24C02C
2K 5.0V我
2
C
串行EEPROM
产品特点：
至5.5V单电源供电，工作在4.5V
低功耗CMOS技术：
- 读取电流为1 mA ，最大
- 待机电流5
μA,
马克斯。
2线串行接口，我
2
C兼容
可级联多达八个装置
施密特触发器输入以抑制噪声
输出斜率控制以消除接地反弹
100 kHz和400 kHz时钟的兼容性
快速页或字节写入时间1毫秒，典型的
自定时擦/写周期
16字节页写缓冲
硬件写保护的的上半
阵列（ 80H - FFH ）
ESD保护>4,000V
超过百万的擦除/写周期
数据保留>200年
工厂编程可用
套餐包括8引脚PDIP ， SOIC ， TSSOP ，
DFN ， TDFN和MSOP
无铅并符合RoHS标准
温度范围：
- 工业级（I ） ：
-40 ° C至+ 85°C
- 汽车（ E） ：
-40°C至+ 125°C
描述：
Microchip Technology Inc.的24C02C是一个2K位
串行电可擦除的PROM的电压范围
的4.5V至5.5V 。该设备被组织成一个单一的
256× 8位存储器与2线串行块
界面。低电流设计，允许与操作
最大。待机和只有5工作电流
μA
1
毫安，分别。该装置具有一个页面的写capabil-
性高达16字节的数据，并且具有快速的写入周期
仅1两个字节页写毫秒时间。
功能性地址线允许最多的连接
高达16K在同一总线上8 24C02C设备
连续的EEPROM存储器位。该装置是
在标准的8引脚PDIP可用， 8引脚SOIC （ 3.90
毫米） ， 8引脚2×3 DFN和TDFN封装， 8引脚MSOP和
TSSOP封装。
框图
A0 A1 A2
WP
高压发生器
I / O
控制
逻辑
内存
控制
逻辑
XDEC
EEPROM
ARRAY
SDA ，SCL
VCC
VSS
写保护
电路
YDEC
感测放大器。
R / W控制
封装类型
PDIP ， MSOP
A0
A1
A2
V
SS
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
WP
SCL
SDA
A0
A1
A2
V
SS
SOIC ， TSSOP
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
WP
SCL
SDA
A0 1
A1 2
A2 3
V
SS
4
DFN / TDFN
8 V
CC
7 WP
6 SCL
5 SDA
2008 Microchip的技术公司
DS21202J第1页
24C02C
1.0
电气特性
绝对最大额定值
()
V
CC
.............................................................................................................................................................................7.0V
所有输入和输出w.r.t. V
SS
......................................................................................................... -0.6V到V
CC
+1.0V
储存温度...............................................................................................................................-65°C至+ 150°C
环境温度与功耗应用................................................................................................-40°C至+ 125°C
所有引脚的ESD保护
......................................................................................................................................................≥
4千伏
注：上述“绝对最大额定值”，可能会造成永久性损坏
装置。这是一个额定值，器件运行在超过或任何其他条件
本说明书中的操作列表表示是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
表1-1：
DC特性
电气特性：
工业级（I ） ：
V
CC
= + 4.5V至5.5V
汽车（ E） ： V
CC
= + 4.5V至5.5V
分钟。
—
0.7 V
CC
—
0.05 V
CC
马克斯。
—
—
0.3 V
CC
—
单位
—
V
V
V
—
—
—
（注）
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
T
A
= -40 ° C至+ 125°C
条件
DC特性
参数。
号
D1
D2
D3
D4
符号。
—
V
IH
V
IL
V
HYS
特征
A0， A1，A2， SCL，SDA
和WP引脚：
高电平输入电压
低电平输入电压
施密特迟滞
触发输入
（ SDA ， SCL引脚）
低电平输出电压
输入漏电流
输出漏电流
引脚电容
（所有输入/输出）
D5
D6
D7
D8
D9
D10
注意：
V
OL
I
LI
I
LO
C
IN
,
C
OUT
I
CC
写
I
CCS
—
—
—
—
—
—
—
0.40
±1
±1
10
1
3
5
V
μA
μA
pF
mA
mA
μA
I
OL
= 3.0毫安V
CC
= 4.5V
V
IN
= V
SS
或V
CC
， WP = V
SS
V
OUT
= V
SS
或V
CC
V
