1SMB3EZ6.8~1SMB3EZ51
玻璃钝化结硅稳压二极管
电压
特点
薄型封装
内置应变救灾
玻璃钝化iunction
低电感
典型I
D
小于1.0μA 11V以上
塑料包装有保险商实验室可燃性
分类94V -O
高温焊接： 260℃ / 10秒码头
在符合欧盟RoHS指令2002/95 / EC指令
6.8 51伏特
动力
3.0瓦
MECHANICALDATA
案例： JEDEC DO- 214AA ，模压塑料多钝化结
码头：焊接镀，每MIL -STD- 750 ，方法2026
极性：由阴极频带指示
标准包装：12毫米胶带（ E1A -481 ）
重量： 0.0032盎司， 0.092克
最大额定值和电气特性
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。
参数
对T峰值脉冲功率耗散
L
=50
O
C（注一）
减免上述50
O
C
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
工作结存储温度范围
符号
价值
3.0
单位
W的ATT
P
D
I
FSM
T
J
,T
英镑
15
-55到+ 150
安培
O
C
注意事项：
A.Mounted上5.0毫米
2
（ 0.013毫米厚）土地面积。
B.Measured在8.3ms的，和单一正弦半波或等效方波，占空比= 4个脉冲每分钟最高
STAD-MAR.25.2009
1
PAGE 。 1
1SMB3EZ6.8~1SMB3EZ51
最大反向
漏电流
I
ZK
mA
A
I
R
@V
R
V
N}÷ M I纳升泽NE R诉 L T A G é
产品型号
无米。 V
3.0瓦齐纳
1SMB3EZ6.8
1SMB3EZ7.5
1SMB3EZ8.2
1SMB3EZ8.7
1SMB3EZ9.1
1SMB3EZ10
1SMB3EZ11
1SMB3EZ12
1SMB3EZ13
1SMB3EZ14
1SMB3EZ15
1SMB3EZ16
1SMB3EZ17
1SMB3EZ18
1SMB3EZ19
1SMB3EZ20
1SMB3EZ22
1SMB3EZ24
1SMB3EZ25
1SMB3EZ27
1SMB3EZ28
1SMB3EZ30
1SMB3EZ33
1SMB3EZ36
1SMB3EZ39
1SMB3EZ43
1SMB3EZ47
1SMB3EZ51
6.8
7.5
8.2
8.7
9.1
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
22
24
25
27
28
30
33
36
39
43
47
51
6.46
7.13
7.79
8.27
8.65
9.5
10.45
11.4
12.35
13.3
14.25
15.2
16.15
17.1
18.05
19
20.9
22.8
23.75
25.65
26.6
28.5
31.35
34.2
37.05
40.85
44.65
48.45
7.14
7.88
8.61
9.14
9.56
10.5
11.55
12.6
13.65
14.7
15.75
16.8
17.85
18.9
19.95
21
23.1
25.2
26.25
28.35
29.4
31.5
34.65
37.8
40.95
45.15
49.35
53.55
2
2
2
2
3
4
4
5
5
5
6
6
6
6
7
7
8
9
10
10
12
16
20
22
28
33
38
45
V
Z
@ I
ZT
M | N 。 V
M A X 。 V
M A X I M ü米简é 林P E D A N权证
Z
ZT
@ I
ZT
I
ZT
mA
Z
ZK
@ I
ZK
记号
颂歌
110
100
91
85
82
75
68
63
58
53
50
47
44
42
40
37
34
31
30
28
27
25
23
21
19
17
16
15
700
700
700
700
700
700
700
700
700
700
700
700
750
750
750
750
750
750
750
750
750
1000
1000
1000
1000
1500
1500
1500
1
0.5
0.5
0.5
0.5
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
5
5
5
4
3
3
1
1
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
4
5
6
6.6
7
7.6
8.4
9.1
9.9
10.6
11.4
12.2
13
13.7
14.4
