1SMB10CAT3系列
瓦峰值功率齐纳
瞬态电压
抑制器
双向*
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在SMB系列是专为保护电压敏感
组件由高电压，高能量瞬变。他们有
出色的钳位能力，高浪涌能力，低齐纳
阻抗和快速响应时间。在SMB系列供应
安森美半导体专有的，高性价比，高可靠性
Surmetict封装，非常适合于在通信中使用
系统，汽车，数字控制，过程控制，医疗
设备，商用机器，电源和许多其他
工业/消费应用。
特点
塑料表面贴装
齐纳管
瞬态抑制器
10-78 V， 600 W峰值功率
工作峰值反向电压范围 - 10 V至75 V
标准齐纳击穿电压范围 - 11.7 V至91.7 V
峰值功率 - 600瓦@ 1毫秒
ESD额定值3类（ > 16千伏）每人体模型
最大钳位电压@峰值脉冲电流
低漏< 5
mA
上述10 V
UL 497B用于隔离回路电路保护
响应时间通常< 1纳秒
无铅包可用
SMB
案例403C
塑料
标记图
机械特性
案例：
无空隙，传递模塑，热固性塑料
表面处理：
所有的外部表面耐腐蚀和导线
ALYW
xxCG
G
A
Y
WW
XXC
=大会地点
=年
=工作周
=具体设备守则
=
（请参阅表第3页）
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
随手可焊
最大外壳焊接温度的目的：
260℃ 10秒
信息：
修饰的L形弯曲，提供更多的接触面积，以键合焊盘
极性：
极性带，也不会指示
安装位置：
任何
订购信息
设备
*
1SMBxxCAT3
1SMBxxCAT3G
包
SMB
SMB
（无铅）
航运
2500 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
*在“T3”的后缀是指一个13英寸的卷轴。
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
单个设备列出了数据表第3页。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年10月 - 修订版9
出版订单号：
1SMB10CAT3/D
1SMB10CAT3系列
最大额定值
等级
峰值功耗（注1 ）
@ T
L
= 25 ° C，脉冲宽度= 1毫秒
DC功率耗散@ T
L
= 75°C
测量零引线长度（注2 ）
减免上述75℃
热阻结到铅
DC功率耗散（注3 ） @ T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻结到环境
工作和存储
温度范围
符号
P
PK
P
D
价值
600
3.0
40
25
0.55
4.4
226
-65到+150
单位
W
W
毫瓦/°C的
° C / W
W
毫瓦/°C的
° C / W
°C
R
qJL
P
D
R
qJA
T
J
, T
英镑
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
1. 10 X 1000
女士，
非重复性
2. 1 “方形铜垫， FR -4板
3， FR- 4电路板，采用安森美半导体的最低建议足迹，如图403A情况下，外形尺寸规格
*请参阅1SMB5.0AT3到1SMB170AT3为单向器件
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
符号
I
PP
V
C
V
RWM
I
R
V
BR
I
T
参数
最大反向峰值脉冲电流
钳位电压@ I
PP
工作峰值反向电压
最大反向漏电流@ V
RWM
击穿电压@ I
T
测试电流
I
T
V
C
V
BR
V
RWM
I
R
I
PP
I
I
R
V
RWM
V
BR
V
C
I
T
V
I
PP
双向TVS
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2
1SMB10CAT3系列
电气特性
（中列出的设备
粗体，斜体
是安森美半导体的优选设备。 ）
V
RWM
（注4 ）
伏
10
11
12
13
14
15
16
17
18
20
22
24
26
28
30
33
36
40
43
45
48
51
54
58
60
64
75
击穿电压
I
R
@ V
RWM
mA
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
V
BR
（注5 ）
伏
民
11.1
12.2
13.3
14.4
15.6
16.7
17.8
18.9
20.0
22.2
24.4
26.7
28.9
31.1
33.3
36.7
40.0
44.4
47.8
50.0
53.3
56.7
60.0
64.4
66.7
71.1
83.3
喃
11.69
12.84
14.00
15.16
16.42
17.58
18.74
19.90
21.06
23.37
25.69
28.11
