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数据表
MOS场效应
2SK3295
开关
N沟道功率MOS FET
工业用
描述
该2SK3295是,具有一个N沟道MOS FET器件
低通态电阻和开关特性优良,
设计用于低电压高电流的应用,如
直流/直流转换器与同步整流器。
订购信息
产品型号
2SK3295
2SK3295-S
2SK3295-ZK
2SK3295-ZJ
TO-220AB
TO-262
TO-263(MP-25ZK)
TO-263(MP-25ZJ)
特点
4.5 V驱动器可用
低通态电阻
R
DS(on)1
= 18 mΩ以下。 (V
GS
= 10 V,I
D
= 18 A)
低栅电荷
Q
G
= 16 NC TYP 。 (我
D
= 35 A,V
DD
= 16 V, V
GS
= 10 V)
内置栅极保护二极管
表面贴装器件提供
绝对最大额定值(T
A
= 25°C)
漏源极电压(V
GS
= 0 V)
门源电压(V
DS
= 0 V)
漏电流( DC ) (T
C
= 25°C)
漏电流(脉冲)
V
DSS
V
GSS
I
D( DC)的
I
D(脉冲)
P
T1
P
T2
T
ch
T
英镑
20
±20
±35
±140
1.5
35
150
55
+150
V
V
A
A
W
W
°C
°C
总功率耗散(T
A
= 25°C)
总功率耗散(T
C
= 25°C)
通道温度
储存温度
PW
10
S,占空比
1%
本文档中的信息如有更改,恕不另行通知。使用本文档,请前
证实,这是最新版本。
不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查
供应及其他信息。
一号文件D14064EJ2V0DS00 (第2版)
发布日期2001年4月NS CP ( K)
日本印刷
商标
!
表示主要修改点。
1999, 2000
2SK3295
电气特性(T
A
= 25°C)
特征
零栅极电压漏极电流
栅极漏电流
门放电截止电压
正向转移导纳
漏极至源极导通电阻
符号
I
DSS
I
GSS
V
GS ( OFF )
| y
fs
|
R
DS(on)1
R
DS(on)2
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
体二极管正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
F( S- D)的
t
rr
Q
rr
V
DD
= 16 V
V
GS
= 10 V
I
D
= 35 A
I
F
= 35 A,V
GS
= 0 V
I
F
= 35 A,V
GS
= 0 V
的di / dt = 100 A /
s
测试条件
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V
V
GS
=
±20
V, V
DS
= 0 V
V
DS
= 10 V,I
D
= 1毫安
V
DS
= 10 V,I
D
= 18 A
V
GS
= 10 V,I
D
= 18 A
V
GS
= 4.5 V,I
D
= 18 A
V
DS
= 10 V
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
V
DD
= 10 V,I
D
= 18 A
V
GS ( ON)
= 10 V
R
G
= 10
1.0
7.5
13
21
720
370
180
85
2000
65
270
16
3.1
5.2
1.0
28
14
18
27
分钟。
典型值。
马克斯。
10
±10
2.5
单位
A
A
V
S
m
m
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
ns
nC
测试电路1开关时间
测试电路2栅极电荷
D.U.T.
R
L
PG 。
R
G
V
DD
I
D
V
GS
0
τ
τ
= 1
s
占空比
1%
I
D
电波表
V
GS
V
GS
电波表
0
10%
V
GS
(上)
90%
D.U.T.