15.2
16.7
18.2
19
20.6
21.3
22.5
25.1
27.4
29.7
32.7
35.8
38.8
6V 8B
7V 5B
8V 2B
8V 7B
9V 1B
10B
11B
12B
13B
14B
15B
16B
17B
18B
19B
20B
22B
24B
25B
27B
28B
30B
33B
36B
39B
43B
47B
51B
STAD-MAR.25.2009
1
PAGE 。 2
1SMB3EZ6.8~1SMB3EZ51
1
1000
500
300
200
100
50
30
20
10
2
3
应用指南：
因为从一个给定的齐纳二极管可用的实际电压是依赖于温度的，有必要determinejunction
为了计算其值根据任何一组的操作条件下的温度。下面的步骤建议：
铅的温度，T
L
，应当从确定：
T
L
=
q
LA P
D
+ T
A
O
q
L
A
是导入到环境的热阻（℃ / W ）和Pd是功耗。对于价值
q
L
A
会变化，并取决于
在装置的安装方法。
q
L
A
一般是30-40
O
对于各种片段的C / W，并在普通用途和用于印刷扎点
电路板布线。
引线的温度，也可以使用热电偶放置在上述引线尽可能接近的连接点进行测量。
连接到所述连接点的热质量通常是足够大的，以便它不会显著响应热浪涌
在二极管作为脉冲操作的一次稳态条件下得以实现的结果而产生。使用的测定值
TL时，结点温度可以由下式确定：
T
J
= T
L
+
D
T
JL
D
T
JL
高于铅温度的增加结点温度，并且可以发现，从图2为功率脉冲串
或者从图10为直流电源。
D
T
JL
= J
L
P
D
q
对于最坏情况设计，预计使用我的限制
Z
，将P限制
D
和T的极端
J
(
D
T
J
）可以被估计。的电压变化，
V
Z
然后，可以得到：
D
V = V
Z
T
J
Q D
q
V
Z
中，齐纳电压的温度系数，从图5和6中。
在高功率脉冲操作中，齐纳电压会随时间而变化，并且也可以由齐纳电阻显著影响。
为了获得最佳的调节，保持目前的游览尽可能低。
图2中的数据不应被用于计算浪涌卡帕-相容性。浪涌限制是在图3中给出它们比将低
只考虑结温可以预料的，因为电流拥挤效应引起的温度是非常高的小
导致器件退化斑点应图3的极限被超出。
STAD-MAR.25.2009
1
PAGE 。 3
1SMB3EZ6.8~1SMB3EZ51
贴装焊盘布局
订购信息
包装信息
T / R - 每13"塑料卷3K
T / R - 0.5Kper 7 “的塑料卷盘
法律声明
版权所有强茂国际2009年公司
本文件中的信息被认为是准确和可靠。规格和此处信息
如有更改，恕不另行通知。潘日新公司对于是否适合任何担保，声明或保证其
产品针对任何特定用途。潘日新产品未被授权用于生命支持设备或系统使用。潘日新
不转达根据其专利权或他人权利的任何许可。
STAD-MAR.25.2009
1
PAGE 。五
1SMB3EZ11 THRU 1SMB3EZ200
表面贴装硅稳压二极管
电压 - 11至200伏
特点
l
对于表面安装应用程序，以
优化电路板空间
l
低廓包
l
内置应变消除
l
l
l
l
l
l
玻璃钝化结
低电感
出色的钳位能力
典型的我
D
小于1
g
上述A 11V
高温焊接：
260
J
/ 10秒端子
塑料包装有保险商实验室
可燃性分类94V -O
功率 - 3.0瓦
DO-214AA
改进的J- BEND
机械数据
案例： JEDEC DO- 214AA ，在模制塑料
钝化结
码头：焊接镀，每焊
MIL- STD- 750 ，方法2026
极性：色环表示正端（阴极）
除了双向
标准包装：12毫米磁带（ EIA- 481 ）
重量：0.003盎司， 0.093克
最大额定值和电气特性
25评分
J
环境温度，除非另有规定。
符号
峰值脉冲功率耗散（注一）
P
D
减免上述75
J
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波叠加在额定
I
FSM
负荷（ JEDEC的方法） （注二）
工作结存储温度范围
T
J
,T
英镑
注意事项：
2
A.安装在5.0毫米（ 0.013毫米厚）土地面积。
B.测量的8.3ms的，单一正弦半波或等效方波，占空比= 4个脉冲
每分钟最高。
价值
3
24
15
-55到+150
单位
瓦
毫瓦/
J
安培
J
1SMB3EZ11 THRU 1SMB3EZ200
电气特性（T
A
=25
J
除非另有说明）V
F
= 1.2 V MAX，我
F
= 500毫安所有类型
型号
（注1 ）
公称
TEST
齐纳电压电流最大齐纳阻抗
VZ @我
ZT
I
ZT
