1SMC5.0AT3系列
1500瓦峰值功率
齐纳瞬态电压
抑制器
单向*
http://onsemi.com
在SMC系列是专为保护电压敏感
组件由高电压，高能量瞬变。他们有
出色的钳位能力，高浪涌能力，低齐纳
阻抗和快速响应时间。在SMC系列供应
安森美半导体专有的，高性价比，高可靠性
Surmetict封装，非常适合于在通信中使用
系统，汽车，数字控制，过程控制，医疗
设备，商用机器，电源和许多其他
工业/消费应用。
特点
塑料表面贴装
齐纳瞬态
电压抑制器
5.0-78伏
1500瓦峰值功率
工作峰值反向电压范围 - 5.0 V至78 V
标准齐纳击穿电压范围 - 6.7 V至91.25 V
峰值功率 - 1500 W @ 1毫秒
ESD等级3级（ >16 KV ）每人体模型
最大钳位电压@峰值脉冲电流
低漏< 5
mA
上述10 V
UL 497B用于隔离回路电路保护
最大温度系数指定
响应时间通常< 1纳秒
无铅包可用
阴极
阳极
SMC
CASE 403
塑料
标记图
AYWW
GXX
G
G
A
Y
WW
GXX
G
=大会地点
=年
=工作周
=设备代码（参见第3页）
= Pb-Free包装
机械特性：
案例：
无空隙，传递模塑，热固性塑料
表面处理：
所有的外部表面耐腐蚀和导线
随手可焊
最大外壳焊接温度的目的：
260℃ 10秒
信息：
修饰的L形弯曲，提供更多的接触面积，以键合焊盘
极性：
阴极表示通过模压极性缺口
安装位置：
任何
（注：微球可在任一位置）
订购信息
设备
1SMCxxxAT3
1SMCxxxAT3G
包
SMC
SMC
（无铅）
航运
2500 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
双向设备将无法使用本系列。
器件标识信息
请参阅该设备的特定标识信息标识
电气特性表的第3页列
此数据表。
半导体元件工业有限责任公司， 2007年
1
2007年2月 - 修订版5
出版订单号：
1SMC5.0AT3/D
1SMC5.0AT3系列
最大额定值
等级
峰值功耗（注1 ） @ T
L
= 25 ° C，脉冲宽度= 1毫秒
DC功率耗散@ T
L
= 75°C
测量零引线长度（注2 ）
减免上述75℃
热阻结到铅
DC功率耗散（注3 ） @ T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻结到环境
正向浪涌电流（注4 ） @ T
A
= 25°C
工作和存储温度范围
符号
P
PK
P
D
价值
1500
4.0
54.6
18.3
0.75
6.1
165
200
-65到+150
单位
W
W
毫瓦/°C的
° C / W
W
毫瓦/°C的
° C / W
A
°C
R
qJL
P
D
R
qJA
I
FSM
T
J
, T
英镑
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
1. 10 x 1000
女士，
非重复性。
2. 1平方铜线垫， FR -4板。
3， FR- 4电路板，采用安森美半导体的最低建议足迹，如图403的情况下外形尺寸规格。
4. 1/2正弦波（或同等学历方波） ， PW = 8.3毫秒，占空比= 4个脉冲每分钟最大。
电气特性
(T
A
= 25°C ，除非
另有说明，V
F
= 3.5 V最大@我
F
= 100 A） （注5 ）
符号
I
PP
V
C
V
RWM
I
R
V
BR
I
T
I
F
V
F
参数
最大反向峰值脉冲电流
钳位电压@ I
PP
工作峰值反向电压
最大反向漏电流@ V
RWM
击穿电压@ I
T
测试电流
正向电流
正向电压@ I
F
V
C
V
BR
V
RWM
I
I
F
I
R
V
F
I
T
V
I
PP
5. 1/2正弦波或同等学历， PW = 8.3毫秒的非重复性的责任
周期
单向TVS
http://onsemi.com
2
1SMC5.0AT3系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
V
RWM
（注6 ）
V
5.0
6.0
6.5
7.0
7.5
8.0
8.5
9.0
10
12
13
14
15
16
17
18
20
22
24
26
28
30
33
36
40
43
45
48
51
54
58
60
64
70
75
78
击穿电压
I
R
@ V
RWM
mA
1000
1000
500
200
100
50
25
10
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
