 25毫安
I
C
= 25毫安
I
C
= 20mA下
I
C
= 20mA下
I
C
= 20mA下
I
B
= 5毫安，脉冲
动态特性
参数/测试条件
小信号短路正向电流传输比大小
V
CE
= 10Vdc的，我
C
= 25毫安， F = 10MHz时
V
CE
= 10Vdc的，我
C
= 20mA时， F = 10MHz时
2N5010, 2N5011, 2N5012
2N5013, 2N5014, 2N5015
|h
fe
|
1.0
1.0
符号
分钟。
马克斯。
单位
2N5010
2N5011
2N5012
2N5013
2N5014
2N5015
1.4
1.5
1.6
1.6
1.6
1.8
VDC
VDC
VDC
VDC
VDC
VDC
2N5010, 2N5011, 2N5012
2N5013, 2N5014, 2N5015
符号
分钟。
马克斯。
1.0
1.0
单位
VDC
VDC
V
BE （ SAT ）
V
CE （ SAT ）
开路输出电容
V
CB
= 10V ，我
E
= 0中，f = 2MHz的
C
敖包
pF
30
T4 - LDS -0067版本2 （ 100293 ）
第3页4
技术数据表
6湖街，劳伦斯，MA 01841
1-800-446-1158 / （ 978 ） 620-2600 /传真： （ 978 ） 689-0803
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包装尺寸
符号
CD
CH
HD
LC
LD
LL
LU
L1
L2
P
Q
TL
TW
r
α
尺寸
英寸
MILLIMETERS
民
最大
民
最大
.305
.335
7.75
8.51
.240
.260
6.10
6.60
.335
.370
8.51
9.40
0.200 TP
5.08 TP
.016
.019
0.41
0.48
见注14
.016
.019
0.41
0.48
.050
1.27
.250
6.35
.100
2.54
.030
0.76
.029
.045
0.74
1.14
.028
.034
0.71
0.86
.010
0.25
45 ° TP
45 ° TP
1, 2, 10, 12, 13, 14
笔记
6
7
8,9
8,9
8,9
8,9
7
5
3,4
3
10
7
注意：
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
尺寸为英寸。
毫米给出的只是一般信息。
除了R（半径）最大， TW依法追究为0.011 （0.28 mm）的最小长度。
TL尺寸从最大的高清测量。
车身轮廓内通过HD ，CD ，和Q限定区域可选
CD变化应不大于0.010英寸（0.25毫米）的区域P.此区域的控制进行自动处理。
信息在以下座位平面计平面0.054 +.001 -.000英寸（ 1.37 +0.03 -0.00毫米），应在0.007英寸（0.18 MM）
半径最大使用材料情况（ MMC ），相对于选项卡MMC实际位置（TP ）的。该设备可以被测量
用直接法或通过测量过程。
维的LU应用于L1和L2之间。尺寸LD适用于L2和LL最小值之间。直径是不受控制
在内外LL最低。
所有这三个线索。
署长须在内部连接到的情况。
尺寸R （半径）适用于标签的两个内角。
根据ASME Y14.5M ，直径相当于
Φx
符号。
导致1 =发射器，导致2 =基地，导致3 =收藏家。
对于非S -后缀器件（TO -5），尺寸LL = 1.5英寸（ 38.10毫米）分钟。和1.75英寸（ 44.45毫米）最大。对于S-
后缀类型（ TO- 39 ） ，尺寸LL = 0.5英寸英寸（12.70 mm）最小。和0.750英寸（ 19.05毫米）最大。
8.
9.
10.
11.
12.
13.
14.