（注3 ）
伏
mA
Z
ZT
@ I
ZT
Z
Zk
@ I
ZK
I
ZK
（注2 ）
欧
欧
mA
漏电流
I
R
g
一个MAX
@
V
R
伏
最大
浪涌
齐纳
当前
目前@ T
A
= 25
J
I
ZM
铱 - 毫安
MADC
（注4 ）
225
246
208
193
180
169
150
159
142
135
123
112
100
96
90
82
75
69
63
57
53
48
44
40
36
33
30
27
25
22
21
19
18
17
16
15
14
13
1.82
1.66
1.54
1.43
1.33
1.25
1.18
1.11
1.05
1
0.91
0.83
0.74
0.71
0.67
0.61
0.56
0.51
0.45
0.42
0.39
0.36
0.32
0.29
0.27
0.24
0.22
0.2
0.18
0.16
0.15
0.14
0.13
0.12
0.12
0.11
0.1
0.1
设备
记号
CODE
1SMB3EZ11
1SMB3EZ12
1SMB3EZ13
1SMB3EZ14
1SMB3EZ15
1SMB3EZ16
1SMB3EZ17
1SMB3EZ18
1SMB3EZ19
1SMB3EZ20
1SMB3EZ22
1SMB3EZ24
1SMB3EZ27
1SMB3EZ28
1SMB3EZ30
1SMB3EZ33
1SMB3EZ36
1SMB3EZ39
1SMB3EZ43
1SMB3EZ47
1SMB3EZ51
1SMB3EZ56
1SMB3EZ62
1SMB3EZ68
1SMB3EZ75
1SMB3EZ82
1SMB3EZ91
1SMB3EZ100
1SMB3EZ110
1SMB3EZ120
1SMB3EZ130
1SMB3EZ140
1SMB3EZ150
1SMB3EZ160
1SMB3EZ170
1SMB3EZ180
1SMB3EZ190
1SMB3EZ200
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
22
24
27
28
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
82
91
100
110
120
130
140
150
160
170
180
190
200
68
63
58
53
50
47
44
42
40
37
34
31
28
27
25
23
21
19
17
16
15
13
12
11
10
9.1
8.2
7.5
6.8
6.3
5.8
5.3
5
4.7
4.4
4.2
4
3.7
4
4.5
4.5
5
5.5
5.5
6
6
7
7
8
9
10
12
16
20
22
28
33
38
45
50
55
70
85
95
115
160
225
300
375
475
550
625
650
700
800
875
700
700
700
700
700
700
750
750
750
750
750
750
750
750
1000
1000
1000
1000
1500
1500
1500
2000
2000
2000
2000
3000
3000
3000
4000
4500
5000
5000
6000
6500
7000
7000
8000
8000
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
1
1
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
8.4
9.1
9.9
10.6
11.4
12.2
13
13.7
14.4
15.2
16.7
18.2
20.6
21
22.5
25.1
27.4
29.7
32.7
35.6
38.8
42.6
47.1
51.7
56
62.2
69.2
76
83.6
91.2
98.8
106.4
114
121.6
130.4
136.8
144.8
152
11B
12B
13B
14B
15B
16B
17B
18B
19B
20B
22B
24B
27B
28B
30B
33B
36B
39B
43B
47B
51B
56B
62B
68B
75B
82B
91B
100B
110B
120B
130B
140B
150B
160B
170B
180B
190B
200B
注意事项：
1.公差 - 后缀表示5％容差的任何其他公差将被认为是一种特殊的设备。
2.齐纳电压（ VZ）的测量 - 当在40毫秒计量保证齐纳电压
10ms
从所述二极管主体，和25的环境温度下
J
( 8
J
, -2
J
).
