废弃的设备
28C16A
16K （ 2K ×8 ）的CMOS EEPROM
特点
快速读取访问时间150纳秒
CMOS技术的低功耗
- 30毫安活动
- 100
A
待机
快速字节写入时间-200
s
或1毫秒
数据保留>200年
高耐用性 - 最小10
4
擦/写周期
自动写操作
- 内部控制定时器
- 自动清除写入操作之前
- 片内地址和数据锁存器
- 数据查询
芯片清零操作
增强的数据保护
- V
CC
探测器
- 脉冲滤波器
- 写保护
电子签名的设备标识
5伏，只有操作
组织2Kx8 JEDEC标准引脚
24引脚双列直插式封装
?? 32引脚PLCC封装
可扩展工作温度范围：
- 商业： 0 ° C至+ 70°C
- 工业级： -40 ° C至+ 85°C
封装类型
32
VCC
31
WE
18
19
4
A7
3
NC
2
NC
1
NU
引脚1指示灯PLCC封装的顶部
框图
I/O0
I/O7
V
SS
V
CC
CE
OE
WE
数据保护
电路
CHIP ENABLE /
OUTPUT ENABLE
控制逻辑
自动擦除/写
定时
数据
调查
编程电压
GENERATION
A0
描述
Microchip Technology Inc.的28C16A是CMOS 16K
非易失性电可擦除的PROM 。该28C16A
如同一个静态RAM的读或写访问
循环而没有外部元件的需要。能很好地协同
荷兰国际集团是“写字节” ，地址和数据锁存
在内部，释放微处理器的地址和数据
总线用于其它操作。以下的引发
写周期，设备将进入繁忙状态，并自动
matically清晰，编写使用的锁存数据
内部控制定时器。确定何时一个写周期
完成后， 28C16A使用数据轮询。数据poll-
荷兰国际集团允许用户读取最后写入到的位置
当写操作完成。 CMOS设计
和处理使此部分在系统中使用
其中，降低功耗和可靠性是
所需。包的一个完整的家庭是提供给
提供在应用程序中最大的灵活性。
A10
L
a
t
c
h
e
s
Y
解码器
X
解码器
2004年Microchip的科技公司
I/O1
I/O2
VSS
NU
I/O3
I/O4
I/O5
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
VCC
A8
A6
A9
A5
WE
A4
OE
A3
A10
A2
CE
A1
I / O7 A0
I / O6 NC
I / O5 I / O0
I/O4
I/O3
30
NC
29
A8
28
A9
27
NC
26
NC
25
OE
24
A10
23
CE
22
I/O7
21
I/O6
20
5
6
7
PLCC
8
9
10
11
12
13
14
15
16
输入/输出
缓冲器
16K位
细胞矩阵
DS11125J第1页
17
DIP
门控
28C16A
1.0
1.1
电气特性
最大额定值*
表1-1：
名字
A0 - A10
CE
OE
WE
I / O0 - I / O7
V
CC
V
SS
NC
NU
引脚功能表
功能
地址输入
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
数据输入/输出
+ 5V电源
地
无连接;无内部连接
未使用;无需外部连接是
允许
V
CC
与输入电压w.r.t. V
SS
....... -0.6V至+ 6.25V
在OE w.r.t.电压V
SS
...................... -0.6V至+ 13.5V
在A9 w.r.t.电压V
SS
...................... -0.6V至+ 13.5V
输出电压w.r.t. V
SS
.................- 0.6V至V
CC
+0.6V
储存温度..........................- 65 ° C至+ 125°C
环境温度。电源采用.......- 50 ° C至+ 95°C
*注意：
条件超过上述“绝对最大值”上市
可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力额定
荷兰国际集团的设备仅运行在超过或任何
上述其他条件的操作列表说明
本规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值CON-
ditions长时间可能会影响器件的可靠性。
表1-2：
读/写操作直流特性
V
CC
= +5V
±10%
商业（ C） ：环境温度Tamb = 0°C
to
产业
（Ⅰ） ：环境温度Tamb = -40℃至
+70°C
+85°C
条件
参数
输入电压
输入漏
输入电容
输出电压
输出漏
输出电容
电源电流，
活跃
电源电流，
待机
状态
逻辑“1”的
逻辑0 ;
—
—
逻辑“1”的
逻辑“0”的
—
—
TTL输入
TTL输入
TTL输入
CMOS输入
符号
V
IH
V
IL
I
LI
C
IN
V
OH
V
OL
I
LO
C
OUT
I
CC
I
CC
(
S