民
6.4
6.67
7.22
7.78
8.33
8.89
9.44
10
11.1
13.3
14.4
15.6
16.7
17.8
18.9
20
22.2
24.4
26.7
28.9
31.1
33.3
36.7
40
44.4
47.8
50
53.3
56.7
60
64.4
66.7
71.1
77.8
83.3
86.7
V
BR
V
（注7 ）
喃
6.7
7.02
7.6
8.19
8.77
9.36
9.92
10.55
11.7
14
15.15
16.4
17.6
18.75
19.9
21.05
23.35
25.65
28.1
30.4
32.75
35.05
38.65
42.1
46.75
50.3
52.65
56.1
59.7
63.15
67.8
70.2
74.85
81.9
87.7
91.25
最大
7.0
7.37
7.98
8.6
9.21
9.83
10.4
11.1
12.3
14.7
15.9
17.2
18.5
19.7
20.9
22.1
24.5
26.9
29.5
31.9
34.4
36.8
40.6
44.2
49.1
52.8
55.3
58.9
62.7
66.3
71.2
73.7
78.6
86
92.1
95.8
@ I
T
mA
10
10
10
10
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
V
C
@ I
PP
（注8）
V
C
V
9.2
10.3
11.2
12
12.9
13.6
14.4
15.4
17
19.9
21.5
23.2
24.4
26
27.6
29.2
32.4
35.5
38.9
42.1
45.4
48.4
53.3
58.1
64.5
69.4
72.2
77.4
82.4
87.1
93.6
96.8
103
113
121
126
I
PP
A
163
145.6
133.9
125
116.3
110.3
104.2
97.4
88.2
75.3
69.7
64.7
61.5
57.7
53.3
51.4
46.3
42.2
38.6
35.6
33
31
28.1
25.8
32.2
21.6
20.6
19.4
18.2
17.2
16
15.5
14.6
13.3
12.4
11.4
设备*
1SMC5.0AT3 ，G
1SMC6.0AT3 ，G
1SMC6.5AT3 ，G
1SMC7.0AT3 ，G
1SMC7.5AT3 ，G
1SMC8.0AT3 ，G
1SMC8.5AT3 ，G
1SMC9.0AT3 ，G
1SMC10AT3 ，G
1SMC12AT3 ，G
1SMC13AT3 ，G
1SMC14AT3 ，G
1SMC15AT3 ，G
1SMC16AT3 ，G
1SMC17AT3 ，G
1SMC18AT3 ，G
1SMC20AT3 ，G
1SMC22AT3 ，G
1SMC24AT3 ，G
1SMC26AT3 ，G
1SMC28AT3 ，G
1SMC30AT3 ，G
1SMC33AT3 ，G
1SMC36AT3 ，G
1SMC40AT3 ，G
1SMC43AT3 ，G
1SMC45AT3
1SMC48AT3 ，G
1SMC51AT3 ，G
1SMC54AT3 ，G
1SMC58AT3 ，G
1SMC60AT3 ，G
1SMC64AT3 ，G
1SMC70AT3 ，G
1SMC75AT3 ，G
1SMC78AT3 ，G
设备
记号
GDE
GDG
GDK
GDM
国内生产总值
GDR
GDT
GDV
GDX
GEE
GEG
GEK
创业板
GEP
GER
GET
GEV
GEX
GEZ
GFE
GFG
GFK
GFM
GFP
GFR
GFT
GFV
GFX
GFZ
GGE
GGG
GGK
GGM
GGP
GGR
GGT
6.瞬态抑制器是根据最高工作峰值反向电压通常选择（V
RWM
），这应该等于或
比直流或连续峰值工作电压电平更大。
7. V
BR
在脉冲测试电流I测量
T
在25 ℃的环境温度下进行。
按照图2和每个通用数据图3减免8.浪涌电流波形 - 1500瓦，在这个组的开始。
*在“G ”后缀表示无铅封装。
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3
1SMC5.0AT3系列
100
不重复
脉冲波形
如图2中所示
t
r
≤
10
ms
100
值（％）
峰值 - 我
PP
I
半值 -
PP
2
脉冲宽度（T
P
）是德网络定义
因为这地步PEAK
电流衰减到50 ％
我
PP
.