3.ZENER阻抗（ ZZ）推导 - 齐纳阻抗从60周期的交流电压衍生
这导致当具有一个交流电流的有效值falue等于直流齐纳电流的10％ （我
ZT
还是我
ZK
）是
叠加在我
ZT
还是我
ZK
.
4.浪涌电流（ Ir）的非重复性 - 在电气特性表中列出该评级
最大峰值， 1/2方波或等效的正弦波脉冲非重复性，反向浪涌电流
1/120秒的持续时间叠加在测试电流I
ZT
，根据JEDEC标准，但是，实际
设备能力在图3中所描述的。
额定值和特性曲线
1SMB3EZ11 THRU 1SMB3EZ200
c
JL （T ， D）瞬态热
阻力
结到铅（ 焦耳/ W）
30
20
10
7
5
3
2
1
0.7
0.5
0.05
0.02
下面的说明0.1秒，
热响应
曲线适用于
任何引线长度（ L）
0.002
0.005
0.01
0.02
0.05
D = 0.5
0.2
0.1
0.01
0.0002
0.3
0.0001
D=0
0.0005
0.001
单脉冲
G
TJL =
K
JL （T ） PPK
重复脉冲
G
TJL =
K
JL （T ， D） PPK
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
图。 2 ，典型的热响应L，
PPK ，峰值浪涌功率（瓦特）
1K
500
300
200
100
50
30
20
10
.1
矩形非重复性
波形TJ = 25
J
之前
初始脉冲
IR ，反向LEADAGE （ uAdc ）
@VR规定在ELEC 。
CHAR 。表
100
0.1
0.05
0.03
0.02
0.01
0.005
0.003
0.002
0.001
0.0005
0.0003
0.0002
0.0001
1
2
5
10
20
50
100
200
500
1K
.2 .3
5
1
2 3 5
10
20
50
P.W.脉冲宽度（ ms）的
标称VZ （伏）
图。 3 ，最大浪涌电源
c
VZ ，温度
系数（MV / J）， @ IZT
8
6
4
2
0
-2
-4
3
4
6
8
10
12
范围
图。 4 ，典型的反向漏
200
c
VZ ，温度
系数（MV /
J
） @ IZT
100
范围
50
40
30
20
10
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
VZ ，齐纳电压@IZT （伏）
VZ ，齐纳电压@IZT （伏）
图。 5单位12伏
图。 6 ，单元10 200伏
额定值和特性曲线
1SMB3EZ11 THRU 1SMB3EZ200
100
100
IZ ，齐纳电流（毫安）
50
30
20
10
5
3
2
1
0.5
0.3
0.2
0.1
0
1
2 3
4
5
6 7
8
9 10
IZ ，齐纳电流（毫安）
50
30
20
10
5
3
2
1
0.5
0.3
0.2
0.1
0
10
20 30 40
50 60
70 80 90
100
VZ ，齐纳电压（伏）
VZ ，齐纳电压（伏）
图。 7 - VZ = 3.9 THRU 10伏
图。 8 - VZ = 12 THRU 82伏
100
IZ ，齐纳电流（毫安）
50
30
20
10
5
3
2
1
0.5
0.3
0.2
0.1
100
120
140
160
180
200
c
JL ，结LEAD热
电阻（
J
/W)
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
的主路径
传导是通过
阴极引线
1/8
1/4
3/8
1/2
5/8
3/4
7/8
1
VZ ，齐纳电压（伏）
L，引线长度到散热器（ INCH ）
图。 9 - VZ = 100 THRU 200伏
图。 10典型热阻
1SMB3EZ6.8~1SMB3EZ100
硅稳压二极管
电压
特点
薄型封装
低电感
.083(2.11)
.155(3.94)
.130(3.30)
.075(1.91)
6.8到100伏
动力
3.0瓦
SMB/DO-214AA
单位：英寸（毫米）
内置应变救灾
典型I
D
小于1.0μA 11V以上
塑料包装有保险商实验室可燃性
分类94V -O
高温焊接： 260℃ / 10秒码头
无铅产品可供选择： 99 ％的锡能符合ROHS环境
物质指令的要求
.096(2.44)
.185(4.70)
.160(4.06)
.012(.305)