T4 - LDS -0067版本2 （ 100293 ）
第4页4
2N5013
尺寸以毫米（英寸） 。
8.51 (0.34)
9.40 (0.37)
7.75 (0.305)
8.51 (0.335)
在一个双极NPN器件
密封TO39
金属包装。
双极NPN装置。
6.10 (0.240)
6.60 (0.260)
12.70
(0.500)
分钟。
0.89
马克斯。
(0.035)
0.41 (0.016)
0.53 (0.021)
DIA 。
V
首席执行官
= 800V
5.08 (0.200)
典型值。
I
C
= 0.5A
2.54
(0.100)
2
1
0.74 (0.029)
1.14 (0.045)
0.71 (0.028)
0.86 (0.034)
3
所有Semelab密封产品
可根据被处理
BS ， CECC和JAN的要求，
JANTX ， JANTXV和JANS规格
45°
TO39 （ TO205AD ）
引脚配置
1 - 发射极
2 - 基
3 - 集电极
参数
V
首席执行官
*
I
C（ CONT ）
h
FE
f
t
P
D
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
800
0.5
单位
V
A
-
Hz
@ 10 / 25米（V
CE
/ I
C
)
30
20M
180
2
W
*最大工作电压
这是一个简易模式数据表。对于一个完整的数据表，请联系
sales@semelab.co.uk 。
Semelab Plc的保留改变试验条件，参数限制和封装尺寸，恕不另行通知。提供的信息Semelab信
是既准确又可靠，在即将出版的时间。然而Semelab承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。
Semelab PLC 。
电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612 。
电子信箱：
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网址：
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产生
1-Aug-02
技术数据表
6湖街，劳伦斯，MA 01841
1-800-446-1158 / （ 978 ） 620-2600 /传真： （ 978 ） 689-0803
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NPN硅晶体管
每个合格的MIL -PRF-七百二十七分之一万九千五
器件
水平
2N5010
2N5011
2N5012
2N5013
2N5014
2N5015
2N5010S
2N5011S
2N5012S
2N5013S
2N5014S
2N5015S
JAN
JANTX
JANTXV
绝对最大额定值
(T
C
= + 25 ° C除非另有说明）
参数/测试条件
集电极 - 发射极电压
2N5010
2N5011
2N5012
V
CER
2N5013
2N5014
2N5015
集电极 - 基极电压
2N5010
2N5011
2N5012
V
CBO
2N5013
2N5014
2N5015
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
总功耗
@ T
A
= +25°C
@ T
C
= +25° C
热阻，结到外壳
1/
P
t
1.0
7.0
20
-65到+200
W
V
EBO
I
C
I
B
800
900
1000
5
200
20
VDC
VDC
VDC
VDC
MADC
MADC
800
900
1000
500
600
700
VDC
VDC
VDC
VDC
VDC
VDC
符号
价值
500
600
700
单位
VDC
VDC
VDC
TO-5
2N5010 2N5015直通
TO-39
2N5010S通2N5015S
R
θJC
T
j
, T
英镑
° C / W
°C
操作&存储结温范围
注意：
对于温度降额曲线1 /见七百二十七分之一万九千五。
T4 - LDS -0067修订版1（ 082021 ）
第1页3
技术数据表
6湖街，劳伦斯，MA 01841
1-800-446-1158 / （ 978 ） 620-2600 /传真： （ 978 ） 689-0803
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NPN硅晶体管
每个合格的MIL -PRF-七百二十七分之一万九千五
电气特性
(T
A
= + 25℃ ，除非另有说明）
参数/测试条件
集电极基截止电流
V
CB
= 400V
V
CB
= 500V
V
CB
= 580V
V
CB
= 650V
V
CB
= 700V
V
CB
= 760V
2N5010
2N5011
2N5012
2N5013
2N5014
2N5015
@ T
A
= +150°C
2N5010
2N5011
2N5012
2N5013
2N5014
2N5015
符号
分钟。
马克斯。
10
10
10
10
10
10
单位
NADC
NADC
NADC
NADC
NADC
NADC
I
CBO1
V
CB
= 400V
V
CB
= 500V
V
CB
= 588V
V
CB
= 650V
V
CB
= 700V
V
CB
= 760V
发射基地的截止电流
V
EB
= 4V
集电极基极击穿电压
I
C
= 0.1mAdc
I
C
= 0.1mAdc
I
C
= 0.1mAdc
I
C
= 0.2mAdc
I
C
= 0.2mAdc
I
C
= 0.2mAdc
发射极基极击穿电压
I
C
= 0毫安
I
E
= 0.05毫安
集电极到发射极击穿电压
R
BE
= 1KΩ
I
C
= 0.2毫安，脉冲
I
CBO2
10
10
10
10
10
10
uAdc
uAdc
uAdc
uAdc
uAdc
uAdc
I
EBO
20
uAdc
2N5010
2N5011
2N5012
2N5013
2N5014
2N5015
V
（ BR ） CBO
500
600
700
800
900
1000
VDC
VDC
VDC
VDC
VDC
VDC
V
（ BR ） EBO
5
VDC
2N5010
2N5011
2N5012
2N5013
2N5014
2N5015
V
（ BR ） CER
500
600
700
800
900
1000
VDC
VDC
VDC
VDC
VDC
VDC
正向电流传输比
I
C
= 25毫安
I
C
= 20mA下
V
CE
= 10V
V
CE
= 10V
I
C
= 5毫安
V
CE
= 10V
I
C
= 20mA下
2N5010, 2N5011, 2N5012
2N5013, 2N5014, 2N5015