I
G
= 2毫安
50
R
L
V
DD
90%
90%
PG 。
I
D
0 10%
10%
t
D(上)
t
on
t
r
t
D(关闭)
t
关闭
t
f
2
数据表D14064EJ2V0DS
2SK3295
典型特征(T
A
= 25°C)
漏电流与
漏源极电压
160
V
GS
=10 V
I
D
- 漏电流 - 一个
1000
100
正向传递特性
脉冲
V
DS
= 10 V
120
I
D
- 漏电流 - 一个
7.0 V
10
1
0.1
0.01
T
ch
=
50C
25C
25C
75C
150C
80
40
4.5 V
0
脉冲
0
1
2
3
0.001
0
1
2
3
4
5
6
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
门源截止电压主场迎战
通道温度
正向转移导纳主场迎战
漏电流
V
GS ( OFF )
- 门源截止电压 - V
3
V
DS
= 10 V
I
D
= 1毫安
| y
fs
| - 正向转移导纳 - S
100
2
10
T
ch
= 150C
75C
25C
50C
1
1
0
50
0
50
100
150
0.1
0.1
1
10
V
DS
= 10 V
脉冲
100
T
ch
- 通道温度 - C
I
D
- 漏电流 - 一个
R
DS ( ON)
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
50
脉冲
40
30
I
D
= 28 A
18 A
7A
R
DS ( ON)
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
漏极至源极导通电阻与
栅极至源极电压
漏极至源极导通状态
电阻与漏极电流
50
脉冲
40
30
V
GS
= 4.5 V
7.0 V
10 V
20
20
10
10
0
1
10
100
1000
I
D
- 漏电流 - 一个
0
0
5
10
15
20
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
数据表D14064EJ2V0DS
3
2SK3295
R
DS ( ON)
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
漏极至源极导通电阻与
通道温度
40
I
D
= 18 A
脉冲
V
GS
= 4.5 V
1000
源极到漏极二极管
正向电压
脉冲
V
GS
= 10 V
4.5 V
10
1
0V
I
SD
- 二极管正向电流 - 一个
100
30
7.0 V
20
10 V
10
0.1
0
50
0
50
100
150
0.01
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
T
ch
- 通道温度 - C
V
SD
- 源极到漏极电压 - V
电容与漏极TO
源极电压
10000
开关特性
10000
t
D(上)
, t
r
, t
D(关闭)
, t
f
- 开关时间 - NS
C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
- 电容 - pF的
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
t
r
1000
t
f
100
t
D(关闭)
10
1000
C
国际空间站
C
OSS
100
C
RSS
t
D(上)
V
DD
= 10 V
V
GS
= 10 V
R
G
= 10
10
0.1
1
10
100
1
0.1
1
10
100
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
I
D
- 漏电流 - 一个
反向恢复时间对比
二极管的正向电流
1000
t
rr
- 反向恢复时间 - NS
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
动态输入/输出特性
20
I
D
= 35 A
14
15
V
DD
= 16 V
10 V
4V
12
10
V
GS
8
6
5
V
DS
0
0
5
10
15
Q
G
- 栅极电荷 - 数控
4
2
0
20
16
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
100
10
10
1
0.1
的di / dt = 100 A /
s
V
GS
= 0 V
1
10
100
I
SD
- 二极管正向电流 - 一个
4
数据表D14064EJ2V0DS
2SK3295
正向偏置的降额因子
安全工作区
总功耗对比
外壳温度
50
胸苷 - 百分比额定功率 - %
100
80
60
40
P
T
- 总功耗 - W
0
20
40
60
80
120 140
160
40
30
20
10
20
0
100
0
0
20
40
60
80
100
120 140
160
T
ch
- 通道温度 -
C
T
C
- 外壳温度 - C
!
1000
正向偏置安全工作区
I
D
- 漏电流 - 一个
I
D(脉冲)
100
10
d
ITE )
IM 0 V
1
)
L
on
=
S(
S
R
D
V
G
(@
I
D( DC)的
P
ow
er
PW
=1
0
s
Di
ss
IPA
TIO
n
10
0
s
30
0
s
1m
s
3
10毫秒
m
s
1
0.1
T
C
= 25C
单脉冲
LIM
ITE
d
DC
1
10
100
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
瞬态热阻与脉冲宽度
1000
r
日(T )
- 瞬态热阻 - C / W
100
R
第(章-a)的
= 83.3C / W
10
R
TH( CH-C )
= 3.57C / W
1
0.1
单脉冲
0.01
10
100
1m
10 m
100 m
1
10
100
1000
PW - 脉冲宽度 - 秒
数据表D14064EJ2V0DS
5
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    -
    -
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