P
pk
峰值功率（kw ）
10
50
t
P
1
0.1
ms
1
ms
10
ms
100
ms
t
P
，脉宽
1毫秒
10毫秒
0
0
1
2
吨，时间（ ms）的
3
4
图1.脉冲额定值曲线
160
峰值脉冲降额的％
峰值功率或电流@ T = 25
°
C
A
140
120
100
80
60
40
20
0
0
25
50
75
100
125
150
1000
I
T
，测试电流（安培）
500
200
100
50
20
10
5
2
1
0.3
T
L
= 25°C
t
P
= 10
ms
图2.脉冲波形
V
BR
（ NOM ）= 6.8至13 V
20 V
43 V
24 V
75 V
120 V
180 V
0.5 0.7 1
2
3
5
7 10
20
30
T
A
，环境温度（ ° C）
DV
BR
，瞬加IN V
BR
上述V
BR
（ NOM ） （伏）
图3.脉冲降额曲线
图4.动态阻抗
UL认证
整个系列拥有
美国保险商实验室
承认
为保护器的分类（ QVGV2 ）
在安全497B和文件＃ E210057 UL标准。
很多竞争者只具有一个或两个装置识别
或者在一个非保护性类别的识别。一些
竞争对手也没有承认的。随着UL497B
认可，我们的部分成功地通过多次测试
包括冲击电压击穿测试，耐力
空调，温度测试，绝缘耐压
测试，放电测试，并不仅仅是这些。
然而，一些竞争对手只通过了
可燃性测试程序包的材料，我们已经
公认的更要包括在其保护
类别。
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4
1SMC5.0AT3系列
应用笔记
响应时间
在大多数应用中，瞬变抑制器装置是
平行放置，所述设备或组件是
受保护的。在这种情况下，存在相关联的时间延迟
与器件的电容和过冲
与该装置的电感条件相关联，并且
连接方法的电感。电容
作用是不重要的，在并联保护
方案，因为它只产生的时间延迟，在
从操作电压钳位电压作为过渡
在图5中示出。
在器件中的电感效应是由于实际
开启时间（所需要的设备，从零到时间
到全电流）和引线电感电流。这种感性
效应产生的过冲在整个电压
设备或组件的保护，如图
图6.尽量减少这种过冲是在非常重要
应用中，由于主要目的，用于将瞬时
抑制器是为钳位电压峰值。在SMC系列有
一个很好的响应时间，通常为< 1纳秒和可以忽略不计
电感。但是，外部感应效应可能
产生不可接受的过冲。正确的电路布局，
最小导线长度，并把抑制装置
关闭尽可能的设备或部件是
保护将这种过冲最小化。
由Z表示的一些输入阻抗
in
是必不可少的
防止所述保护装置的过应力。这种阻抗
应尽可能地高，而不限制电路
操作。
占空比降额
图1的数据适用于不重复的条件
并在25 ℃的铅温度。如果占空比增大，
由曲线所指示的峰值功率必须减少
