晶体管
2SD0638
(2SD638)
NPN硅外延平面型
对于中等功率一般放大
补充2SB0643 （ 2SB643 ）
(0.4)
(1.5)
(1.5)
6.9
±0.1
单位：mm
2.5
±0.1
(1.0)
2.0
±0.2
■
绝对最大额定值
T
a
=
25°C
参数
集电极 - 基极电压（发射极开路）
集电极 - 发射极电压（基本开）
发射极 - 基极电压（集电极开路）
集电极电流
峰值集电极电流
集电极耗散功率
*
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
T
j
T
英镑
等级
30
25
7
0.5
1
600
150
55
to
+150
单位
V
V
V
A
A
mW
°C
°C
1.0
±0.1
(0.85)
2.4
±0.2
0.45
±0.05
3
(2.5)
2
(2.5)
1
1.25
±0.05
0.55
±0.1
1 ：基本
2 ：收藏家
3 ：发射器
M- A1套餐
■
电气特性
T
a
=
25°C
±
3°C
参数
集电极 - 基极电压（发射极开路）
集电极 - 发射极电压（基本开）
发射极 - 基极电压（集电极开路）
集电极 - 基极截止电流（发射极开路）
基射极饱和电压
正向电流传输比
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CBO
I
首席执行官
h
FE1 *
h
FE2
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
（共同的基础，输入开路）
V
CE （ SAT ）
f
T
C
ob
条件
I
C
=
10
A,
I
E
=
0
I
C
=
2毫安，我
B
=
0
I
E
=
10
A,
I
C
=
0
V
CB
=
20 V，I
E
=
0
V
CE
=
20 V，I
B
=
0
V
CE
= 10 V，I
C
= 10毫安
V
CE
= 10 V，I
C
= 500毫安
I
C
=
300毫安，我
B
=
30毫安
V
CB
=
10 V，I
E
= 50
毫安，女
=
200兆赫
V
CB
=
10 V，I
E
=
0, f
=
1兆赫
85
40
90
0.35
200
6
15
0.6
V
兆赫
pF
民
30
25
7
0.1
1
340
典型值
最大
单位
V
V
V
A
A
注） 1.测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法晶体管。
2. * ：等级分类
秩
h
FE1
Q
85至170
R
120至240
S
170至340
注）括号中的部分数字表示以往的零件号。
出版日期： 2002年11月
SJC00193BED
4.1
±0.2
低集电极 - 发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
M型封装可以方便的自动和手动插入的
以及独立固定到印刷电路板上。
3.5
±0.1
■
特点
(1.0)
4.5
±0.1
R 0.9
R 0.7
1
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并在此材料中描述的半导体
（ 1）出口许可证需要从日本政府主管部门获得的
如果在此材料的任何产品或技术的描述和控制下"Foreign
外汇及外贸Law"是要出口或带出日本。
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识产权权利或本公司或第三方，也不授予任何许可拥有的任何其他权利。
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妈妈等级，工作电源电压的范围内，和热辐射特性。其它 -
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即使产品的保证值范围内使用，考虑到审议
分解，失效模式，可能的发病发生于半导体产品。措施
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产品。
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保质期的时间，让站在非密封件）同意在规格表后，
单独交流。
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松下电器产业株式会社许可
2002年七月
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