.006(.152)
.083(2.13)
MECHANICALDATA
案例： JEDEC DO- 214AA ，模压塑料多钝化结
码头：焊接镀，每MIL -STD- 750 ，方法2026
极性：由阴极频带指示
标准包装：12毫米胶带（ E1A -481 ）
重量：0.003盎司， 0.093克
.050(1.27)
.030(0.76)
.008(.203)
.002(.051)
.220(5.59)
.200(5.08)
最大额定值和电气特性
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。
参数
对TA峰值脉冲功率耗散= 50
O
C（注一）
减免上述70
O
C
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
工作结存储温度范围
符号
价值
3.0
24.0
15
-55到+ 150
单位
W的ATT
毫瓦/
O
C
安培
O
P
D
I
FSM
T
J
,T
英镑
C
注意事项：
A.Mounted上5.0毫米
2
（ 0.013毫米厚）土地面积。
B.Measured在8.3ms的，和单一正弦半波或等效方波，占空比= 4个脉冲每分钟最高
REV.0-JUN.15.2005
PAGE 。 1
1SMB3EZ6.8~1SMB3EZ100
N}÷ M I纳升泽NE R诉 L T A G é
产品型号
无米。 V
3.0瓦特齐纳二极管
1SMB3EZ6.8
1SMB3EZ7.5
1SMB3EZ8.2
1SMB3EZ8.7
1SMB3EZ9.1
1SMB3EZ10
1SMB3EZ11
1SMB3EZ12
1SMB3EZ13
1SMB3EZ14
1SMB3EZ15
1SMB3EZ16
1SMB3EZ17
1SMB3EZ18
1SMB3EZ19
1SMB3EZ20
1SMB3EZ22
1SMB3EZ24
1SMB3EZ25
1SMB3EZ27
1SMB3EZ28
1SMB3EZ30
1SMB3EZ33
1SMB3EZ36
1SMB3EZ39
1SMB3EZ43
1SMB3EZ47
1SMB3EZ51
1SMB3EZ56
1SMB3EZ60
1SMB3EZ62
1SMB3EZ68
1SMB3EZ75
1SMB3EZ82
1SMB3EZ87
1SMB3EZ91
1SMB3EZ100
6.8
7.5
8.2
8.7
9.1
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
22
24
25
27
28
30
33
36
39
43
47
51
56
60
62
68
75
82
87
91
100
6.46
7.13
7.79
8.27
8.65
9..50
10.45
11.40
12.35
13.30
14.25
15.20
16.15
17.10
18.05
19.00
20.90
22.80
23.75
25.65
26.60
28.50
31.35
34.20
37.05
40.85
44.65
48.45
53.20
57.00
58.90
64.60
71.25
77.90
82.65
86.45
95.00
7.14
7.88
8.61
9.14
9.56
10.50
11.55
12.60
13.65
14.70
15.75
16.80
17.85
18.90
19.95
21.00
23.10
25.20
26.25
28.35
29.40
31.50
34.65
37.80
40.95
45.15
49.35
53.55
58.80
63.00
65.10
71.40
78.75
86.10
91.35
95.55
105.00
2
2
2
2
3
4
4
5
5
6
7
8
9
10
11
11
12
13
14
18
18
20
23
25
30
35
40
48
55
58
60
75
90
100
120
125
175
110.0
100.0
91.0
85.0
82.0
75.0
68.0
63.0
58.0
53.0
50.0
47.0
44.0
42.0
40.0
37.0
34.0
31.0
30.0
28.0
27.0
25.0
23.0
21.0
19.0
17.0
16.0
15.0
13.0
12.5
12.0
11.0
10.0
9.1
8.5
8.2
7.5
700
700
700
700
700
700
700