图7.平均功耗必须降低为主角或
环境温度上升到高于25 ℃。平均功率
降额曲线上的数据表，通常给出可能
归一化，并用于此目的。
乍一看图7的降额曲线似乎是
错误为10毫秒的脉冲具有比更高的降额系数
10
ms
脉搏。然而，当一降额因子
图7中的给定的脉冲乘以峰值功率值
图1为相同的脉冲，结果按照
预期的趋势。
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5
1SMC5.0AT3系列
1500瓦峰值功率齐纳
瞬态电压抑制器
单向*
在SMC系列是专为保护电压敏感
组件由高电压，高能量瞬变。他们有
出色的钳位能力，高浪涌能力，低齐纳
阻抗和快速响应时间。在SMC系列供应
安森美半导体专有的，高性价比，高可靠性
Surmetic 封装，非常适用于通信中使用
系统，汽车，数字控制，过程控制，医疗
设备，商用机器，电源和许多其他
工业/消费应用。
规格特点：
http://onsemi.com
塑料表面贴装
齐纳瞬态
电压抑制器
5.0-78伏
1500瓦峰值功率
工作峰值反向电压范围 - 5.0 V至78 V
标准齐纳击穿电压范围 - 6.7 V至91.25 V
峰值功率 - 1500瓦@ 1毫秒
ESD等级3级（ >16 KV ）每人体模型
最大钳位电压@峰值脉冲电流
低漏< 5
A
上述10 V
UL 497B用于隔离回路电路保护
最大温度系数指定
响应时间通常< 1纳秒
阴极
阳极
机械特性：
案例：
无空隙，传递模塑，热固性塑料
表面处理：
所有的外部表面耐腐蚀和导线
SMC
CASE 403
塑料
随手可焊
最大外壳焊接温度的目的：
标记图
YWW
GXX
Y
WW
GXX
=年
=工作周
=具体设备守则
=
（请参阅表第3页）
260℃ 10秒
信息：
修饰的L形弯曲，提供更多的接触面积，以键合焊盘
极性：
阴极表示通过模压极性缺口
安装位置：
任何
最大额定值
请参阅表上的下页
订购信息
设备
{
1SMCxxxAT3
包
SMC
航运
2500 /磁带&卷轴
设备上市
粗体，斜体
是安森美半导体
首选
设备。
首选
设备推荐
选择以供将来使用和最佳的整体价值。
*双向设备将不会在此提供
系列。
的“T3”的后缀是指一个13英寸的卷轴。
半导体元件工业有限责任公司， 2001年
1
2001年5月 - 第3版
出版订单号：
1SMC5.0AT3/D
1SMC5.0AT3系列
最大额定值
等级
峰值功耗（注1 ） @ T
L
= 25 ° C，脉冲宽度= 1毫秒
DC功率耗散@ T
L
= 75°C
测量零引线长度（注2 ）
减免上述75℃
热阻结到铅
DC功率耗散（注3 ） @ T
A
= 25°C
减免上述25℃
从结点到环境的热阻
正向浪涌电流（注4 ） @ T
A
= 25°C
工作和存储温度范围
1.
2.
3.
4.
