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2N4401
首选设备
通用
晶体管
NPN硅
特点
http://onsemi.com
无铅包可用*
集热器
3
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
器件总功耗
@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
器件总功耗
@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
P
D
625
5.0
P
D
1.5
12
T
J
, T
英镑
-55到+150
W
毫瓦/°C的
°C
mW
毫瓦/°C的
1
2
3
价值
40
60
6.0
600
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
2
BASE
1
辐射源
记号
2N
4401
YWW
TO92
CASE 29
风格1
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值(不
正常工作条件下),并同时无效。如果这些限制
被超过,设备功能操作不暗示,可能会损坏
和可靠性可能会受到影响。
Y
WW
=年
=工作周
热特性
特征
热阻,
结到环境
热阻,
结到外壳
符号
R
qJA
R
QJC
最大
200
83.3
单位
° C / W
° C / W
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第3页。
*有关我们的无铅战略和焊接细节,更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术参考
手动, SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司, 2004年
1
2004年6月 - 第1版
出版订单号:
2N4401/D
2N4401
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
特征
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压(注1 )
(I
C
= 1.0 MADC ,我
B
= 0)
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
= 0.1 MADC ,我
E
= 0)
发射极 - 基极击穿电压
(I
E
= 0.1 MADC ,我
C
= 0)
基地截止电流
(V
CE
= 35 VDC ,V
EB
= 0.4伏)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 35 VDC ,V
EB
= 0.4伏)
基本特征
(注1 )
直流电流增益
(I
C
= 0.1 MADC ,V
CE
= 1.0伏)
(I
C
= 1.0 MADC ,V
CE
= 1.0伏)
(I
C
= 10 MADC ,V
CE
= 1.0伏)
(I
C
= 150 MADC ,V
CE
= 1.0伏)
(I
C
= 500 MADC ,V
CE
= 2.0伏)
集电极 - 发射极饱和电压(I
C
= 150 MADC ,我
B
= 15 MADC )
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 500 MADC ,我
B
= 50 MADC )
基射极饱和电压(I
C
= 150 MADC ,我
B
= 15 MADC )
基射极饱和电压
(I
C
= 500 MADC ,我
B
= 50 MADC )
小信号特性
电流增益 - 带宽积(我
C
= 20 MADC ,V
CE
= 10 VDC , F = 100兆赫)
集电极 - 基极电容(V
CB
= 5.0伏,我
E
= 0中,f = 1.0 MHz)的
发射极 - 基极电容(V
EB
= 0.5伏,我
C
= 0中,f = 1.0 MHz)的
输入阻抗(我
C
= 1.0 MADC ,V
CE
= 10 VDC , F = 1.0千赫)
电压反馈比率(I
C
= 1.0 MADC ,V
CE
= 10 VDC , F = 1.0千赫)
小信号电流增益(I
C
= 1.0 MADC ,V
CE
= 10 VDC , F = 1.0千赫)
输出导纳(我
C
= 1.0 MADC ,V
CE
= 10 VDC , F = 1.0千赫)
开关特性
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
(V
CC
= 30伏直流电,V
BE
= 2.0伏,
I
C
= 150 MADC ,我
B1
= 15 MADC )
(V
CC
= 30伏直流电,我
C
= 150 MADC ,
I
B1
= I
B2
= 15 MADC )
t
d
t
r
t
s
t
f
15
20
225
30
ns
ns
ns
ns
f
T
C
cb
C
eb
h
ie
h
re
h
fe
h
oe
250
1.0
0.1
40
1.0
6.5
30
15
8.0
500
30
兆赫
pF
pF
千欧
X 10
4
毫姆欧
h
FE
20
40
80
100
40
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
0.75
300
0.4
0.75
0.95
1.2
VDC
VDC
V
( BR ) CEO
V
( BR ) CBO
V
( BR ) EBO
I
BEV
I
CEX
40
60
6.0
0.1
0.1
VDC
VDC
VDC
MADC
MADC
符号
最大
单位
1.脉冲测试:脉冲宽度
300
女士,
占空比
2.0%.
