1SMB2EZ11 THRU 1SMB2EZ200
表面贴装硅稳压二极管
电压 - 11至200伏
特点
l
低廓包
l
内置应变消除
l
l
l
l
l
l
玻璃钝化结
低电感
出色的钳位能力
典型的我
D
小于1
g
上述A 11V
高温焊接：
260
J
/ 10秒端子
塑料包装有保险商实验室
可燃性分类94V -O
功率 - 2.0瓦
DO-214AA
机械数据
案例： JEDEC DO- 214AA ，在模制塑料
钝化结
码头：焊接镀，每焊
MIL- STD- 750 ，方法2026
极性：色环表示正端（阴极）
除了Brdirectional
标准包装：12毫米磁带（ EIA- 481 ）
重量：0.003盎司， 0.093克
最大额定值和电气特性
25评分
J
环境温度，除非另有规定。
符号
峰值脉冲功率耗散（注一）
P
D
减免上述75
J
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波叠加在额定
I
FSM
负荷（ JEDEC的方法） （注二）
工作结存储温度范围
T
J
,T
英镑
注意事项：
A.安装在5.0毫米（ 0.013毫米厚）土地面积。
B.测量的8.3ms的，单一正弦半波或等效方波，占空比= 4个脉冲
每分钟最高。
2
价值
2
24
15
-55到+150
单位
瓦
毫瓦/
J
安培
J
1SMB2EZ11 THRU 1SMB2EZ200
电气特性（T
A
=25
J
除非另有说明）V
F
= 1.2 V MAX，我
F
= 500毫安所有类型
型号
（注1 ）
1SMB2EZ11
1SMB2EZ12
1SMB2EZ13
1SMB2EZ14
1SMB2EZ15
1SMB2EZ16
1SMB2EZ17
1SMB2EZ18
1SMB2EZ19
1SMB2EZ20
1SMB2EZ22
1SMB2EZ24
1SMB2EZ27
1SMB2EZ30
1SMB2EZ33
1SMB2EZ36
1SMB2EZ39
1SMB2EZ43
1SMB2EZ47
1SMB2EZ51
1SMB2EZ56
1SMB2EZ62
1SMB2EZ68
1SMB2EZ75
1SMB2EZ82
1SMB2EZ91
1SMB2EZ100
1SMB2EZ110
1SMB2EZ120
1SMB2EZ130
1SMB2EZ140
1SMB2EZ150
1SMB2EZ160
1SMB2EZ170
1SMB2EZ180
1SMB2EZ190
1SMB2EZ200
公称
齐纳
电压Vz
@ I
ZT
伏
（注2 ）
11.0
12.0
13.0
14.0
15.0
16.0
17.0
18.0
19.0
20.0
22.0
24.0
27.0
30.0
33.0
36.0
39.0
43.0
47.0
51.0
56.0
62.0
68.0
75.0
82.0
91.0
100.0
110.0
120.0
130.0
140.0
150.0
160.0
170.0
180.0
190.0
200.0
TEST
最大齐纳浪涌电流
最大齐纳阻抗（注3 ）漏电流
电流I
ZT
当前
@ T
A
= 25
J
mA
I
ZM
铱 - 毫安
Z
ZT
@ I
ZT
Z
Zk
@ I
ZK
I
ZK
I
R
V
R
mA
（注4 ）
g
A最大电压@
欧
欧
mA
45.5
41.5
38.5
35.7
33.4
31.2
29.4
27.8
26.3
25.0
22.8
20.8
18.5
16.6
15.1
13.9
12.8
11.6
10.6
9.8
9.0
8.1
7.4
6.7
6.1
5.5
5.0
4.5
4.2
3.8
3.6
3.3
3.1
2.9
2.8
2.6
2.5
4.0
4.5
5.0
5.5
7.0
8.0
9.0
10.0
11.0
11.0
12.0
13.0
18.0
20.0
23.0
25.0
30.0
35.0
40.0
48.0
55.0
60.0
75.0
90.0
100.0
125.0
175.0
250.0
325.0
400.0