符号
P
PK
P
D
价值
1500
4.0
54.6
18.3
0.75
6.1
165
200
-65到+150
单位
W
W
毫瓦/°C的
° C / W
W
毫瓦/°C的
° C / W
A
°C
R
qJL
P
D
R
qJA
I
FSM
T
J
, T
英镑
10 X 1000
女士，
非重复性
1 “方形铜垫， FR -4板
FR- 4电路板，采用安森美半导体的最低建议足迹，如图403的情况下外形尺寸规格。
1/2正弦波（或同等学历方波） ， PW = 8.3毫秒，占空比= 4个脉冲每分钟最大。
电气特性
(T
A
= 25°C ，除非
另有说明，V
F
= 3.5 V最大@我
F
= 100 A） （注5 ）
符号
I
PP
V
C
V
RWM
I
R
V
BR
I
T
I
F
V
F
参数
最大反向峰值脉冲电流
钳位电压@ I
PP
工作峰值反向电压
最大反向漏电流@ V
RWM
击穿电压@ I
T
测试电流
正向电流
正向电压@ I
F
V
C
V
BR
V
RWM
I
F
I
I
R
V
F
I
T
V
I
PP
5. 1/2正弦波或同等学历， PW = 8.3毫秒
非重复的占空比
单向TVS
http://onsemi.com
2
1SMC5.0AT3系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
V
RWM
（注6 ）
伏
5.0
6.0
6.5
7.0
7.5
8.0
8.5
9.0
10
11
12
13
14
15
16
17
18
20
22
24
26
28
30
33
36
40
43
45
48
51
54
58
60
64
70
75
78
击穿电压
I
R
@ V
RWM
A
1000
1000
500
200
100
50
25
10
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
V
BR
伏
（注7 ）
民
6.4
6.67
7.22
7.78
8.33
8.89
9.44
10
11.1
12.2
13.3
14.4
15.6
16.7
17.8
18.9
20
22.2
24.4
26.7
28.9
31.1
33.3
36.7
40
44.4
47.8
50
53.3
56.7
60
64.4
66.7
71.1
77.8
83.3
86.7
喃
6.7
7.02
7.6
8.19
8.77
9.36
9.92
10.55
11.7
12.85
14
15.15
16.4
17.6
18.75
19.9
21.05
23.35
25.65
28.1
30.4
32.75
35.05
38.65
42.1
46.75
50.3
52.65
56.1
59.7
63.15
67.8
70.2
74.85
81.9
87.7
91.25
最大
7.0
7.37
7.98
8.6
9.21
9.83
10.4
11.1
12.3
13.5
14.7
15.9
17.2
18.5
19.7
20.9
22.1
24.5
26.9
29.5
31.9
34.4
36.8
40.6
44.2
49.1
52.8
55.3
58.9
62.7
66.3
71.2
73.7
78.6
86
92.1
95.8
@ I
T
mA
10
10
10
10
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
V
C
@ I
PP
（注8 ）
V
C
伏
9.2
10.3
11.2
12
12.9
13.6
14.4
15.4
17
18.2
19.9
21.5
23.2
24.4
26
27.6
29.2
32.4
35.5
38.9
42.1
45.4
48.4
53.3
58.1
64.5
69.4
72.2
77.4
82.4
87.1
93.6
96.8
103
113
121
126
I
PP
安培
163
145.6
133.9
125
116.3
110.3
104.2
97.4
88.2
82.4
75.3
69.7
64.7
61.5
57.7
53.3
51.4
46.3
42.2
38.6
35.6
33
31
28.1
25.8
32.2
21.6
20.6
19.4
18.2
17.2
16
15.5
14.6
13.3
12.4
11.4
设备
1SMC5.0AT3
1SMC6.0AT3
1SMC6.5AT3
1SMC7.0AT3
1SMC7.5AT3
1SMC8.0AT3
1SMC8.5AT3
1SMC9.0AT3
1SMC10AT3
1SMC11AT3
1SMC12AT3
1SMC13AT3
1SMC14AT3
1SMC15AT3
1SMC16AT3
1SMC17AT3
1SMC18AT3
1SMC20AT3
1SMC22AT3
1SMC24AT3
1SMC26AT3
1SMC28AT3
1SMC30AT3
1SMC33AT3
1SMC36AT3
1SMC40AT3
1SMC43AT3
1SMC45AT3
1SMC48AT3
1SMC51AT3
1SMC54AT3
1SMC58AT3
1SMC60AT3
1SMC64AT3
1SMC70AT3
1SMC75AT3
1SMC78AT3
设备
记号
GDE
GDG
GDK
GDM
国内生产总值
GDR
GDT
GDV
GDX
GDZ
GEE
GEG
GEK
创业板
GEP
GER
GET
GEV
GEX
GEZ
GFE
GFG
GFK
GFM
GFP
GFR
GFT
GFV
GFX
GFZ
GGE
GGG
GGK
GGM
GGP
GGR
GGT
6.瞬态抑制器是根据最高工作峰值反向电压通常选择（V
RWM
），这应该等于或
比直流或连续峰值工作电压电平更大。
7. V
BR
在脉冲测试电流I测量
T
在25 ℃的环境温度下进行。
按照图2和每个通用数据图3减免8.浪涌电流波形 - 1500瓦，在这个组的开始。
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3
1SMC5.0AT3系列
100
不重复
脉冲波形
如图2中所示
t
r
≤
10
s
100
值（％）
峰值 - 我
PP
I
PP
2
脉冲宽度（T
P
）是德网络定义
因为这地步PEAK
电流衰减到50 ％
我
PP
.
