小信号一般
通用晶体管（ NPN ）
2N4400/2N4401
小信号通用晶体管（ NPN ）
特点
NPN硅外延晶体管开关和
扩增fi er应用
机械数据
案例：
终端：
重量：
TO- 92 ，塑料包装
每MIL -STD- 202G ，方法208
0.18克
TO-92
最大额定值
(T
环境
= 25°C除非另有说明）
符号
标识代码
描述
2N4400
2N4400
40
60
6.0
600
625
5.0
1.5
12
200
83.3
-55到+150
2N4401
2N4401
V
V
V
mA
mW
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
°C
单位
条件
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
P
D
P
D
R
θJA
R
θJC
T
J
,T
英镑
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
在T功耗
A
=25°C
减免上述25℃
在T功耗
C
=25°C
减免上述25℃
热阻结到环境空气
热阻结到外壳
操作和存储结温
范围
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版本A / AH 2008-03-05
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小信号通用晶体管（ NPN ）
2N4400/2N4401
电气特性
(T
环境
= 25°C除非另有说明）
2N4400
符号
描述
分钟。
马克斯。
-
-
-
0.40
0.75
0.95
1.20
100
100
-
-
-
150
-
7.5
8.0
-
6.5
30
250
30
15
20
225
30
分钟。
60
40
6.0
-
-
0.75
-
-
-
20
40
80
100
40
1.0
0.1
250
-
-
40
1.0
-
-
-
-
马克斯。
-
-
-
0.40
0.75
0.95
1.20
100
100
-
-
-
300
-
15
8.0
-
6.5
30
500
30
15
20
225
30
μS
nS
nS
nS
nS
k
x10
4
2N4401
单位
条件
I
C
= 100μA ，我
E
=0
I
C
= 1mA时，我
B
=0
I
E
= 100μA ，我
C
=0
I
C
= 150毫安，我
B
=15mA
I
C
= 500毫安，我
B
=50mA
I
C
= 150毫安，我
B
=15mA
I
C
= 500毫安，我
B
=50mA
V
EB
=0.4V, V
CE
=35V
V
EB
=0.4V, V
CE
=35V
V
CE
= 1V ，我
C
=0.1mA
V
CE
= 1V ，我
C
=1mA
V
CE
= 1V ，我
C
=10mA
V
CE
= 1V ，我
C
=150mA
V
CE
= 2V ，我
C
=500mA
V
CE
= 10V ，我
C
=1mA
f=1KHz,
V
CE
= 10V ，我
C
=1mA
f=1KHz,
V
CE
= 10V ，我
C
=20mA,
f=100MHz
V
CB
= 5V ，我
E
=0
f=100KHz,
V
EB
= 0.5V ，我
C
=0
f=100KHz,
V
CE
= 10V ，我
C
=1mA
f=1KHz,
V
CE
= 10V ，我
C
=1mA
f=1KHz,
V
CC
=30V, V
EB
=2V
I
C
= 150毫安，我
B1
=15mA
V
CC
= 30V ，我
C
=150mA
I
B1
=I
B2=
15mA
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO *
V
（ BR ） EBO
V
CE （SAT） *
V
BE （SAT） *
I
CEV
I
BEV
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
60
40
6.0
-
-
0.75
-
-
-
-
20
V
V
V
V
基极发射极饱和电压
集电极截止电流
基截止电流
V
nA
nA
h
FE *
直流电流增益
40
50
20
h
ie
h
re
f
T
C
CBO
C
EBO
h
fe
h
oe
t
d
t
r
t
s
t
f
*
脉冲
输入阻抗
电压反馈比例
电流增益带宽积
集电极 - 基极电容
发射极 - 基极电容
小信号电流增益
输出导纳
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
0.5
0.1
200
-
-
20
1.0
-
-
-
-
兆赫
pF
pF
测试：脉冲Width<300μs ，职务Cycle<2 ％
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小信号通用晶体管（ NPN ）
2N4400/2N4401
标识信息：
2N4400
2N4401
尺寸（mm）
TO-92
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小信号通用晶体管（ NPN ）
2N4400/2N4401
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