CC
= 5.0V
（注）
T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫
V
CC
= 5.5V ， SCL = 400千赫
V
CC
= 5.5V
V
CC
= 5.5VSCL = SDA = V
CC
WP = V
SS
I
CC
阅读工作电流
待机电流
此参数是周期性采样，而不是100 ％测试。
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24C02C
表1-2：
AC特性
电气特性：
工业级（I ） ：
V
CC
= + 4.5V至5.5V
汽车（ E） ： V
CC
= + 4.5V至5.5V
特征
时钟频率
时钟高电平时间
时钟低电平时间
SDA和SCL上升时间
（注1 ）
SDA和SCL下降时间
（注1 ）
分钟。
—
—
4000
600
4700
1300
—
—
—
4000
600
4700
600
0
250
100
4000
600
—
—
4700
1300
10 + 0.1CB
马克斯。
100
400
—
—
—
—
1000
300
300
—
—
—
—
—
—
—
—
—
3500
900
—
—
250
单位
千赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
—
（工业级温度）
—
（工业级温度）
—
（工业级温度）
—
（工业级温度）
—
（工业级温度）
—
（工业级温度）
—
（工业级温度）
（注2 ）
—
（工业级温度）
—
（工业级温度）
—
（工业级温度）
—
（工业级温度）
（注1 ）
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
T
A
= -40 ° C至+ 125°C
条件
AC特性
参数。
号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
符号。
F
CLK
T
高
T
低
T
R
T
F
T
HD
:
STA
START条件保持时间
T
SU
:
STA
启动条件建立时间
T
HD
:
DAT
数据输入保持时间
T
SU
:
DAT
数据输入建立时间
T
SU
:
申通快递
停止条件的建立时间
T
AA
T
BUF
时钟输出有效
（注2 ）
总线空闲时间：时间的公交车
必须在一个新的自由
传输开始
输出下降时间从V
IH
最低至V
IL
最大
C
B
≤
100 pF的
输入滤波器尖峰抑制
（ SDA和SCL引脚）
写周期时间（或字节
页）
耐力
13
T
OF
ns
14
15
16
注1 ：
2:
3:
4:
T
SP
T
WC
—
—
—
1,000,000
50
1.5
1
—
ns
ms
（注3）
—
（工业级温度）
循环25℃
（注4 ）
未经100％测试。
B
=在pF的总线上的总电容。
作为发送器，器件必须提供内部最小延迟时间，以弥补理解过程把网络定义区域
（最低300纳秒） SCL的下降沿，以避免产生意外的启动或停止条件。
合并牛逼
SP
和V
HYS
规格是由于新的施密特触发器输入，提供
改善噪声尖峰脉冲抑制。这省去了为T
I
特定网络阳离子标准操作。
该参数没有进行测试，但性能可以保证。对于一个具体的估计耐用
应用程序，请查阅Total Endurance模型，可以从Microchip网站获得
从www.microchip.com 。
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24C02C
2K 5.0V我
2
C
串行EEPROM
特点
至5.5V单电源供电，工作在4.5
低功耗CMOS技术
- 1毫安典型工作电流
- 10 μA待机电流典型值5.5V
组织为256字节（ 256 ×8）的单个块
数组的上半部分硬件写保护
2线串行接口总线，I
2
C兼容
100 kHz和400 kHz的兼容性
多达16个字节页写缓存
自定时写周期（包括自动擦除）
快速的1毫秒写入周期时间字节或页模式
地址线，可实现对公交车8设备
- 100擦除/写周期保证
ESD保护＆ GT ; 4,000V
数据保留和GT ; 200年
8引脚PDIP ， SOIC和TSSOP封装
可用于扩展级温度范围
- 商业（ C） ：
0 ° C至+ 70°C
- 工业级（I ） ：
-40 ° C至+ 85°C
- 汽车（ E） ：
-40°C至+ 125°C
封装类型
PDIP / SOIC
A0
A1
A2
VSS
1
8
VCC
WP
SCL
SDA
24C02C
2
3
4
7
6
5
TSSOP
A0
A1
A2
V
SS
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
WP
SCL
SDA
24C02C
描述
Microchip Technology Inc.的24C02C是一个2K位
串行电可擦除的PROM的电压范围
的4.5V至5.5V 。该设备被组织成一个单一的
256× 8位存储器与2线串行接口模块
脸上。低电流设计允许与典型操作
待机和仅为10 μA和1 mA工作电流
分别。该装置具有一个页面写功能
最多16个字节的数据，并且具有快速的写入周期时间
只有1毫秒为字节页写。实用
地址线允许多达8个的连接
在同一总线上最多16K位24C02C设备
连续的EEPROM存储器。该器件可
在标准的8引脚PDIP ， 8引脚SOIC （ 150万） ，并
TSSOP封装。
框图
A0 A1 A2
WP
高压发生器
I / O
控制
逻辑
内存
控制
逻辑
XDEC
EEPROM
ARRAY
SDA ，SCL
VCC
VSS
写保护
电路
YDEC
SENSE AMP
R / W控制
I
2
C是飞利浦公司的商标。
1999 Microchip的技术公司
DS21202C第1页
24C02C
1.0
1.1
电动
特征
最大额定值*
表1-1：
名字