500.0
575.0
650.0
675.0
725.0
825.0
900.0
700
700
700
700
700
700
750
750
750
750
750
750
750
1000
1000
1000
1000
1500
1500
1500
2000
2000
2000
2000
3000
3000
3000
4000
4500
5000
5500
6000
6500
7000
7000
8000
8000
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
1.0
1.0
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
8.4
9.1
9.9
10.6
11.4
12.2
13.0
13.7
14.4
15.2
16.7
18.2
20.6
22.5
25.1
27.4
29.7
32.7
35.8
38.8
42.6
47.1
51.7
56.0
62.2
69.2
76.0
83.6
91.2
98.8
106.4
114.0
121.6
130.4
136.8
144.8
152.0
166
152
138
130
122
114
107
100
95
90
82
76
68
60
55
50
47
43
39
36
32
29
27
24
22
20
18
17
15
14
13
12
11
11
10
10
9
1.82
1.66
1.54
1.43
1.33
1.25
1.18
1.11
1.05
1.00
0.91
0.83
0.74
0.67
0.61
0.56
0.51
0.45
0.42
0.39
0.36
0.32
0.29
0.27
0.24
0.22
0.20
0.18
0.16
0.15
0.14
0.13
0.12
0.12
0.11
0.10
0.10
注意事项：
1.公差 - 后缀表示5％容差的任何其他公差将被认为是一种特殊的设备。
2.齐纳电压（ VZ）的测量 - 当在40毫秒计量保证齐纳电压
10ms
从所述二极管主体，和25的环境温度下
J
( 8
J
, -2
J
).
3.ZENER阻抗（ ZZ）推导 - 齐纳阻抗从60周期的交流电压衍生
这导致当具有一个交流电流的有效值falue等于直流齐纳电流的10％ （我
ZT
还是我
ZK
）是
叠加在我
ZT
还是我
ZK
.
4.浪涌电流（ Ir）的非重复性 - 在电气特性表中列出该评级
最大峰值， 1/2方波或等效的正弦波脉冲非重复性，反向浪涌电流
1/120秒的持续时间叠加在测试电流I
ZT
，根据JEDEC标准，但是，实际
设备能力在图3中所描述的。
额定值和特性曲线
1SMB2EZ11 THRU 1SMB2EZ200
c
JL （T ， D）瞬态热
阻力
结到铅（ 焦耳/ W）
30
20
10
7
5
3
2
1
0.7
0.5
0.05
0.02
下面的说明0.1秒，
热响应
曲线适用于
任何引线长度（ L）
0.002
0.005
0.01
0.02
0.05
D = 0.5
0.2
0.1
0.01
0.0002
0.3
0.0001
D=0
0.0005
0.001
单脉冲
G
TJL =
K
JL （T ） PPK
重复脉冲
G
TJL =
K
JL （T ， D） PPK
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
图。 2 ，典型的热响应L，
PPK ，峰值浪涌功率（瓦特）
500
250
150
100
50
30
20
10
矩形非重复性
波形TJ = 25
J
之前
初始脉冲
IR ，反向LEADAGE （ uAdc ）
@VR规定在ELEC 。
CHAR 。表
100
0.1
0.05
0.03
0.02
0.01
0.005
0.003
0.002
0.001
0.0005
0.0003
0.0002
0.0001
1
2
5
10
20
50
100
200
500
1K
.1
.