30.42
32.74
35.06
38.63
42.11
46.74
50.32
52.63
56.11
59.69
63.16
67.79
70.21
74.84
91.65
最大
12.27
13.5
14.7
15.9
17.2
18.5
19.7
20.9
22.1
24.5
27.0
29.5
31.9
34.4
36.8
40.6
44.2
49.1
52.8
55.3
58.9
62.7
66.32
71.18
73.72
78.58
92.07
@ I
T
mA
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
V
C
@ I
PP
（注6 ）
V
C
伏
17.0
18.2
19.9
21.5
23.2
24.4
26.0
27.6
29.2
32.4
35.5
38.9
42.1
45.4
48.4
53.3
58.1
64.5
69.4
72.2
77.4
82.4
87.1
93.6
96.8
103
121
I
PP
安培
35.3
33.0
30.2
27.9
25.8
24.0
23.1
21.7
20.5
18.5
16.9
15.4
14.2
13.2
12.4
11.3
10.3
9.3
8.6
8.3
7.7
7.3
6.9
6.4
6.2
5.8
4.9
C
典型值
（注7 ）
pF
805
740
680
630
590
555
520
490
465
425
390
366
330
310
290
265
245
220
210
200
190
175
170
155
150
145
125
设备*
1SMB10CAT3 ，G
1SMB11CAT3 ，G
1SMB12CAT3 ，G
1SMB13CAT3 ，G
1SMB14CAT3 ，G
1SMB15CAT3 ，G
1SMB16CAT3 ，G
1SMB17CAT3 ，G
1SMB18CAT3 ，G
1SMB20CAT3 ，G
1SMB22CAT3 ，G
1SMB24CAT3 ，G
1SMB26CAT3 ，G
1SMB28CAT3 ，G
1SMB30CAT3 ，G
1SMB33CAT3 ，G
1SMB36CAT3 ，G
1SMB40CAT3 ，G
1SMB43CAT3 ，G
1SMB45CAT3 ，G
1SMB48CAT3 ，G
1SMB51CAT3 ，G
1SMB54CAT3 ，G
1SMB58CAT3 ，G
1SMB60CAT3 ，G
1SMB64CAT3 ，G
1SMB75CAT3 ，G
设备
记号
KXC
KZC
LEC
LGC
LKC
LMC
LPC
LRC
LTC
LVC
LXC
LZC
MEC
MGC
MKC
MMC
MPC
MRC
MTC
MVC
MXC
MZC
NEC
NGC
NKC
NMC
NRC
4.瞬态抑制器是根据工作峰值反向电压通常选择（V
RWM
） ，这应该是等于或大于
直流或连续峰值工作电压电平。
5. V
BR
在脉冲测试电流I测量
T
在25 ℃的环境温度下进行。
按照图2和每个通用数据图3减免6.浪涌电流波形 - 600瓦，在本组的开始。
7.偏置电压= 0 V ， F = 1兆赫，T
J
= 25°C
*在“G”后缀表示无铅封装。
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3
1SMB10CAT3系列
应用笔记
响应时间
在大多数应用中，瞬变抑制器装置是
平行放置，所述设备或组件是
受保护的。在这种情况下，存在相关联的时间延迟
与器件的电容和过冲
与该装置的电感条件相关联，并且
连接方法的电感。电容
作用是不重要的，在并联保护
方案，因为它只产生的时间延迟，在
从操作电压钳位电压作为过渡
在图4中示出。
在器件中的电感效应是由于实际
开启时间（所需要的设备，从零到时间
到全电流）和引线电感电流。这种感性
效应产生的过冲在整个电压
设备或组件的保护，如图
图5.尽量减少这种过冲是在非常重要
应用中，由于主要目的，用于将瞬时
抑制器是为钳位电压峰值。在SMB系列有
一个很好的响应时间，通常为< 1纳秒和可以忽略不计
电感。但是，外部感应效应可能
产生不可接受的过冲。正确的电路布局，
最小导线长度，并把抑制装置
关闭尽可能的设备或部件是
保护将这种过冲最小化。
由Z表示的一些输入阻抗
in
是必不可少的
防止所述保护装置的过应力。这种阻抗
应尽可能地高，而不限制电路
操作。
占空比降额
图1的数据适用于不重复的条件
并在25 ℃的铅温度。如果占空比增大，
由曲线所指示的峰值功率必须减少
图6.平均功耗必须降低为主角或
环境温度上升到高于25 ℃。平均功率
降额曲线上的数据表，通常给出可能
归一化，并用于此目的。
乍一看图6的降额曲线似乎是
错误为10毫秒的脉冲具有比更高的降额系数
10
ms
脉搏。然而，当一降额因子
图6中的给定的脉冲乘以峰值功率值
图1为相同的脉冲，结果按照
预期的趋势。
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