2N1671 - 2N1671A - 2N1671B
PN BAR型硅单结晶体管
它们是专为中等功率开关,振荡器和脉冲时序电路。
封装外形相似, TO- 5 ,除了
高度稳定的负阻和着火电压
低起动电流
高脉冲个当前能力
简化的电路设计
绝对最大额定值
符号
V
B1E
V
B2E
V
B1B2
I
疲劳风险管理
I
EM
P
合计
T
J
T
英镑
评级
基地1 - 发射极反向电压
2N1671
2N1671A
2N1671B
2N1671
2N1671A
2N1671B
2N1671
2N1671A
2N1671B
2N1671
2N1671A
2N1671B
2N1671
2N1671A
2N1671B
2N1671
2N1671A
2N1671B
2N1671
2N1671A
2N1671B
2N1671
2N1671A
2N1671B
价值
30
单位
V
基地2 - 发射极反向电压
30
V
IB的电压
35
V
RMS发射极电流
50
mA
发射极峰值电流
2
A
总功耗
450
mW
最大结
150
°C
-55到+150
存储温度范围
这个数据保证除了JEDEC的注册数据
半导体COMSET
1/2
2N1671 - 2N1671A - 2N1671B
电气特性
TC = 25° C除非另有说明
符号
I
EB2O
V
EB1(sat)
R
BBO
评级
发射极反向电流
测试条件(S )
V
B2E
=30 V,
I
B1
= 0
最小典型单位的Mx
2N1671
2N1671A
2N1671B
2N1671
2N1671A
2N1671B
2N1671
2N1671A
2N1671B
2N1671
2N1671A
2N1671B
2N1671
2N1671A
2N1671B
2N1671
2N1671A
2N1671B
-
-
-
-
-
-
4.7
4.7
4.7
0.47
0.47
0.47
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-12
-12
-0.2
5
5
5
9.1
9.1
9.1
0.62
0.62
0.62
8
8
8
25
25
6
A
发射极饱和电压
V
B2B1
= 10 V,
I
E
= 50毫安
V
IB的阻力
V
B2B1
= 3 V, ,
I
E
= 0
K
η
I
V
I
P
内在的对峙比
V
B2B1
= 10 V
-
谷值电流
V
B2B1
= 10 V ,R
B2
= 100
mA
峰值电流
V
B2B1
= 25 V
A
机械数据案例TO- 5
提供的资料被认为是准确和可靠。然而, CS不承担任何责任
使用该等信息造成的后果,也没有对可能出现的错误。
资料如有变更,恕不另行通知。
半导体COMSET
2/2
2N1671 - 2N1671A - 2N1671B
PN BAR型硅单结晶体管
它们是专为中等功率开关,振荡器和脉冲时序电路。
封装外形相似, TO- 5 ,除了
高度稳定的负阻和着火电压
低起动电流
高脉冲个当前能力
简化的电路设计
绝对最大额定值
符号
V
B1E
V
B2E
V
B1B2
I
疲劳风险管理
I
EM
P
合计
T
J
T
英镑
评级
基地1 - 发射极反向电压
2N1671
2N1671A
2N1671B
2N1671
2N1671A
2N1671B
2N1671
2N1671A
2N1671B
2N1671
2N1671A
2N1671B
2N1671
2N1671A
2N1671B
2N1671
2N1671A
2N1671B
2N1671
2N1671A
2N1671B
2N1671
2N1671A
2N1671B
价值
30
单位
V
基地2 - 发射极反向电压
30
V
IB的电压
35
V
RMS发射极电流
50
mA
发射极峰值电流
2
A
总功耗
450
mW
最大结
150
°C
-55到+150
存储温度范围
这个数据保证除了JEDEC的注册数据
半导体COMSET
1/2
2N1671 - 2N1671A - 2N1671B
电气特性
TC = 25° C除非另有说明
符号
I
EB2O
V
EB1(sat)
R
BBO
评级
发射极反向电流
测试条件(S )
V
B2E
=30 V,
I
B1
= 0
最小典型单位的Mx
2N1671
2N1671A
2N1671B
2N1671
2N1671A
2N1671B
2N1671
2N1671A
2N1671B
2N1671
2N1671A
2N1671B
2N1671
2N1671A
2N1671B
2N1671
2N1671A
2N1671B
-
-
-
-
-
-
4.7
4.7
4.7
0.47
0.47
0.47
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-12
-12
-0.2
5
5
5
9.1
9.1
9.1
0.62
0.62
0.62
8
8
8
25
25
6
A
发射极饱和电压
V
B2B1
= 10 V,
I
E
= 50毫安
V
IB的阻力
V
B2B1
= 3 V, ,
I
E
= 0
K
η
I
V
I
P
内在的对峙比
V
B2B1
= 10 V
-
谷值电流
V
B2B1
= 10 V ,R
B2
= 100
mA
峰值电流
V
B2B1
= 25 V
A
机械数据案例TO- 5
提供的资料被认为是准确和可靠。然而, CS不承担任何责任
使用该等信息造成的后果,也没有对可能出现的错误。
资料如有变更,恕不另行通知。
半导体COMSET
2/2
2N1671 - 2N1671A - 2N1671B
PN BAR型硅单结晶体管
它们是专为中等功率开关,振荡器和脉冲时序电路。
封装外形相似, TO- 5 ,除了
高度稳定的负阻和着火电压
低起动电流
高脉冲个当前能力
简化的电路设计
绝对最大额定值
符号
V
B1E
V
B2E
V
B1B2
I
疲劳风险管理
I
EM
P
合计
T
J
T
英镑
评级
基地1 - 发射极反向电压
2N1671
2N1671A
2N1671B
2N1671
2N1671A
2N1671B
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2N1671A
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2N1671A
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2N1671A
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2N1671
2N1671A
2N1671B
2N1671
2N1671A
2N1671B
价值
30
单位
V
基地2 - 发射极反向电压
30
V
IB的电压
35
V
RMS发射极电流
50
mA
发射极峰值电流
2
A
总功耗
450
mW
最大结
150
°C
-55到+150
存储温度范围
这个数据保证除了JEDEC的注册数据
半导体COMSET
1/2
2N1671 - 2N1671A - 2N1671B
电气特性
TC = 25° C除非另有说明
符号
I
EB2O
V
EB1(sat)
R
BBO
评级
发射极反向电流
测试条件(S )
V
B2E
=30 V,
I
B1
= 0
最小典型单位的Mx
2N1671
2N1671A
2N1671B
2N1671
2N1671A
2N1671B
2N1671
2N1671A
2N1671B
2N1671
2N1671A
2N1671B
2N1671
2N1671A
2N1671B
2N1671
2N1671A
2N1671B
-
-
-
-
-
-
4.7
4.7
4.7
0.47
0.47
0.47
-
-
-
-
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-12
-12
-0.2
5
5
5
9.1
9.1
9.1
0.62
0.62
0.62
8
8
8
25
25
6
A
发射极饱和电压
V
B2B1
= 10 V,
I
E
= 50毫安
V
IB的阻力
V
B2B1
= 3 V, ,
I
E
= 0
K
η
I
V
I
P
内在的对峙比
V
B2B1
= 10 V
-
谷值电流
V
B2B1
= 10 V ,R
B2
= 100
mA
峰值电流
V
B2B1
= 25 V
A
机械数据案例TO- 5
提供的资料被认为是准确和可靠。然而, CS不承担任何责任
使用该等信息造成的后果,也没有对可能出现的错误。
资料如有变更,恕不另行通知。
半导体COMSET
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