.2 .3
5
1
2 3 5
30
10
20
50
P.W.脉冲宽度（ ms）的
标称VZ （伏）
图。 3 ，最大浪涌电源
c
VZ ，温度
系数（MV / J）， @ IZT
8
6
4
2
0
-2
-4
3
4
6
8
10
12
范围
图。 4 ，典型的反向漏
200
c
VZ ，温度
系数（MV /
J
） @ IZT
100
范围
50
40
30
20
10
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
VZ ，齐纳电压@IZT （伏）
VZ ，齐纳电压@IZT （伏）
图。 5单位12伏
图。 6 ，单元10 200伏
额定值和特性曲线
1SMB2EZ11 THRU 1SMB2EZ200
100
100
IZ ，齐纳电流（毫安）
50
30
20
10
5
3
2
1
0.5
0.3
0.2
0.1
0
1
2 3
4
5
6 7
8
9 10
IZ ，齐纳电流（毫安）
50
30
20
10
5
3
2
1
0.5
0.3
0.2
0.1
0
10
20 30 40
50 60
70 80 90
100
VZ ，齐纳电压（伏）
VZ ，齐纳电压（伏）
图。 7 - VZ = 3.9 THRU 10伏
图。 8 - VZ = 12 THRU 82伏
100
IZ ，齐纳电流（毫安）
50
30
20
10
5
3
2
1
0.5
0.3
0.2
0.1
100
120
140
160
180
200
c
JL ，结LEAD热
电阻（
J
/W)
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
的主路径
传导是通过
阴极引线
1/8
1/4
3/8
1/2
5/8
3/4
7/8
1
VZ ，齐纳电压（伏）
L，引线长度到散热器（ INCH ）
图。 9 - VZ = 100 THRU 200伏
图。 10典型热阻
1SMB2EZ6.8~1SMB2EZ100
玻璃钝化结硅稳压二极管
电压
特点
薄型封装
.155(3.94)
.130(3.30)
.083(2.11)
.075(1.91)
6.8到100伏
动力
2.0瓦
SMB/DO-214AA
单位：英寸（毫米）
内置应变救灾
低电感
典型I
D
小于1.0μA 11V以上
塑料包装有保险商实验室可燃性
分类94V -O
高温焊接： 260℃ / 10秒码头
.096(2.44)
.083(2.13)
.185(4.70)
.160(4.06)
无铅产品可供选择： 99 ％的锡能符合ROHS环境
物质指令的要求
.012(.305)
.006(.152)
MECHANICALDATA
案例： JEDEC DO- 214AA ，模压塑料多钝化结
码头：焊接镀，每MIL -STD- 750 ，方法2026
极性：由阴极频带指示
标准包装：12毫米胶带（ E1A -481 ）
重量：0.003盎司， 0.093克
.050(1.27)
.030(0.76)
.008(.203)
.002(.051)
.220(5.59)
.200(5.08)
最大额定值和电气特性
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。
参数
对TA峰值脉冲功率耗散= 50
O
C（注一）
减免上述70
O
C
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
工作结存储温度范围
符号
价值
2.0
24.0
15
-55到+ 150
单位
W的ATT
毫瓦/
O
C
安培
O
P
D
I
FSM
T
J
,T
英镑
C
注意事项：
A.Mounted上5.0毫米
2
（ 0.013毫米厚）土地面积。
B.Measured在8.3ms的，和单一正弦半波或等效方波，占空比= 4个脉冲每分钟最高
STAD-JUL.16.2005
PAGE 。 1
1SMB2EZ6.8~1SMB2EZ100
N}÷ M I纳升泽NE R诉 L T A G é
产品型号
无米。 V
2.0瓦特齐纳二极管
1SMB2EZ6.8
1SMB2EZ7.5
1SMB2EZ8.2
1SMB2EZ8.7
1SMB2EZ9.1
1SMB2EZ10
1SMB2EZ11
1SMB2EZ12
1SMB2EZ13
1SMB2EZ14
1SMB2EZ15
1SMB2EZ16
1SMB2EZ17
1SMB2EZ18
1SMB2EZ19
1SMB2EZ20
1SMB2EZ22
1SMB2EZ24
1SMB2EZ25
1SMB2EZ27
1SMB2EZ28
1SMB2EZ30
1SMB2EZ33
1SMB2EZ36
1SMB2EZ39
1SMB2EZ43
1SMB2EZ47
1SMB2EZ51
1SMB2EZ56
1SMB2EZ60
1SMB2EZ62
1SMB2EZ68
1SMB2EZ75
1SMB2EZ82
1SMB2EZ87
1SMB2EZ91
1SMB2EZ100
6.8
7.5
8.2
8.7
9.1
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
22
24
25
27
28
30
33
36
39
43
47
51
56
60
62
68
75
82
87
91
100
6.46
7.13
7.79
8.27
8.65
9..50
10.45
11.40
12.35
13.30
14.25
15.20
16.15
17.10
18.05
19.00
20.90
22.80
23.75
25.65
26.60
28.50
31.35
34.20
37.05
40.85
44.65
48.45
53.20
57.00
58.90
64.60
71.25
77.90
82.65
86.45
95.00
7.14
7.88
8.61
9.14
9.56
10.50
11.55
12.60
13.65
14.70
15.75
16.80