)
TTL
I
CC
(
S
)
TTL
I
CC
(
S
)
CMOS
民
2.0
-0.1
-10
—
2.4
最大
V
CC
+1
0.8
10
10
单位
V
V
A
pF
V
V
A
pF
mA
mA
mA
A
V
IN
= -0.1V到V
CC
+1
V
IN
= 0V ;环境温度Tamb = 25°C ;
F = 1 MHz的
I
OH
= -400A
I
OL
= 2.1毫安
V
OUT
= -0.1V到V
CC
+0.1V
V
IN
= 0V ;环境温度Tamb = 25°C ;
F = 1 MHz的
F = 5兆赫（注1）
V
CC
= 5.5V;
CE = V
IH
（ 0 ° C至+ 70 ° C）
CE = V
IH
（ -40 ° C至+ 85°C ）
CE = V
CC
-0.3到V
CC
+1
OE = V
CC
其他输入等于V
CC
或V
SS
0.45
-10
—
—
—
10
12
30
2
3
100
注1 ：
交流电源的电流5MHz以上; 1毫安/ MHz的。
DS11125J第2页
2004年Microchip的科技公司
28C16A
表1-3：
读操作交流特性
AC测试波形：
输出负载：
输入上升和下降时间：
环境温度：
28C16A-15
参数
地址输出延迟
CE到输出延迟
OE为输出延迟
CE或OE高到输出浮动
从CE或OE输出保持，
以先到为准科幻RST
耐力
符号
民
t
加
t
CE
t
OE
t
关闭
t
OH
—
—
—
—
0
0
1M
最大
150
150
70
50
—
—
民
—
—
—
0
0
1M
最大
200
200
80
55
—
—
民
—
—
—
0
0
1M
最大
250
250
100
70
—
—
ns
ns
ns
ns
ns
周期25 ° C， VCC =
5.0V座
模式（注）
OE = CE = V
IL
OE = V
IL
CE = V
IL
V
IH
= 2.4V; V
IL
= 0.45V; V
OH
= 2.0V ;卷= 0.8V
1 TTL负载+ 100pF的
20纳秒
商业（ C） ：环境温度Tamb = 0°C到+ 70℃
工业级（I ） ：
环境温度Tamb = -40°C至+ 85°C
28C16A-20
28C16A-25
单位
条件
注：此参数没有进行测试，但性能可以保证。对于一个特定的应用程序估计耐用性
阳离子，请咨询可在我们的BBS或网站获得的总耐力模式。
图1-1：
读操作波形
V
IH
地址
V
IL
V
IH
CE
V
IL
t
CE(2)
V
IH
OE
V
IL
t
OE(2)
V
OH
数据
V
OL
V
IH
WE
V
IL
注：（1 ）T
关闭
被指定为OE或CE ，以先到为准
（ 2 ） OE可能会延迟到t
CE
- t
OE
CE没有对T的影响下降沿后
（3 ）该参数进行采样，不是100 ％的测试
t
加
高Z
t
OFF(1,3)
t
OH
有效的输出
高Z
地址有效
CE
2004年Microchip的科技公司
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28C16A
表1-4：
字节写AC特性
AC测试波形：
输出负载：
输入上升/下降时间：
环境温度：
参数
地址建立时间
地址保持时间
数据建立时间
数据保持时间
把脉冲宽度
写脉冲高电平时间
OE保持时间
OE建立时间
数据有效时间
写周期时间（ 28C16A ）
写周期时间（ 28C16AF ）
符号
t
AS
t
AH
t
DS
t
DH
t
WPL
t
WPH
t
OEH
t
OES
t
DV
t
WC
t
WC
民
10
50
50
10
100
50
10
10
—
—
—
V
IH
= 2.4V和V
IL
= 0.45V; V
OH
= 2.0V; V
OL
= 0.8V
1 TTL负载+ 100 pF的
20纳秒
商业（ C） ：
环境温度Tamb = 0°C至+ 70°C
产业
(I):
环境温度Tamb = -40°C至+ 85°C
最大
—
—
—
—
—
—
—
—
1000
1
200
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
s
注2
0.5毫秒的典型
100
s
典型
注1
备注
注1 ：在写周期可以启动具有CE或WE变低，最后的为准。该数据被锁存的POS-
CE或WE的可持续的竞争优势，以先到为准科幻RST 。
2 ：数据必须在最大1000ns最大有效。之后开始写周期，并且必须是稳定的，至少直到吨
DH
WE或CE的上升沿后，以先到为准科幻RST 。
图1-2：
编程波形
V
IH
地址
V
IL
V
IH
CE， WE
V
IL
t
DV
DATA IN
V
IH
V
IL
t
OES
V
IH
OE
V
IL
t
OEH
t
DS
t
AS
t
AH
t
WPL
t
DH
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