h
FE1
30
30
180
180
h
FE2
@ T
A
= -55°C
h
FE3
10
10
T4 - LDS -0067修订版1（ 082021 ）
分页： 1 2 3
技术数据表
6湖街，劳伦斯，MA 01841
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网址：http ： //www.microsemi.com
NPN硅晶体管
每个合格的MIL -PRF-七百二十七分之一万九千五
电气特性
(T
A
= + 25 ℃，除非另有说明） （续）
参数/测试条件
基射极饱和电压
I
C
= 25毫安
I
C
= 20mA下
I
B
= 5毫安，脉冲
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 25毫安
I
C
= 25毫安
I
C
= 25毫安
I
C
= 20mA下
I
C
= 20mA下
I
C
= 20mA下
I
B
= 5毫安，脉冲
2N5010
2N5011
2N5012
2N5013
2N5014
2N5015
1.4
1.5
1.6
1.6
1.6
1.8
VDC
VDC
VDC
VDC
VDC
VDC
2N5010, 2N5011, 2N5012
2N5013, 2N5014, 2N5015
符号
分钟。
马克斯。
1.0
1.0
单位
VDC
VDC
V
BE （ SAT ）
V
CE （ SAT ）
动态特性
参数/测试条件
小信号短路正向电流传输比大小
符号
2N5010, 2N5011, 2N5012
2N5013, 2N5014, 2N5015
分钟。
1.0
1.0
马克斯。
单位
V
CE
= 10Vdc的，我
C
= 25毫安， F = 10MHz时
V
CE
= 10Vdc的，我
C
= 20mA时， F = 10MHz时
开路输出电容
V
CB
= 10V ，我
E
= 0中，f = 2MHz的
|h
fe
|
C
敖包
30
pF
T4 - LDS -0067修订版1（ 082021 ）
第3页3
2N5013 2N5015直通
固态器件， INC 。
14830谷景观大道*拉米拉达，钙90638
电话： （ 562 ） 404-7855 *传真： （ 562 ） 404-1773
ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com
设计师的数据表
产品特点：
BVCER和BVCEO 1000伏
低饱和电压
低漏高温
高增益，低饱和
200 °C操作，金共晶芯片粘接
2N5010 2N5012通也提供工厂联系
TX， TXV ，和S级屏蔽可用
0.5安培
800 - 1000伏
NPN晶体管
最大额定值
符号
价值
单位
集电极 - 发射极电压
（ RBE = 1KΩ ）
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
峰值集电极电流
峰值电流基地
器件总功耗
@ TC = 100°
减免上述100°
工作和存储温度
热阻，结到外壳
案例概述： TO- 5
PIN 1 ：辐射源
PIN 2 ： BASE
PIN 3 ：收藏家
2N5013
2N5014
2N5015
2N5013
2N5014
2N5015
V
CER
V
CBO
V
EBO
I
C
I
B
P
D
TJ ， TSTG
R
θJC
800
900
1000
800
900
1000
5
0.5
50
2.0
20
-65到+200
50
V
V
V
A
mA
W
毫瓦/℃
C
摄氏度/ W
注意：
所有规格如有变更，恕不另行通知。
SCD的这些设备应该由SSDI进行审查，以释放之前。
数据表＃ ： TR0043A
DOC
固态器件， INC 。
14830谷景观大道*拉米拉达，钙90638
电话： （ 562 ） 404-7855 *传真： （ 562 ） 404-1773
ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com
2N5013 2N5015直通
电气特性
1/
集电极 - 发射极击穿电压
(I
C
= 200A
DC
, R
BE
= 1K)
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
= 200A
DC
)
发射极 - 基极击穿电压
(I
E
= 50A
DC
)
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 650V （ 2N5013 ）
V
CB
= 700V （ 2N5014 ）
V
CB
= 750V （ 2N5015 ）
V
CB
= 650V （ 2N5013 ）
V
CB
= 700V （ 2N5014 ）
V
CB
= 750V （ 2N5015 ）
2N5013
2N5014
2N5015
2N5013
2N5014
2N5015
符号
BV
CER
民
800
900
1000
800
900
1000
5
––
––
––
––
––
––
10
30
––
––
––
20
––
––
––
––
––
最大
––
单位
V
BV
CBO
BV
EBO
––
––
12
12
12
100
100
100
V
V
(T
C
= 100°)
I
CBO
μAdc
直流电流增益
2/
(I
C
= 5毫安
DC
, V
CE
= 10V
DC
)
(I
C
= 20mA下
DC
, V
CE
= 10V
DC
)
集电极 - 发射极饱和电压
2/
(I
C
= 20mA下
DC
, I
B
= 5毫安
DC
)
基地 - 发射极饱和电压
2/
(I
C
= 20mA下
DC
, I
B
= 5毫安
DC
)
电流增益带宽积
(I
C
= 20mA下
DC
, V
CE
= 10V
DC
， F = 1 - 为20MHz ）
输出电容
(V
CB
= 10V
DC
, I
E
= 0A
DC
中，f = 1.0MHz的）
2N5013
2N5014
2N5015
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
f
T
COB
td
V
CC
= 125V
DC
,
I
C
= 100毫安
DC
,
I
B1
= 20mA下
DC
,
I
B2
= 20mA下
DC
tr
ts
tf
180
1.6
1.6
1.8
1.0
––
30
200
1200
3.0
800
––
VDC
VDC
兆赫
pF
纳秒
纳秒
微秒
纳秒
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
注意事项：
1 /除非另有规定：所有测试@ 25C
2 /脉冲测试：脉冲宽度= 300
S,
占空比= 2 ％
热降额曲线等特性曲线，请联系SSDI市场部。
QQ：2881677436 复制