V
SS
SDA
SCL
V
CC
A0, A1, A2
WP
引脚功能表
功能
地
串行数据
串行时钟
+ 4.5V至5.5V电源
芯片选择
硬件写保护
V
CC
........................................................................7.0V
所有输入和输出w.r.t. V
SS
.....- 0.6V到V
CC
+1.0V
储存温度..........................- 65°C至+ 150°C
环境温度。电源采用......- 65 ° C至+ 125°C
引线焊接温度（ 10秒） .. + 300℃
所有引脚的ESD保护
..................................... ≥
4千伏
*注意：
强调上述“最大额定值”，可能
对器件造成永久性损坏。这是一个值仅为
该装置的这些或任何其他条件的功能操作
以上这些在本规范的运作上市表明是
不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，其围
消耗臭氧层物质可能会影响器件的可靠性。
表1-2：
DC特性
V
CC
= + 4.5V至+ 5.5V
商业（ C） ：
工业级（I ） ：
汽车（ E） ：
符号
V
IH
V
IL
V
HYS
V
OL
I
LI
I
LO
C
IN
, C
OUT
I
CC
读
I
CC
写
I
CCS
分钟。
0.7 V
CC
—
0.05 V
CC
—
-10
-10
—
—
—
—
环境温度Tamb = 0°C至+ 70°C
环境温度Tamb = -40°C至+ 85°C
环境温度Tamb = -40 ° C至+ 125°C
马克斯。
—
0.3 V
CC
—
0.40
10
10
10
1
3
50
单位
V
V
V
V
A
A
pF
mA
mA
A
（注）
I
OL
= 3.0毫安， VCC = 4.5V
V
IN
= 0.1V至5.5V ， WP = VSS
V
OUT
= 0.1V至5.5V
V
CC
= 5.0V （注）
环境温度Tamb = 25°C ， F = 1兆赫
V
CC
= 5.5V ， SCL = 400千赫
V
CC
= 5.5V
V
CC
= 5.5V ， SDA ，SCL = = V
CC
WP = V
SS
条件
所有参数均适用于试样
除非另有田间工作范围
指出。
参数
SCL和SDA引脚：
高电平输入电压
低电平输入电压
施密特触发器输入迟滞
低电平输出电压
输入漏电流
输出漏电流
引脚电容（所有输入/输出）
工作电流
待机电流
注意：
此参数是周期性采样，而不是100 ％测试。
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24C02C
表1-3：
AC特性
VCC = 4.5V至5.5V
商业（ C） ：
工业级（I ） ：
汽车（ E） ：
环境温度Tamb = 0°C至+ 70°C
环境温度Tamb = -40°C至+ 85°C
环境温度Tamb = -40 ° C至+ 125°C
单位
千赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
备注
所有参数适用于规定的能操作
阿婷的范围，除非另有说明。
参数
时钟频率
时钟高电平时间
时钟低电平时间
SDA和SCL上升时间
SDA和SCL下降时间
START条件保持时间
启动条件建立时间
数据输入保持时间
数据输入建立时间
停止条件的建立时间
时钟输出有效
总线空闲时间
符号
F
CLK
T
高
T
低
T
R
T
F
T
HD
:
STA
T
SU
:
STA
T
HD
:
DAT
T
SU
:
DAT
T
SU
:
申通快递
T
AA
T
BUF
TAMB
＆ GT ;
+85°C -40°C
≤
TAMB
≤
+85°C
分钟。
—
4000
4700
—
—
4000
4700
0
250
4000
—
4700
马克斯。
100
—
—
1000
300
—
—
—
—
—
3500
—
分钟。
—
600
1300
—
—
600
600
0
100
600
—
1300
马克斯。
400
—
—
300
300
—
—
—
—
—
900
—
（注1 ）
（注1 ）
在此之后的第一个科幻
产生时钟脉冲
仅与重复
启动条件
（注2 ）
输出下降时间从V
IH
最低至V
IL
最大
输入滤波器尖峰抑制
（ SDA和SCL引脚）
写周期时间
耐力
T
OF
T
SP
T
WR
—
—
—
1M
250
50
1.5
—
20 + 0.1 C
B
—
—
1M
250
50
1
—
ns
ns
（注2 ）
时间总线必须是自由的
新传输之前
可以启动
（注1 ） ，C
B
≤
100 pF的
（注3）
MS字节或页模式
周期25 ° C，V
CC
= 5.0V ，座
模式（注4 ）
注1 ：
未经100％测试。
B
=在pF的总线上的总电容。
2:
作为发送器，器件必须提供内部最小延迟时间，以弥补理解过程把网络定义区域
（最低300纳秒） SCL的下降沿，以避免产生意外的启动或停止条件。
3:
合并牛逼
SP
和V
HYS
特定网络阳离子是由于施密特触发器输入可以改善噪声
尖峰抑制。这省去了一个TI的特定网络连接的阳离子为标准操作。
4:
该参数没有进行测试，但性能可以保证。对于一个特定的应用程序估计耐用性
阳离子，请咨询可在我们的网站上获得的总耐力模式。
图1-1：
总线时序数据
T
F
T
高
T
R
SCL
T
SU
:
STA
T
低
T
HD
:
DAT
T
SU
:
DAT
T
SU
:
申通快递
SDA
IN
T
HD
:
STA
T
SP
T
BUF
T
AA
SDA
OUT
1999 Microchip的技术公司
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QQ：2880707522 复制