700
700
700
700
700
750
750
750
750
750
750
750
750
750
1000
1000
1000
1000
1500
1500
1500
2000
2000
2000
2000
2000
3000
3000
3000
3000
1.00
0.50
0.50
0.50
0.50
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
5.00
5.00
5.00
4.00
3.00
3.00
1.00
1.00
0.50
0.50
0.50
0.50
0.50
0.50
0.50
0.50
0.50
0.50
0.50
0.50
0.50
0.50
0.50
0.50
0.50
0.50
0.50
0.50
0.50
0.50
0.50
0.50
0.50
0.50
0.50
0.50
0.50
4.00
5.00
6.00
6.60
7.00
7.60
8.40
9.10
9.90
10.60
11.40
12.20
13.00
13.70
14.40
15.20
16.70
18.20
19.00
20.60
21.30
22.50
25.10
27.40
29.70
32.70
35.70
38.80
42.60
45.60
47.10
51.70
56.00
62.20
66.10
69.20
76.00
3006
3007
3008
30A 8
3009
3010
3011
3012
3013
3014
3015
3016
3017
3018
3019
3020
3022
3024
3025
3027
3028
3030
3033
3036
3039
3043
3047
3051
3056
3060
3062
3068
3075
3082
3087
3091
3100
SMB
SMB
SMB
SMB
SMB
SMB
SMB
SMB
SMB
SMB
SMB
SMB
SMB
SMB
SMB
SMB
SMB
SMB
SMB
SMB
SMB
SMB
SMB
SMB
SMB
SMB
SMB
SMB
SMB
SMB
SMB
SMB
SMB
SMB
SMB
SMB
SMB
V
Z
@ I
ZT
M | N 。 V
M A X 。 V
Z
ZT
@ I
ZT
HM s
M A X I M ü米简é 林P E D A N权证
I
ZT
mA
Z
ZK
@ I
ZK
HM s
I
ZK
mA
A
马克斯。反向
漏电流
I
R
@V
R
V
记号
颂歌
P一CKA克é
REV.0-JUN.15.2005
PAGE 。 2
1SMB3EZ6.8~1SMB3EZ100
应用指南：
因为从一个给定的齐纳二极管可用的实际电压是依赖于温度的，有必要determinejunction
为了计算其值根据任何一组的操作条件下的温度。下面的步骤建议：
铅的温度，T
L
，应当从确定：
T
L
=
q
LA P
D
+ T
A
O
q
L
A
是导入到环境的热阻（℃ / W ）和Pd是功耗。对于价值
q
L
A
会变化，并取决于
在装置的安装方法。
q
L
A
一般是30-40
O
对于各种片段的C / W，并在普通用途和用于印刷扎点
电路板布线。
引线的温度，也可以使用热电偶放置在上述引线尽可能接近到枕木画法测定
连接到所述连接点的热质量通常是足够大的，以便它不会显著响应热浪涌
在二极管作为脉冲操作的一次稳态条件下得以实现的结果而产生。使用的测定值
TL时，结点温度可以由下式确定：
T
J
= T
L
+
D
T
JL
D
T
JL
高于铅温度的增加结点温度，并且可以发现，从图2为功率脉冲驱动的列车
或者从图10为直流电源。
D
T
JL
=
q
J
L
P
D
对于最坏情况设计，预计使用我的限制
Z
，将P限制
D
和T的极端
J
(
D
T
J
）可以被估计。变化沃尔
V
Z
然后，可以得到：
D
V =
q
V
Z
D
T
J
q
V
Z
中，齐纳电压的温度系数，从图5和6中。
在高功率脉冲操作中，齐纳电压会随时间而变化，并且也可以由齐纳RESIS显著影响
为了获得最佳的调节，保持目前的游览尽可能低。
图2中的数据不应被用于计算浪涌卡帕-相容性。浪涌限制是在图3中给出它们比瓦特下
只考虑结温可以预料的，因为电流拥挤效应引起的温度是非常高的单位为s
导致器件退化斑点应图3的极限被超出。
REV.0-JUN.15.2005
PAGE 。 3
QQ：2880707522 复制
