1SMB5.0AT3系列
最大额定值
等级
峰值功耗(注1 ) @ T
L
= 25 ° C,脉冲宽度= 1毫秒
DC功率耗散@ T
L
= 75°C
测量零引线长度(注2 )
减免上述75℃
热阻结到铅
DC功率耗散(注3 ) @ T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻结到环境
正向浪涌电流(注4 ) @ T
A
= 25°C
工作和存储温度范围
符号
P
PK
P
D
价值
600
3.0
40
25
0.55
4.4
226
100
-65到+150
单位
W
W
毫瓦/°C的
° C / W
W
毫瓦/°C的
° C / W
A
°C
R
qJL
P
D
R
qJA
I
FSM
T
J
, T
英镑
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下,会影响
器件的可靠性。
1. 10 X 1000
女士,
非重复性。
2. 1平方铜线垫, FR -4板。
3, FR- 4电路板,采用安森美半导体的最低建议足迹,如图403A情况下,外形尺寸规格。
4. 1/2正弦波(或同等学历方波) , PW = 8.3毫秒,占空比= 4个脉冲每分钟最大。
电气特性
(T
A
= 25°C ,除非
另有说明,V
F
= 3.5 V最大。 @我
F
(注5)= 30 A)
符号
I
PP
V
C
V
RWM
I
R
V
BR
I
T
I
F
V
F
参数
最大反向峰值脉冲电流
钳位电压@ I
PP
工作峰值反向电压
最大反向漏电流@ V
RWM
击穿电压@ I
T
测试电流
正向电流
正向电压@ I
F
V
C
V
BR
V
RWM
I
F
I
I
R
V
F
I
T
V
I
PP
5. 1/2正弦波(或同等学历方波) , PW = 8.3毫秒,
非重复的占空比。
单向TVS
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2
1SMB5.0AT3系列
电气特性
(中列出的设备
粗体,斜体
是安森美半导体的优选设备。 )
V
RWM
(注6 )
V
5.0
6.0
6.5
7.0
7.5
8.0
8.5
9.0
10
11
12
13
14
15
16
17
18
20
22
24
26
28
30
33
36
40
43
45
48
51
54
58
60
64
70
75
85
90
100
110
120
130
150
160
170
击穿电压
I
R
@ V
RWM
mA
800
800
500
500
100
50
10
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
55.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
V
BR
(注7 )
伏
民
6.40
6.67
7.22
7.78
8.33
8.89
9.44
10.0
11.1
12.2
13.3
14.4
15.6
16.7
17.8
18.9
20.0
22.2
24.4
26.7
28.9
31.1
33.3
36.7
40.0
44.4
47.8
50.0
53.3
56.7
60.0
64.4
66.7
71.1
77.8
83.3
94.4
100
111
122
133
144
167
178
189
喃
6.7
7.02
7.6
8.19
8.77
9.36
9.92
10.55
11.7
12.85
14
15.15
16.4
17.6
18.75
19.9
21.05
23.35
25.65
28.1
30.4
32.75
35.05
38.65
42.1
46.75
50.3
52.65
56.1
59.7
63.15
67.8
70.2
74.85
81.9
87.7
99.2
105.5
117
128.5
140
151.5
176
187.5
199
最大
7.0
7.37
7.98
8.6
9.21
9.83
10.4
11.1
12.3
13.5
14.7
15.9
17.2
18.5
19.7
20.9
22.1
24.5
26.9
29.5
31.9
34.4
36.8
40.6
44.2
49.1
52.8
55.3
58.9
62.7
66.3
71.2
73.7
78.6
86
92.1
104
111
123
135
147
159
185
197
209
@ I
T
mA
10
10
10
10
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
V
C
@ I
PP
(注8)
V
C
V
9.2
10.3
11.2
12.0
12.9
13.6
14.4
15.4
17.0
18.2
19.9
21.5
23.2
24.4
26.0
27.6
29.2
32.4
35.5
38.9
42.1
45.4
48.4
53.3
58.1
64.5
69.4
72.7
77.4
82.4
87.1
93.6
96.8
103
113
121