P
pk
峰值功率（kw ）
10
半值 -
50
t
P
1
0.1
s
1
s
10
s
100
s
t
P
，脉宽
1毫秒
10毫秒
0
0
1
2
吨，时间（ ms）的
3
4
图1.脉冲额定值曲线
160
峰值脉冲降额的％
峰值功率或电流@ T = 25
°
C
A
140
120
100
80
60
40
20
0
0
25
50
75
100
125
150
1000
I
T
，测试电流（安培）
500
200
100
50
20
10
5
2
1
0.3
T
L
= 25°C
t
P
= 10
s
图2.脉冲波形
V
BR
（ NOM ）= 6.8至13 V
20 V
43 V
24 V
75 V
120 V
180 V
0.5 0.7 1
2
3
5
7
10
20
30
T
A
，环境温度（ ° C）
V
BR
，瞬加IN V
BR
上述V
BR
（ NOM ） （伏）
图3.脉冲降额曲线
图4.动态阻抗
UL认证
整个系列拥有
美国保险商实验室
承认
为保护器的分类（ QVGV2 ）
在安全497B UL标准和文件＃ 116110 。
很多竞争者只具有一个或两个装置识别
或者在一个非保护性类别的识别。一些
竞争对手也没有承认的。随着UL497B
认可，我们的部分成功地通过多次测试
包括冲击电压击穿测试，耐力
空调，温度测试，绝缘耐压
测试，放电测试，并不仅仅是这些。
然而，一些竞争对手只通过了
可燃性测试程序包的材料，我们已经
公认的更要包括在其保护
类别。
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1SMC5.0AT3系列
应用笔记
响应时间
在大多数应用中，瞬变抑制器装置是
平行放置，所述设备或组件是
受保护的。在这种情况下，存在相关联的时间延迟
与器件的电容和过冲
与该装置的电感条件相关联，并且
连接方法的电感。电容
作用是不重要的，在并联保护
方案，因为它只产生的时间延迟，在
从操作电压钳位电压作为过渡
在图5中示出。
在器件中的电感效应是由于实际
开启时间（所需要的设备，从零到时间
到全电流）和引线电感电流。这种感性
效应产生的过冲在整个电压
设备或组件的保护，如图
图6.尽量减少这种过冲是在非常重要
应用中，由于主要目的，用于将瞬时
抑制器是为钳位电压峰值。在SMC系列有
一个很好的响应时间，通常为< 1纳秒和可以忽略不计
电感。但是，外部感应效应可能
产生不可接受的过冲。正确的电路布局，
最小导线长度，并把抑制装置
关闭尽可能的设备或部件是
保护将这种过冲最小化。
由Z表示的一些输入阻抗
in
是必不可少的
防止所述保护装置的过应力。这种阻抗
应尽可能地高，而不限制电路
操作。
占空比降额
图1的数据适用于不重复的条件
并在25 ℃的铅温度。如果占空比增大，
由曲线所指示的峰值功率必须减少
图7.平均功耗必须降低为主角或
环境温度上升到高于25 ℃。平均功率
降额曲线上的数据表，通常给出可能
归一化，并用于此目的。
乍一看图7的降额曲线似乎是
错误为10毫秒的脉冲具有比更高的降额系数
10
s
脉搏。然而，当一降额因子
图7中的给定的脉冲乘以峰值功率值
图1为相同的脉冲，结果按照
预期的趋势。
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