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1SMB3EZ11 THRU 1SMB3EZ200
表面贴装硅稳压二极管
电压 - 11至200伏
特点
l
对于表面安装应用程序,以
优化电路板空间
l
低廓包
l
内置应变消除
l
l
l
l
l
l
玻璃钝化结
低电感
出色的钳位能力
典型的我
D
小于1
g
上述A 11V
高温焊接:
260
J
/ 10秒端子
塑料包装有保险商实验室
可燃性分类94V -O
功率 - 3.0瓦
DO-214AA
改进的J- BEND
机械数据
案例: JEDEC DO- 214AA ,在模制塑料
钝化结
码头:焊接镀,每焊
MIL- STD- 750 ,方法2026
极性:色环表示正端(阴极)
除了双向
标准包装:12毫米磁带( EIA- 481 )
重量:0.003盎司, 0.093克
最大额定值和电气特性
25评分
J
环境温度,除非另有规定。
符号
峰值脉冲功率耗散(注一)
P
D
减免上述75
J
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波叠加在额定
I
FSM
负荷( JEDEC的方法) (注二)
工作结存储温度范围
T
J
,T
英镑
注意事项:
2
A.安装在5.0毫米( 0.013毫米厚)土地面积。
B.测量的8.3ms的,单一正弦半波或等效方波,占空比= 4个脉冲
每分钟最高。
价值
3
24
15
-55到+150
单位
毫瓦/
J
安培
J
1SMB3EZ11 THRU 1SMB3EZ200
电气特性(T
A
=25
J
除非另有说明)V
F
= 1.2 V MAX,我
F
= 500毫安所有类型
型号
(注1 )
公称
TEST
齐纳电压电流最大齐纳阻抗
VZ @我
ZT
I
ZT
(注3 )
mA
Z
ZT
@ I
ZT
Z
Zk
@ I
ZK
I
ZK
(注2 )
mA
漏电流
I
R
g
一个MAX
@
V
R
最大
浪涌
齐纳
当前
目前@ T
A
= 25
J
I
ZM
铱 - 毫安
MADC
(注4 )
225
246
208
193
180
169
150
159
142
135
123
112
100
96
90
82
75
69
63
57
53
48
44
40
36
33
30
27
25
22
21
19
18
17
16
15
14
13
1.82
1.66
1.54
1.43
1.33
1.25
1.18
1.11
1.05
1
0.91
0.83
0.74
0.71
0.67
0.61
0.56
0.51
0.45
0.42
0.39
0.36
0.32
0.29
0.27
0.24
0.22
0.2
0.18
0.16
0.15
0.14
0.13
0.12
0.12
0.11
0.1
0.1
设备
记号
CODE
1SMB3EZ11
1SMB3EZ12
1SMB3EZ13
1SMB3EZ14
1SMB3EZ15
1SMB3EZ16
1SMB3EZ17
1SMB3EZ18
1SMB3EZ19
1SMB3EZ20
1SMB3EZ22
1SMB3EZ24
1SMB3EZ27
1SMB3EZ28
1SMB3EZ30
1SMB3EZ33
1SMB3EZ36
1SMB3EZ39
1SMB3EZ43
1SMB3EZ47
1SMB3EZ51
1SMB3EZ56
1SMB3EZ62
1SMB3EZ68
1SMB3EZ75
1SMB3EZ82
1SMB3EZ91
1SMB3EZ100
1SMB3EZ110
1SMB3EZ120
1SMB3EZ130
1SMB3EZ140
1SMB3EZ150
1SMB3EZ160
1SMB3EZ170
1SMB3EZ180
1SMB3EZ190
1SMB3EZ200
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
22
24
27
28
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
82
91
100
110
120
130
140
150
160
170
180
190
200
68
63
58
53
50
47
44
42
40
37
34
31
28
27
25
23
21
19
17
16
15
13
12
11
10
9.1
8.2
7.5
6.8
6.3
5.8
5.3
5
4.7
4.4
4.2
4
3.7
4
4.5
4.5
5
5.5
5.5
6
6
7
7
8
9
10
12
16
20
22
28
33
38
45
50
55
70
85
95
115
160
225
300
375
475
550
625
650
700
800
875
700
700
700
700
700
700
750
750
750
750
750
750
750
750
1000
1000
1000
1000
1500
1500
1500
2000
2000
2000
2000
3000
3000
3000
4000
4500
5000
5000
6000
6500
7000
7000
8000
8000
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
1
1
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
8.4
9.1
9.9
10.6
11.4
12.2
13
13.7
14.4
15.2
16.7
18.2
20.6
21
22.5
25.1
27.4
29.7
32.7
35.6
38.8
42.6
47.1
51.7
56
62.2
69.2
76
83.6
91.2
98.8
106.4
114
121.6
130.4
136.8
144.8
152
11B
12B
13B
14B
15B
16B
17B
18B
19B
20B
22B
24B
27B
28B
30B
33B
36B
39B
43B
47B
51B
56B
62B
68B
75B
82B
91B
100B
110B
120B
130B
140B
150B
160B
170B
180B
190B
200B
注意事项:
1.公差 - 后缀表示5%容差的任何其他公差将被认为是一种特殊的设备。
2.齐纳电压( VZ)的测量 - 当在40毫秒计量保证齐纳电压
10ms
从所述二极管主体,和25的环境温度下
J
( 8
J
, -2
J
).