137
146
162
177
193
209
243
259
275
I
PP
A
65.2
58.3
53.6
50.0
46.5
44.1
41.7
39.0
35.3
33.0
30.2
27.9
25.8
24.0
23.1
21.7
20.5
18.5
16.9
15.4
14.2
13.2
12.4
11.3
10.3
9.3
8.6
8.3
7.7
7.3
6.9
6.4
6.2
5.8
5.3
4.9
4.4
4.1
3.7
3.4
3.1
2.9
2.5
2.3
2.2
C
典型值
(注9 )
pF
2700
2300
2140
2005
1890
1780
1690
1605
1460
1345
1245
1160
1085
1020
965
915
870
790
730
675
630
590
555
510
470
430
400
385
365
345
330
310
300
280
260
245
220
210
190
175
160
150
135
125
120
设备*
1SMB5.0AT3 ,G
1SMB6.0AT3 ,G
1SMB6.5AT3 ,G
1SMB7.0AT3 ,G
1SMB7.5AT3 ,G
1SMB8.0AT3 ,G
1SMB8.5AT3 ,G
1SMB9.0AT3 ,G
1SMB10AT3 ,G
1SMB11AT3 ,G
1SMB12AT3 ,G
1SMB13AT3 ,G
1SMB14AT3 ,G
1SMB15AT3 ,G
1SMB16AT3 ,G
1SMB17AT3 ,G
1SMB18AT3 ,G
1SMB20AT3 ,G
1SMB22AT3 ,G
1SMB24AT3 ,G
1SMB26AT3 ,G
1SMB28AT3 ,G
1SMB30AT3 ,G
1SMB33AT3 ,G
1SMB36AT3 ,G
1SMB40AT3 ,G
1SMB43AT3 ,G
1SMB45AT3 ,G
1SMB48AT3 ,G
1SMB51AT3 ,G
1SMB54AT3 ,G
1SMB58AT3 ,G
1SMB60AT3 ,G
1SMB64AT3 ,G
1SMB70AT3 ,G
1SMB75AT3 ,G
1SMB85AT3 ,G
1SMB90AT3 ,G
1SMB100AT3 ,G
1SMB110AT3 ,G
1SMB120AT3 ,G
1SMB130AT3 ,G
1SMB150AT3 ,G
1SMB160AT3 ,G
1SMB170AT3 ,G
设备
记号
KE
KG
KK
KM
KP
KR
KT
KV
KX
KZ
LE
LG
LK
LM
LP
LR
LT
LV
LX
LZ
ME
MG
MK
MM
MP
MR
MT
MV
MX
MZ
NE
NG
NK
NM
NP
NR
NV
NX
NZ
PE
PG
PK
PM
PP
PR
6.瞬态抑制器是根据工作峰值反向电压通常选择(V
RWM
) ,这应该是等于或大于
直流或连续峰值工作电压电平。
7. V
BR
在脉冲测试电流I测量
T
在25 ℃的环境温度下进行。
600瓦,在这个组的开头 - 按图2和图元的通用数据的4减免8.浪涌电流波形。
9.偏置电压= 0 V , F = 1兆赫,T
J
= 25°C
请参阅1SMB10CAT3到1SMB78CAT3为双向设备。
*在“G”后缀表示无铅封装。
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3
1SMB5.0AT3系列
应用笔记
响应时间
在大多数应用中,瞬变抑制器装置是
平行放置,所述设备或组件是
受保护的。在这种情况下,存在相关联的时间延迟
与器件的电容和过冲
与该装置的电感条件相关联,并且
连接方法的电感。电容
作用是不重要的,在并联保护
方案,因为它只产生的时间延迟,在
从操作电压钳位电压作为过渡
在图6中示出。
在器件中的电感效应是由于实际
开启时间(所需要的设备,从零到时间
到全电流)和引线电感电流。这种感性
效应产生的过冲在整个电压
设备或组件的保护,如图
图7.尽量减少这种过冲是在非常重要
应用中,由于主要目的,用于将瞬时
抑制器是为钳位电压峰值。在SMB系列有
一个很好的响应时间,通常为< 1.0 ns到可以忽略不计
电感。但是,外部感应效应可能
产生不可接受的过冲。正确的电路布局,
最小导线长度,并把抑制装置
关闭尽可能的设备或部件是
保护将这种过冲最小化。
由Z表示的一些输入阻抗
in
是必不可少的
防止所述保护装置的过应力。这种阻抗
应尽可能地高,而不限制电路
操作。
占空比降额
图1的数据适用于不重复的条件
并在25 ℃的铅温度。如果占空比增大,
由曲线所指示的峰值功率必须减少
图8.平均功耗必须降低为主角或
环境温度上升到高于25 ℃。平均功率
降额曲线上的数据表,通常给出可能
归一化,并用于此目的。
乍一看,图8中的降额曲线似乎是
错误为10毫秒的脉冲具有比更高的降额系数
10
ms
脉搏。然而,当一降额因子
图8中的给定的脉冲乘以峰值功率
图1为相同的脉冲的值,结果按照
预期的趋势。
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