http://onsemi.com
2
2N4401
订购信息
设备
2N4401
2N4401RLRA
2N4401RLRAG
2N4401RLRM
2N4401RLRP
2N4401RLRPG
2N4401ZL1
TO92
TO92
TO92
(无铅)
TO92
TO92
TO92
(无铅)
TO92
航运
5000套/箱
2000 /磁带&卷轴
2000 /磁带&卷轴
2000 /弹药包
2000 /弹药包
2000 /弹药包
2000 /弹药包
有关磁带和卷轴规格,包括部分方向和磁带大小,请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册, BRD8011 / D 。
切换时间等效测试电路
+30 V
+16 V
0
2.0 V
1.0-100
女士,
占空比
2.0%
1.0 KW
& LT ; 2.0纳秒
200
W
+16 V
0
C
S
* < 10 pF的
14 V
< 20纳秒
1.0-100
女士,
占空比
2.0%
1.0 KW
+30 V
200
W
C
S
* < 10 pF的
4.0 V
范围上升时间< 4.0纳秒
*测试夹具的连接器共有并联电容和示波器
图1.开启时间
图2.开启,关闭时间
暂态特性
25°C
30
20
电容(pF)
Q, CHARGE ( NC)
C
敖包
10
7.0
5.0
C
cb
3.0
2.0
0.1
100°C
10
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
Q
A
10
20
30
50
70
100
200
300
500
Q
T
V
CC
= 30 V
I
C
/I
B
= 10
0.2 0.3 0.5
1.0
2.0 3.0 5.0
10
20 30
50
反向电压(伏)
I
C
,集电极电流(毫安)
图3的电容
图4.收费数据
http://onsemi.com
3
2N4401
100
70
50
T, TIME ( NS )
T, TIME ( NS )
30
20
t
r
@ V
CC
= 30 V
t
r
@ V
CC
= 10 V
t
d
@ V
EB
= 2.0 V
t
d
@ V
EB
= 0
I
C
/I
B
= 10
100
70
50
30
20
t
f
t
r
V
CC
= 30 V
I
C
/I
B
= 10
10
7.0
5.0
10
20
30
50
70
100
200
300
500
10
7.0
5.0
10
20
30
50
70
100
200
300
500
I
C
,集电极电流(毫安)
I
C
,集电极电流(毫安)
图5.开启时间
图6.上升和下降时间
300
200
吨s
,存储时间(纳秒)
t
s
= t
s
1/8 t
f
I
B1
= I
B2
I
C
/I
B
= 10 20的
五六,下降时间( NS )
100
70
50
30
20
I
C
/I
B
= 10
I
C
/I
B
= 20
V
CC
= 30 V
I
B1
= I
B2
100
70
50
10
7.0
30
10
20
30
50
70
100
200
300
500
5.0
10
20
30
50
70
100
200
300
500
I
C
,集电极电流(毫安)
I
C
,集电极电流(毫安)
图7.储存时间
图8.下降时间
小信号特性
噪声系数
V
CE
= 10 VDC ,T
A
= 25°C ;带宽= 1.0赫兹
10
8.0
NF ,噪声系数(dB )
I
C
= 1.0毫安,R
S
= 150
W
I
C
= 500
毫安,
R
S
= 200
W
I
C
= 100
毫安,
R
S
= 2.0千瓦
I
C
= 50
毫安,
R
S
= 4.0千瓦
R
S
=优化
RS =
来源
RS =
阻力
10
F = 1.0千赫
8.0
NF ,噪声系数(dB )
I
C
= 50
mA
I
C
= 100
mA
I
C
= 500
mA
I
C
= 1.0毫安
6.0
6.0
4.0
2.0
0
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0
男,频率(KHz )
4.0
2.0
0
10
20
50
100
50
100 200
500 1.0 k 2.0 k
5.0 k 10 k 20 k
50 k 100 k
R
S
,源电阻(欧姆)
图9.频率的影响
图10.源电阻的影响
http://onsemi.com
4
2N4401
h参数值
V
CE
= 10 VDC , F = 1.0千赫,T
A
= 25°C
这组图形示出的关系
h
fe
和其他“h”的参数,这个系列的晶体管。对
获得这些曲线,高增益和低增益单元分别
从2N4401行选择,并且在同一单位是
用于在开发相应编号的曲线
每幅图。
300
缺氧缺血性脑病,输入阻抗(欧姆)
200
hFE参数,电流增益
50 k
20 k
10 k
5.0 k
2N4401 UNIT 1
2N4401 UNIT 2
100
70
50
30
20
2N4401 UNIT 1
2N4401 UNIT 2
2.0 k
1.0 k
500
0.1
0.2
0.3
0.5 0.7
1.0
2.0
3.0
5.0 7.0 10
0.1
0.2
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0
3.0
5.0 7.0 10
I
C
,集电极电流(毫安)
I
C
,集电极电流(毫安)
图11.电流增益
图12.输入阻抗
重,电压反馈比例( X 10
4
)
10
锄头,输出导纳(
m
姆欧)
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.2
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0
3.0
5.0 7.0 10
100
50
2N4401 UNIT 1
2N4401 UNIT 2
20
10
5.0
2.0
1.0
2N4401 UNIT 1
2N4401 UNIT 2