17.85
18.90
19.95
21.00
23.10
25.20
26.25
28.35
29.40
31.50
34.65
37.80
40.95
45.15
49.35
53.55
58.80
63.00
65.10
71.40
78.75
86.10
91.35
95.55
105.00
2
2
2
2
3
4
4
5
5
6
7
8
9
10
11
11
12
13
14
18
18
20
23
25
30
35
40
48
55
58
60
75
90
100
120
125
175
73.5
66.5
61.0
58.0
55.0
50.0
45.5
41.5
38.5
35.7
33.4
31.2
29.4
27.8
26.3
25.0
22.8
20.8
20.0
18.5
17.0
16.6
15.1
13.9
12.8
11.6
10.6
9.8
9.0
8.5
8.1
7.4
6.7
6.1
5.8
5.5
5.0
700
700
700
700
700
700
700
700
700
700
700
700
750
750
750
750
750
750
750
750
750
1000
1000
1000
1000
1500
1500
1500
2000
2000
2000
2000
2000
3000
3000
3000
3000
1.00
0.50
0.50
0.50
0.50
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
5.00
5.00
5.00
4.00
3.00
3.00
1.00
1.00
0.50
0.50
0.50
0.50
0.50
0.50
0.50
0.50
0.50
0.50
0.50
0.50
0.50
0.50
0.50
0.50
0.50
0.50
0.50
0.50
0.50
0.50
0.50
0.50
0.50
0.50
0.50
0.50
0.50
4.00
5.00
6.00
6.60
7.00
7.60
8.40
9.10
9.90
10.60
11.40
12.20
13.00
13.70
14.40
15.20
16.70
18.20
19.00
20.60
21.30
22.50
25.10
27.40
29.70
32.70
35.80
38.80
42.60
45.60
47.10
51.70
56.00
62.20
66.10
69.20
76.00
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20A 8
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SMB
SMB
SMB
SMB
SMB
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SMB
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SMB
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SMB
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SMB
SMB
SMB
SMB
SMB
SMB
SMB
SMB
SMB
SMB
SMB
SMB
SMB
SMB
SMB
SMB
SMB
SMB
SMB
SMB
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V
Z
@ I
ZT
M | N 。 V
M A X 。 V
Z
ZT
@ I
ZT
HM s
M A X I M ü米简é 林P E D A N权证
I
ZT
mA
Z
ZK
@ I
ZK
HM s
I
ZK
mA
A
马克斯。反向
漏电流
I
R
@V
R
V
记号
颂歌
P一CKA克é
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PAGE 。 2
1SMB2EZ6.8~1SMB2EZ100
1
2
3
应用指南：
因为从一个给定的齐纳二极管可用的实际电压是依赖于温度的，有必要determinejunction
为了计算其值根据任何一组的操作条件下的温度。下面的步骤建议：
铅的温度，T
L
，应当从确定：
T
L
=
q
LA P
D
+ T
A
O
q
L
A
是导入到环境的热阻（℃ / W ）和Pd是功耗。对于价值
q
L
A
会变化，并取决于
在装置的安装方法。
q
L
A
一般是30-40
O
对于各种片段的C / W，并在普通用途和用于印刷扎点
电路板布线。
引线的温度，也可以使用热电偶放置在上述引线尽可能接近的连接点进行测量。
连接到所述连接点的热质量通常是足够大的，以便它不会显著响应热浪涌
在二极管作为脉冲操作的一次稳态条件下得以实现的结果而产生。使用的测定值
TL时，结点温度可以由下式确定：
T
J
= T
L
+
D
T
JL
D
T
JL
高于铅温度的增加结点温度，并且可以发现，从图2为功率脉冲串
或者从图10为直流电源。
D
T
JL
=
q
J
L
P
D
对于最坏情况设计，预计使用我的限制
Z
，将P限制
D
和T的极端
J
(
D
T
J
）可以被估计。的电压变化，
V
Z
然后，可以得到：
D
V =
q
V
Z
D
T
J
q
V
Z
中，齐纳电压的温度系数，从图5和6中。
在高功率脉冲操作中，齐纳电压会随时间而变化，并且也可以由齐纳电阻显著影响。
为了获得最佳的调节，保持目前的游览尽可能低。
图2中的数据不应被用于计算浪涌卡帕-相容性。浪涌限制是在图3中给出它们比将低
只考虑结温可以预料的，因为电流拥挤效应引起的温度是非常高的小
导致器件退化斑点应图3的极限被超出。
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