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功率晶体管
2SB1416
PNP硅外延平面型
单位:mm
对于低频功率放大
3.8
±0.2
7.5
±0.2
4.5
±0.2
补充2SD2136
I
特点
高正向电流传输比H
FE
它具有良好的
线性
低集电极到发射极饱和电压V
CE ( SAT )
允许自动插入径向编带
10.8
±0.2
0.65
±0.1
2.5
±0.1
0.85
±0.1
1.0
±0.1
0.8 C
90
0.8 C
16.0
±1.0
0.7
±0.1
0.7
±0.1
1.15
±0.2
1.15
±0.2
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
英镑
等级
60
60
5
5
3
1.5
150
55
to
+150
单位
V
V
V
A
A
W
°C
°C
0.8 C
1
2
3
2.5
±0.2
2.5
±0.2
1 :发射器
2 :收藏家
3 :基本
MT- 3 ( MT3型包)
I
电气特性
T
C
=
25°C
参数
收藏家Cuto FF电流
符号
I
CES
I
首席执行官
发射Cuto FF电流
集电极到发射极电压
正向电流传输比
I
EBO
V
首席执行官
h
FE1 *
h
FE2
集电极到发射极饱和电压
基地发射极饱和电压
跃迁频率
开启时间
贮存时间
下降时间
注) *:等级分类
h
FE1
P
4090
Q
70至150
R
120至250
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
f
T
t
on
t
英镑
t
f
条件
V
CE
=
60
V, V
BE
= 0
V
CE
=
30
V,I
B
= 0
V
EB
=
5
V,I
C
= 0
I
C
=
30
妈,我
B
= 0
V
CE
=
4
V,I
C
=
1
A
V
CE
=
4
V,I
C
=
3
A
I
C
=
3
A,I
B
=
0.375 A
V
CE
=
4
V,I
C
=
3
A
V
CB
=
5
V,I
E
= 0.1 A , F = 200 MHz的
I
C
=
1
A,I
B1
=
0.1 A,I
B2
= 0.1 A
0.5
1.2
0.3
60
40
10
1.8
1.2
270
V
V
兆赫
s
s
s
250
典型值
最大
200
300
1
单位
A
A
mA
V
2.05
±0.2
I
绝对最大额定值
T
C
=
25°C
0.5
±0.1
0.4
±0.1
1
2SB1416
P
C
T
a
2.0
无散热片
1.2
Ta=25C
1.0
I
B
=–8mA
功率晶体管
I
C
V
CE
120
V
CE
=–4V
25C
100
I
C
V
BE
集电极耗散功率P
C
(W)
集电极电流I
C
(A)
–7mA
0.8
–6mA
0.6
–5mA
–4mA
0.4
–3mA
–2mA
0.2
–1mA
集电极电流I
C
(A)
1.6
Ta=75C
80
–25C
1.2
60
0.8
40
0.4
20
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0
0
2
4
6
8
10
12
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
环境温度T
a
(C)
集电极到发射极电压V
CE
(V)
基极至发射极电压V
BE
(V)
V
CE ( SAT )
I
C
集电极到发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
10
I
C
/I
B
=8
240
h
FE
I
C
300
V
CE
=–4V
f
T
I
C
V
CB
=–5V
f=200MHz
T
C
=25C
正向电流传输比H
FE
200
过渡频率f
T
(兆赫)
1000
Ta=75C
250
1
160
25C
200
0.1
Ta=75C
Ta=25C
Ta=–25C
0.01
120
–25C
150
80
100
40
50
0.001
1
10
100
1000
0
1
10
100
0
–0.01 –0.03 –0.1 –0.3
–1
–3
–10
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(MA )
集电极电流I
C
(A)
安全操作区( ASO )
–100
–30
单脉冲
T
C
=25C
10
4
R
日(T )
t
无散热片
热阻R
th
(吨)( C / W)
集电极电流I
C
(A)
10
3
–10
I
CP
–3
–1
DC
–0.3
–0.1
I
C
t=10ms
t=1ms
10
2
10
1
–0.03
–0.01
–0.1 –0.3
–1
–3
–10
–30
–100
10
–1
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
10
10
2
10
3
10
4
集电极到发射极电压V
CE
(V)
时间t (S )
2
请求您的特别关注和注意事项使用的技术信息
并在此材料中描述的半导体
( 1)出口许可证需要从日本Govern-主管部门获得的
换货如果有下这种材料描述和控制的产品或技术
& QUOT ;外汇及外国贸易法& QUOT ;要导出或带出日本。
( 2 )在本材料中描述的技术信息仅限于展示代表character-
istics和产品的应用电路示例。它不构成产业的值得
物业,给予相对权利,或者给予任何许可。
(3)在此材料中描述的产品旨在被用于标准的应用程序或gen-
ERAL电子设备(如办公设备,通讯设备,测量IN-
struments和家用电器) 。
提前为下列应用程序的信息,请咨询我们的销售人员:
特殊应用(例如用于飞机,航天,汽车,交通控制设备,
燃烧设备,生命支持系统和安全装置),其中卓越的品质和
可靠性是必需的,或者如果产品的失效或故障可能直接危及生命或
对人体的危害。
任何应用程序比预期的标准应用程序等。
( 4 )在这种材料中描述的产品和产品规格如有变更,恕不
通知进行修改和/或改进的原因。在设计的最后阶段,采购
荷兰国际集团,或使用的产品,因此,事先要求的最先进的最新产品标准
确保最新的技术规格满足您的要求。
( 5 )在设计你的装备,符合保障的价值,特别是对马克西 -
妈妈等级,操作电源电压和热辐射特性的范围内。其它 -
明智的,我们不会为可能在你的设备后出现的任何缺陷承担责任。
即使产品的保证值范围内使用,多余的设计建议,
所以,这样的设备可能没有违反,因为功能的有关法律,法规我们
产品。
( 6 )使用了该干的包装要求的产品,观察条件(包括保质期
及后拆包待机时间)约定,当规格表被单独更换。
( 7 )本资料的任何部分,未经书面许可,不得转载或复制任何手段
从我们公司。
使用数据表之前,请仔细阅读下面的注意事项
A.这些材料的目的是作为参考,以帮助客户松下的选择
半导体产品最适合他们的应用程序。
由于变形或其他原因,本资料中的任何信息,如可用的
产品类型,技术参数等,如有更改,恕不另行通知。
建议客户联系我们的半导体销售办事处,并获得最新信息
在开始之前,精确的技术研究和/或采购活动。
B.松下正在努力不断改进这些材料的质量和可靠性,但
总是有进一步的纠正将被要求在未来的可能性。因此,
松下将不承担任何错误等,可能AP-而引起的任何损失承担任何责任
梨在这种材料。
C.这些材料仅适用于客户的个人使用。
因此,如果没有松下的事先书面同意,任何其他用途,如再现,
销售或分发该材料给第三方,通过互联网或以任何其他方式,是禁止的。
2001年MAR
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
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√ 欧美㊣品
▲10/11+
9019
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