【UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。， LTD。2N7002LL初步功率MOSFE】,IC型号2N7002LLG-AE2-R,2N7002LLG-AE2-R PDF资料,2N7002LLG-AE2-R经销商,ic,电子元器件-51电子网

UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。， LTD。

2N7002LL

初步

功率MOSFET

60V ， 115毫安N沟道

功率MOSFET

描述

在UTC

2N7002LL

采用先进的技术来提供

优秀的研发

DS （ ON）

，低栅极电荷和操作与低门

电压。这个装置是适合于用作负载开关或在

PWM应用。

特点

* R

DS （ ON）

= 7.5 @V

= 10 V

*低反向传输电容（C

RSS

=典型5 pF的）

*快速开关能力

*较高的雪崩能量

*改进dv / dt能力，高耐用性

SOT-23-3

（ JEDEC TO- 236 ）

符号

3.排水

2.Gate

1.Source

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无铅

无卤

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包

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引脚分配

填料

带盘

记号

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1第3

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2N7002LL

初步

功率MOSFET

绝对最大额定值

= 25 ℃，除非另有规定）

评级

单位

±20

±40

连续（T

=25°C)

115

漏电流

脉冲（注2 ）

460

225

功率耗散（T

= 25°C)

减免上述25℃

1.8

毫瓦/°C的

结温

+150

°C

储存温度

英镑

-55 ~ +150

°C

注： 1。绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。

绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。

2.脉冲宽度≦ 300μS ，占空比≦ 2 ％

参数

漏源电压

漏，栅极电压（R

=1.0M)

连续

栅源电压

不重复（T

≦50μs)

符号

DSS

DGR

GSS

GSM

热数据

参数

结到环境

符号

评级

556

单位

° C / W

电气特性

= 25 ℃，除非另有规定）

参数

开关特性

漏源击穿电压

漏极 - 源极漏电流

栅极 - 源极漏电流

基本特征（注）

栅极阈值电压

漏源通态电压

静态漏源导通电阻

符号

DSS

GSS

GS （ TH）

DS （ ON）

测试条件

= 0V时，我

=10A

=60V, V

= 0V （T

=25°C)

=±20V, V

=0V

, I

=250 A

= 10V ，我

=115mA

= 5V ，我

=50mA

= 10V ，我

=115mA(T

=25°C)

= 5V ，我

=50mA(T

=25°C)

民

1.0

±100

1.0

2.5

3.75

0.375

7.5

5.0

1.5

115

典型值

最大单位

动力参数

输入电容

国际空间站

输出电容

OSS

=25V, V

= 0V ， F = 1.0MHz的

反向传输电容

RSS

切换参数

导通延迟时间

D（上）

= 25V ，我

=115mA,

根

= 10V ，R

=25, R

=50

打开-O FF延迟时间

D（关闭）

源 - 漏二极管额定值和特性

二极管的正向电压

= 115毫安，V

=0V

最大体二极管连续电流

源电流脉冲

注：脉冲测试：脉冲宽度

≤

300μS ，占空比

≤

2.0%.

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超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或

其他参数）的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含

在本文中。 UTC产品并非设计用于生命支持设备，装置或系统中使用

这些产品的故障可合理预期会导致人身伤害。再现

本文件并不构成任何报价或合同的一部分提出的，被认为是准确的

可靠，可恕不另行通知。

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3 3

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