0.1
0.2
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
I
C
,集电极电流(毫安)
I
C
,集电极电流(毫安)
图13.电压反馈比例
图14.输出导纳
http://onsemi.com
5
2N4401
首选设备
通用
晶体管
NPN硅
特点
http://onsemi.com
无铅包可用*
集热器
3
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
器件总功耗
@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
器件总功耗
@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
P
D
625
5.0
P
D
1.5
12
T
J
, T
英镑
-55到+150
W
毫瓦/°C的
°C
mW
毫瓦/°C的
1
2
3
价值
40
60
6.0
600
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
2
BASE
1
辐射源
记号
2N
4401
YWW
TO92
CASE 29
风格1
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值(不
正常工作条件下),并同时无效。如果这些限制
被超过,设备功能操作不暗示,可能会损坏
和可靠性可能会受到影响。
Y
WW
=年
=工作周
热特性
特征
热阻,
结到环境
热阻,
结到外壳
符号
R
qJA
R
QJC
最大
200
83.3
单位
° C / W
° C / W
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第3页。
*有关我们的无铅战略和焊接细节,更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术参考
手动, SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司, 2004年
1
2004年6月 - 第1版
出版订单号:
2N4401/D
2N4401
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
特征
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压(注1 )
(I
C
= 1.0 MADC ,我
B
= 0)
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
= 0.1 MADC ,我
E
= 0)
发射极 - 基极击穿电压
(I
E
= 0.1 MADC ,我
C
= 0)
基地截止电流
(V
CE
= 35 VDC ,V
EB
= 0.4伏)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 35 VDC ,V
EB
= 0.4伏)
基本特征
(注1 )
直流电流增益
(I
C
= 0.1 MADC ,V
CE
= 1.0伏)
(I
C
= 1.0 MADC ,V
CE
= 1.0伏)
(I
C
= 10 MADC ,V
CE
= 1.0伏)
(I
C
= 150 MADC ,V
CE
= 1.0伏)
(I
C
= 500 MADC ,V
CE
= 2.0伏)
集电极 - 发射极饱和电压(I
C
= 150 MADC ,我
B
= 15 MADC )
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 500 MADC ,我
B
= 50 MADC )
基射极饱和电压(I
C
= 150 MADC ,我
B
= 15 MADC )
基射极饱和电压
(I
C
= 500 MADC ,我
B
= 50 MADC )
小信号特性
电流增益 - 带宽积(我
C
= 20 MADC ,V
CE
= 10 VDC , F = 100兆赫)
集电极 - 基极电容(V
CB
= 5.0伏,我
E
= 0中,f = 1.0 MHz)的
发射极 - 基极电容(V
EB
= 0.5伏,我
C
= 0中,f = 1.0 MHz)的
输入阻抗(我
C
= 1.0 MADC ,V
CE
= 10 VDC , F = 1.0千赫)
电压反馈比率(I
C
= 1.0 MADC ,V
CE
= 10 VDC , F = 1.0千赫)
小信号电流增益(I
C
= 1.0 MADC ,V
CE
= 10 VDC , F = 1.0千赫)
输出导纳(我
C
= 1.0 MADC ,V
CE
= 10 VDC , F = 1.0千赫)
开关特性
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
(V
CC
= 30伏直流电,V
BE
= 2.0伏,
I
C
= 150 MADC ,我
B1
= 15 MADC )
(V
CC
= 30伏直流电,我
C
= 150 MADC ,
I
B1
= I
B2
= 15 MADC )
t
d
t
r
t
s
t
f
15
20
225
30
ns
ns
ns
ns
f
T
C
cb
C
eb
h
ie
h
re
h
fe
h
oe
250
1.0
0.1
40
1.0
6.5
30
15
8.0
500
30
兆赫
pF
pF
千欧
X 10
4
毫姆欧
h
FE
20
40
80
100
40
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
0.75
300
0.4
0.75
0.95
1.2
VDC
VDC
V
( BR ) CEO
V
( BR ) CBO
V
( BR ) EBO
I
BEV
I
CEX
40
60
6.0
0.1
0.1
VDC
VDC
VDC
MADC
MADC
符号
最大
单位
1.脉冲测试:脉冲宽度
300
女士,
占空比
2.0%.
