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1SMF16BT1 , 1SMF16BT3 ,
1SMF16BT3G
齐纳瞬态
电压抑制器
SOD- 123扁平引脚封装
该1SMF16B旨在保护电压敏感元件
高电压,高能量瞬变。出色的钳位
能力,高浪涌能力,低阻抗齐纳和快速
响应时间。由于其体积小,很适合在手机使用
电话,便携式设备,商用机器,电源和
许多其他工业/消费应用。
规格特点:
http://onsemi.com
对峙电压: 16伏
峰值功率 - 175瓦@ 1毫秒
最大钳位电压@峰值脉冲电流
低漏
响应时间通常< 1纳秒
IEC61000-4-2 4级ESD保护
低调 - 1.0mm的最大高度
占用空间小
阴极指示的极性带
无铅包装是否可用
塑料表面贴装
齐纳管
瞬态抑制器
175瓦峰值功率
1
1 :阴极
2 :阳极
2
机械特性:
案例:
无空隙,传递模塑,热固性塑料
铅表面处理:
100 %雾锡(锡)
安装位置:
任何
合格MAX回流焊温度:
260°C
SOD123FL
CASE 498
塑料
器件符合MSL 1的要求
环氧符合UL 94 V- 0
标记图
1
阴极
MLU
D
2
阳极
MLU
D
=具体设备守则
=日期代码
订购信息
设备
1SMF16BT1
1SMF16BT3
1SMF16BT3G
SOD123FL
SOD123FL
SOD123FL
(无铅)
航运
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司, 2004年
1
2004年2月 - 第1版
出版订单号:
1SMF16B/D
1SMF16BT1 , 1SMF16BT3 , 1SMF16BT3G
最大额定值
等级
最大P
pk
耗散@ T
A
= 25 ° C, ( PW -千分之十
女士)
(注1 )
最大P
pk
耗散@ T
A
= 25 ° C, ( PW - 8月20日
女士)
(注2 )
工作和存储温度范围
1.非重复性电流脉冲在T
A
= 25℃时,按照图3的波形。
2.非重复性电流脉冲在T
A
= 25 ℃,按照图4的波形。
I
符号
P
pk
P
pk
T
J
, T
英镑
价值
175
1000
-55到+150
单位
W
W
°C
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
符号
I
PP
V
C
V
RWM
I
R
V
BR
I
T
I
F
V
F
参数
最大反向峰值脉冲电流
钳位电压@ I
PP
工作峰值反向电压
最大反向漏电流@ V
RWM
击穿电压@ I
T
测试电流
正向电流
正向电压@ I
F
V
C
V
BR
V
RWM
I
F
I
R
V
F
I
T
V
I
PP
单向TVS
电气特性
(T
L
= 30℃ ,除非另有说明,V
F
= 1.3伏特@ 850毫安)
V
RWM
(注3)
设备
1SMF16B
记号
MLU
(V)
16
V
BR
@ I
T
(V)
(注4 )
16.7
17.6
最大
18.5
I
T
(MA )
1.0
I
R
@ V
RWM
(MA )
1.0
MAX V
C
@
I
PP
= 1安培
(V)
20
MAX V
C
@
I
PP
= 7安培
(V)
26
3.瞬态抑制器是根据工作峰值反向电压通常选择(V
RWM
),其应该是等于或大于
比DC或者连续峰值工作电压电平。
4. V
BR
在脉冲测试电流I测量
T
在25 ° C的环境温度。
Z
in
V
in
负载
V
L
图1.典型的保护电路
http://onsemi.com
2
1SMF16BT1 , 1SMF16BT3 , 1SMF16BT3G
10,000
t
r
PP ,峰值功率(瓦)
1000
100
值(%)
峰值 - 我
RSM
脉冲宽度(T
P
)是德网络定义
因为这地步PEAK
电流衰减到50 %
RSM
.
t
r
10
ms
100
50
t
P
I
半值 -
RSM
2
10
1.0
10
100
t
P
,脉冲宽度(毫秒)
1000
10,000
0
0
1
2
吨,时间( ms)的
3
4
图2.脉冲额定值曲线
图3. 10× 1000
ms
脉冲波形
100
90
%的峰值脉冲电流
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
峰值脉冲降额的%
峰值功率或电流@ T = 25
°
C
A
t
r
高峰值I
RSM
@ 8
ms
脉冲宽度(T
P
)是德网络定义
因为这地步
峰值电流衰减= 8
ms
半值我
RSM
/2 @ 20
ms
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
25
50
75
100
125
150
t
P
20
40
吨,时间( ms)的
60
80
T
A
,环境温度( ° C)
图4. 8 ×20
ms
脉冲波形
图5.脉冲降额曲线
1
0.7
0.5
降额因子
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
10
ms
0.01
0.1 0.2
0.5
1
2
5
10
20
50 100
100
ms
脉冲宽度
10毫秒
电容(pF)
300
250
200
150
1毫秒
100
50
0
2
4
6
8
10
12
14
16
反向电压( V)
D,占空比( % )
图6.典型的降额因子的占空比
图7.电容与反向电压
http://onsemi.com
3
1SMF16BT1 , 1SMF16BT3 , 1SMF16BT3G
包装尺寸
SOD123FL
CASE 498-01
发行
B
L
E
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:毫米。
3.尺寸A和B不包括塑模
闪光灯。
4.尺寸D和J来衡量
上引平部分: 0.10之间
和0.25毫米的导管尖端。
暗淡
A
B
C
D
E
H
J
K
L
MILLIMETERS
最大
1.50
1.80
2.50
2.90
0.90
1.00
0.70
1.10
0.55
0.95
0.00
0.10
0.10
0.20
3.40
3.80
0
°
8
°
英寸
最大
0.059
0.071
0.098
0.114
0.035
0.039
0.028
0.043
0.022
0.037
0.000
0.004
0.004
0.008
0.134
0.150
0
°
8
°
A
H
C
D
极性检测指示灯
根据系统需要可选
K
L
J
焊接足迹*
0.91
0.036
2.36
0.093
4.19
0.165
SOD123
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息,请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册, SOLDERRM / D 。
安森美半导体
是半导体元件工业,LLC ( SCILLC )的注册商标。 SCILLC保留随时更改,恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保,声明或保证,也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用,并特别声明,任何和所有责任,包括但不限于特殊,间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格,可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数,包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
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机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律,并不得转售以任何方式。
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为了文学:
http://www.onsemi.com/litorder
有关更多信息,请联系您
当地销售代表。
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4
SCALE 10 : 1
1.22
0.048
mm
英寸
1SMF16B/D
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    -
    -
    -
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DO-35
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