3.ZENER阻抗( ZZ)推导 - 齐纳阻抗从60周期的交流电压衍生
这导致当具有一个交流电流的有效值falue等于直流齐纳电流的10% (我
ZT
还是我
ZK
)是
叠加在我
ZT
还是我
ZK
.
4.浪涌电流( Ir)的非重复性 - 在电气特性表中列出该评级
最大峰值, 1/2方波或等效的正弦波脉冲非重复性,反向浪涌电流
1/120秒的持续时间叠加在测试电流I
ZT
,根据JEDEC标准,但是,实际
设备能力在图3中所描述的。
额定值和特性曲线
1SMB3EZ11 THRU 1SMB3EZ200
c
JL (T , D)瞬态热
阻力
结到铅( 焦耳/ W)
30
20
10
7
5
3
2
1
0.7
0.5
0.05
0.02
下面的说明0.1秒,
热响应
曲线适用于
任何引线长度( L)
0.002
0.005
0.01
0.02
0.05
D = 0.5
0.2
0.1
0.01
0.0002
0.3
0.0001
D=0
0.0005
0.001
单脉冲
G
TJL =
K
JL (T ) PPK
重复脉冲
G
TJL =
K
JL (T , D) PPK
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
图。 2 ,典型的热响应L,
PPK ,峰值浪涌功率(瓦特)
1K
500
300
200
100
50
30
20
10
.1
矩形非重复性
波形TJ = 25
J
之前
初始脉冲
IR ,反向LEADAGE ( uAdc )
@VR规定在ELEC 。
CHAR 。表
100
0.1
0.05
0.03
0.02
0.01
0.005
0.003
0.002
0.001
0.0005
0.0003
0.0002
0.0001
1
2
5
10
20
50
100
200
500
1K
.2 .3
5
1
2 3 5
10
20
50
P.W.脉冲宽度( ms)的
标称VZ (伏)
图。 3 ,最大浪涌电源
c
VZ ,温度
系数(MV / J), @ IZT
8
6
4
2
0
-2
-4
3
4
6
8
10
12
范围
图。 4 ,典型的反向漏
200
c
VZ ,温度
系数(MV /
J
) @ IZT
100
范围
50
40
30
20
10
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
VZ ,齐纳电压@IZT (伏)
VZ ,齐纳电压@IZT (伏)
图。 5单位12伏
图。 6 ,单元10 200伏
额定值和特性曲线
1SMB3EZ11 THRU 1SMB3EZ200
100
100
IZ ,齐纳电流(毫安)
50
30
20
10
5
3
2
1
0.5
0.3
0.2
0.1
0
1
2 3
4
5
6 7
8
9 10
IZ ,齐纳电流(毫安)
50
30
20
10
5
3
2
1
0.5
0.3
0.2
0.1
0
10
20 30 40
50 60
70 80 90
100
VZ ,齐纳电压(伏)
VZ ,齐纳电压(伏)
图。 7 - VZ = 3.9 THRU 10伏
图。 8 - VZ = 12 THRU 82伏
100
IZ ,齐纳电流(毫安)
50
30
20
10
5
3
2
1
0.5
0.3
0.2
0.1
100
120
140
160
180
200
c
JL ,结LEAD热
电阻(
J
/W)
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
的主路径
传导是通过
阴极引线
1/8
1/4
3/8
1/2
5/8
3/4
7/8
1
VZ ,齐纳电压(伏)
L,引线长度到散热器( INCH )
图。 9 - VZ = 100 THRU 200伏
图。 10典型热阻
应用指南:
因为从一个给定的齐纳可用的实际电压
二极管是温度依赖性的,有必要
确定在任何一组的结温
的操作条件,以便计算其值。该
建议执行以下步骤:
铅的温度,T
L
,应当从确定:
TL =
c
LA
P
D
+ T
A
c
LA
是引入到环境的热阻( 焦耳/ W)
和P
D
是功耗。对于价值
c
LA
变化,并取决于该装置的安装方法。
c
LA
一般是30-40
J
/ W代表的各种芯片和
在普通的使用和用于印刷电路板配合点
接线。
引线的温度也可以使用测得的
热电偶放置在上述引线尽可能接近到
该连接点。连接到所述连接点的热质
通常是足够大的,以便它不会显著
响应以加热在二极管作为结果产生的浪涌
脉冲工作的一次稳态条件
实现的。使用T的测量值
L
时,结
温度可以通过确定:
T
J
= T
L
+
G
T
JL
ΔGt
JL
是增加的结点温度以上的
铅的温度,并且可以发现,从图2为一
列车功率脉冲或从图10为直流电源。
ΔGt
JL
=
c
LA
P
D
对于最坏情况设计,采用预期IZ的限制,限制
P的
D
和T的极端
J
( GT英镑
JL
)可以被估计。
变化的电压, Vz的,然后可以得到:
ΔGV
=
c
VZ
ΔGt
J
c
VZ
中,齐纳电压的温度系数,是
发现从图5和图6 。
在高功率脉冲操作中,齐纳电压
将随时间而变化,并且也可以显著影响
为齐纳电阻。为了获得最佳的调节,保持电流
游览尽可能低。
图2中的数据不应被用于计算浪涌
能力。浪涌限制是在图3中给出它们
是低于所预期仅考虑
结温,因为电流拥挤效应的原因
温度是非常高的所得小斑点
在装置降解应图3的限制是
超标。
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