http://onsemi.com
2
2N4401
订购信息
设备
2N4401
2N4401RLRA
2N4401RLRAG
2N4401RLRM
2N4401RLRP
2N4401RLRPG
2N4401ZL1
TO92
TO92
TO92
(无铅)
TO92
TO92
TO92
(无铅)
TO92
航运
5000套/箱
2000 /磁带&卷轴
2000 /磁带&卷轴
2000 /弹药包
2000 /弹药包
2000 /弹药包
2000 /弹药包
有关磁带和卷轴规格,包括部分方向和磁带大小,请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册, BRD8011 / D 。
切换时间等效测试电路
+30 V
+16 V
0
2.0 V
1.0-100
女士,
占空比
2.0%
1.0 KW
& LT ; 2.0纳秒
200
W
+16 V
0
C
S
* < 10 pF的
14 V
< 20纳秒
1.0-100
女士,
占空比
2.0%
1.0 KW
+30 V
200
W
C
S
* < 10 pF的
4.0 V
范围上升时间< 4.0纳秒
*测试夹具的连接器共有并联电容和示波器
图1.开启时间
图2.开启,关闭时间
暂态特性
25°C
30
20
电容(pF)
Q, CHARGE ( NC)
C
敖包
10
7.0
5.0
C
cb
3.0
2.0
0.1
100°C
10
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
Q
A
10
20
30
50
70
100
200
300
500
Q
T
V
CC
= 30 V
I
C
/I
B
= 10
0.2 0.3 0.5
1.0
2.0 3.0 5.0
10
20 30
50
反向电压(伏)
I
C
,集电极电流(毫安)
图3的电容
图4.收费数据
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3
2N4401
100
70
50
T, TIME ( NS )
T, TIME ( NS )
30
20
t
r
@ V
CC
= 30 V
t
r
@ V
CC
= 10 V
t
d
@ V
EB
= 2.0 V
t
d
@ V
EB
= 0
I
C
/I
B
= 10
100
70
50
30
20
t
f
t
r
V
CC
= 30 V
I
C
/I
B
= 10
10
7.0
5.0
10
20
30
50
70
100
200
300
500
10
7.0
5.0
10
20
30
50
70
100
200
300
500
I
C
,集电极电流(毫安)
I
C
,集电极电流(毫安)
图5.开启时间
图6.上升和下降时间
300
200
吨s
,存储时间(纳秒)
t
s
= t
s
1/8 t
f
I
B1
= I
B2
I
C
/I
B
= 10 20的
五六,下降时间( NS )
100
70
50
30
20
I
C
/I
B
= 10
I
C
/I
B
= 20
V
CC
= 30 V
I
B1
= I
B2
100
70
50
10
7.0
30
10
20
30
50
70
100
200
300
500
5.0
10
20
30
50
70
100
200
300
500
I
C
,集电极电流(毫安)
I
C
,集电极电流(毫安)
图7.储存时间
图8.下降时间
小信号特性
噪声系数
V
CE
= 10 VDC ,T
A
= 25°C ;带宽= 1.0赫兹
10
8.0
NF ,噪声系数(dB )
I
C
= 1.0毫安,R
S
= 150
W
I
C
= 500
毫安,
R
S
= 200
W
I
C
= 100
毫安,
R
S
= 2.0千瓦
I
C
= 50
毫安,
R
S
= 4.0千瓦
R
S
=优化
RS =
来源
RS =
阻力
10
F = 1.0千赫
8.0
NF ,噪声系数(dB )
I
C
= 50
mA
I
C
= 100
mA
I
C
= 500
mA
I
C
= 1.0毫安
6.0
6.0
4.0
2.0
0
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0
男,频率(KHz )
4.0
2.0
0
10
20
50
100
50
100 200
500 1.0 k 2.0 k
5.0 k 10 k 20 k
50 k 100 k
R
S
,源电阻(欧姆)
图9.频率的影响
图10.源电阻的影响
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4
2N4401
h参数值
V
CE
= 10 VDC , F = 1.0千赫,T
A
= 25°C
这组图形示出的关系
h
fe
和其他“h”的参数,这个系列的晶体管。对
获得这些曲线,高增益和低增益单元分别
从2N4401行选择,并且在同一单位是
用于在开发相应编号的曲线
每幅图。
300
缺氧缺血性脑病,输入阻抗(欧姆)
200
hFE参数,电流增益
50 k
20 k
10 k
5.0 k
2N4401 UNIT 1
2N4401 UNIT 2
100
70
50
30
20
2N4401 UNIT 1
2N4401 UNIT 2
2.0 k
1.0 k
500
0.1
0.2
0.3
0.5 0.7
1.0
2.0
3.0
5.0 7.0 10
0.1
0.2
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0
3.0
5.0 7.0 10
I
C
,集电极电流(毫安)
I
C
,集电极电流(毫安)
图11.电流增益
图12.输入阻抗
重,电压反馈比例( X 10
4
)
10
锄头,输出导纳(
m
姆欧)
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.2
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0
3.0
5.0 7.0 10
100
50
2N4401 UNIT 1
2N4401 UNIT 2
20
10
5.0
2.0
1.0
2N4401 UNIT 1
2N4401 UNIT 2
0.1
0.2
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
I
C
,集电极电流(毫安)
I
C
,集电极电流(毫安)
图13.电压反馈比例
图14.输出导纳
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5
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