2N3724
2N3725
2N3725A
NPN硅晶体管
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
描述：
中央SEMICONDUCTOR 2N3724 ， 2N3725 ，
2N3725A类型NPN硅平面外延
设计用于高电压，大电流的晶体管，
高速开关应用。
标记：全部型号
TO- 39案例
最大额定值：
(TA=25°C)
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
峰值集电极电流
功耗
功率耗散（ TC = 25°C ）
工作和存储结温
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICM
PD
PD
TJ ， TSTG
2N3724
50
30
2N3725 2N3725A
80
80
50
50
6.0
1.2
1.75
0.8
1.0
3.5
5.0
-65到+200
单位
V
V
V
A
A
W
W
°C
0.8
3.5
电气特性：
（ TA = 25° C除非另有说明）
2N3724
2N3725
符号
测试条件
最小最大
最小最大
IB
VCE=50V
-
10
-
-
IB
VCE=80V
-
-
-
10
ICBO
VCB=40V
-
1.7
-
-
ICBO
VCB = 40V ， TA = 100℃
-
120
-
-
ICBO
VCB=60V
-
-
-
1.7
ICBO
VCB = 60V ， TA = 100℃
-
-
-
120
冰
VCE=50V
-
10
-
-
冰
VCE=80V
-
-
-
10
BVCBO
IC=10A
50
-
80
-
BVces
IC=10A
50
-
80
-
BVCEO
IC=10mA
30
-
50
-
BVEBO
IE=10A
6.0
-
6.0
-
VCE （ SAT ）
IC = 10毫安， IB = 1.0毫安
-
0.25
-
0.25
VCE （ SAT ）
IC = 100mA时IB = 10毫安
-
0.20
-
0.26
VCE （ SAT ）
IC = 300毫安， IB = 30毫安
-
0.32
-
0.40
VCE （ SAT ）
IC = 500毫安， IB = 50毫安
-
0.42
-
0.52
VCE （ SAT ）
IC = 800毫安， IB = 80毫安
-
0.65
-
0.80
VCE （ SAT ）
IC = 1.0A ， IB =百毫安
-
0.75
-
0.95
VBE （ SAT ）
IC = 10毫安， IB = 1.0毫安
-
0.76
-
0.76
VBE （ SAT ）
IC = 100mA时IB = 10毫安
-
0.86
-
0.86
VBE （ SAT ）
IC = 300毫安， IB = 30毫安
-
1.1
-
1.1
VBE （ SAT ）
IC = 500毫安， IB = 50毫安
0.80
1.1
0.80
1.1
VBE （ SAT ）
IC = 800毫安， IB = 80毫安
-
1.5
-
1.5
VBE （ SAT ）
IC = 1.0A ， IB =百毫安
-
1.7
-
1.7
2N3725A
最小最大
-
-
-
10
-
-
-
-
-
0.5
-
50
-
-
-
10
80
-
80
-
50
-
6.0
-
-
0.25
-
0.26
-
0.40
-
0.52
-
0.80
-
0.90
-
0.76
-
0.86
-
1.0
0.80
1.1
-
1.3
0.90
1.4
单位
A
A
A
A
A
A
A
A
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
R1 （ 2010年5月）
2N3724
2N3725
2N3725A
NPN硅晶体管
电气特性 - 续：
（ TA = 25° C除非另有说明）
2N3724
2N3725
符号
测试条件
最小值最大值最小值最大值
的hFE
VCE = 1.0V ， IC = 10毫安
30
-
30
-
的hFE
VCE = 1.0V ， IC =百毫安
60 150
60 150
的hFE
VCE = 1.0V ， IC = 300毫安
40
-
40
-
的hFE
VCE = 1.0V ， IC = 500毫安
35
-
35
-
的hFE
VCE = 2.0V ， IC = 800毫安
25
-
20
-
的hFE
VCE = 5.0V ， IC = 1.0A
30
-
25
-
的hFE
VCE = 5.0V ， IC = 1.5A
-
-
-
-
fT
VCE = 10V ， IC = 50mA时F = 100MHz的
300
-
300
-
COB
VCB = 10V ， IE = 0 ， F = 1.0MHz的
-
12
-
10
兴业银行
VEB = 0.5V ， IC = 0 ， F = 1.0MHz的
-
55
-
55
td
VCC = 30V ， IC = 500毫安， IB1 = 50毫安
-
10
-
10
tr
VCC = 30V ， IC = 500毫安， IB1 = 50毫安
-
30
-
30
吨
VCC = 30V ， IC = 500毫安， IB1 = 50毫安
-
35
-
35
ts
VCC = 30V ， IC = 500毫安， IB1 = IB2 = 50毫安
-
50
-
50
tf
VCC = 30V ， IC = 500毫安， IB1 = IB2 = 50毫安
-
25
-
25
花花公子
VCC = 30V ， IC = 500毫安， IB1 = IB2 = 50毫安
-
60
-
60
吨
VCC = 30V ， IC = 1.0A ， IB1 = IB2 = 100毫安
-
-
-
-
花花公子
VCC = 30V ， IC = 1.0A ， IB1 = IB2 = 100毫安
-
-
-
-
2N3725A
最小最大
30
-
60 150
40
-
35
-
25
-
25
-
20
-
300
-
-
10
-
55
-
10
-
30
-
35
-
50
-
25
-
60
-
50
-
50
单位
兆赫
pF
pF
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
TO- 39案例 - 机械外形
前导码：
1 ）发射
2 ）基
3 ）集电极
标记：
全部型号
R1 （ 2010年5月）
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
本站由ICminer.com电子图书馆服务版权所有2003
2N3724
尺寸以毫米（英寸） 。
8.51 (0.34)
9.40 (0.37)
7.75 (0.305)
8.51 (0.335)
在一个双极NPN器件
密封TO39
金属包装。
双极NPN装置。
6.10 (0.240)
6.60 (0.260)
12.70
(0.500)
分钟。
0.89
马克斯。
(0.035)
0.41 (0.016)
0.53 (0.021)
DIA 。
V
首席执行官
= 30V
5.08 (0.200)
典型值。
I
C
= 0.5A
2.54
(0.100)
2
1
0.74 (0.029)
1.14 (0.045)
0.71 (0.028)
0.86 (0.034)
3
所有Semelab密封产品
可根据被处理
BS ， CECC和JAN的要求，
JANTX ， JANTXV和JANS规格
45°
TO39 （ TO205AD ）
引脚配置
1 - 发射极
2 - 基
3 - 集电极
参数
V
首席执行官
*
I
C（ CONT ）
h
FE
f
t
P
D
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
30
0.5
单位
V
A
-
Hz
@ 1/0.1 (V
CE
/ I
C
)
60
300M
150
0.8
W
*最大工作电压
这是一个简易模式数据表。对于一个完整的数据表，请联系
sales@semelab.co.uk 。
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电子信箱：
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网址：
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产生
1-Aug-02
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