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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符1型号页 > 首字符1的型号第772页 > 1PMT5920B
POWERMITE
8700 E.托马斯路
亚利桑那州斯科茨代尔85251
联系电话: ( 480 ) 941-6300
传真: ( 480 ) 947-1503
3.0 WATT
齐纳二极管
1PMT5913B
THRU
1PMT5956B
描述
在Microsemi的POWERMITE表面贴装封装,这些稳压二极管
提供的功率处理能力( 3.0
瓦)
大封装的发现。
除了它的大小的优点, POWERMITE包的功能包括一个
全金属底部,消除了助焊剂滞留的可能性
在组装过程中,以及独特的锁定凸片可作为一个整体的散热器。其
创新的设计使该器件非常适用于自动插入使用
设备。
DO-216
特点
表面贴装包装
一体式散热器锁片
兼容自动插入设备
全金属底消除焊剂截留
齐纳电压3.3伏特200
低反向漏
严格的公差可
ESD额定值>16kV每人体模型
电路图
机械特性
阴极指定的TAB 1
安装位置任意方式
模压封装
重量: 0.016克(近似值)
热阻30 °C / W结到TAB1
最大额定值
结和存储温度: -55°C至+ 150°C
DC功耗: 3.0瓦特用TAB 1 60℃
正向电压:
@ 200毫安1.2伏
包装
包装
EIA标准481
磁带&卷轴
磁带&卷轴EIA标准481
7寸3000件
13寸的12000件
机械的特定网络阳离子
安装衬垫尺寸
所有尺寸+/- 0.005英寸
英寸
MSC0995.PDF
ISO 9001认证
F版99年11月1日
1PMT5913B通1PMT5956B
电气特性@ T
L
= 30° C
°
Microsemi的
设备
记号
齐纳
电压
(1)
TEST
当前
动态
阻抗
(2)
膝关节
当前
膝关节
阻抗
反向
当前
反向
电压
V
Z
I
ZT
mA
113.6
104.2
96.1
87.2
79.8
73.5
66.9
60.5
55.1
50
45.7
41.2
37.5
34.1
31.2
28.8
25
23.4
20.8
18.7
17
15.6
13.9
12.5
11.4
10.4
9.6
8.7
8.0
7.3
6.7
6.0
5.5
5.0
4.6
4.1
3.7
3.4
3.1
2.9
2.5
2.3
2.1
1.9
Z
ZT
10
9.0
7.5
6.0
5.0
4.0
2.0
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.5
6.5
7.0
9.0
10
12
14
17.5
19
23
28
33
38
45
53
67
70
86
100
120
140
160
200
250
300
380
450
600
700
900
1200
I
ZK
mA
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
0.5
0.5
0.5
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
Z
ZK
500
500
500
500
500
350
250
200
200
400
400
500
500
550
550
550
600
600
650
650
650
700
700
750
800
850
900
950
1000
1100
1300
1500
1700
2000
2500
3000
3100
4000
4500
5000
6000
6500
7000
8000
I
R
(最大)
ADC
100
75
25
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
V
R
1.0
1.0
1.0
1.0
1.5
2.0
3.0
4.0
5.2
6.0
6.5
7.0
8.0
8.4
9.1
9.9
11.4
12.2
13.7
15.2
16.7
18.2
20.6
22.8
25.1
27.4
29.7
32.7
35.8
38.8
42.6
47.1
51.2
56
62.2
69.2
76
83.6
91.2
98.8
114
121.6
136.8
152
最大
齐纳
当前
(3)
I
ZM
mA
749.1
686.4
633.6
547.2
526.4
481.8
432.3
397.7
363.0
330.0
300.3
270.6
247.5
224.4
206.2
189.8
165.0
153.5
68.5
123.8
112.2
102.3
90.8
82.5
74.3
67.7
62.7
56.1
51.2
47.9
42.9
38.6
36.3
33.0
29.7
26.4
24.8
21.5
19.8
18.1
16.5
14.9
13.2
11.6
1PMT5913B
1PMT5914B
1PMT5915B
1PMT5916B
1PMT5917B
1PMT5918B
1PMT5919B
1PMT5920B
1PMT5921B
1PMT5922B
1PMT5923B
1PMT5924B
1PMT5925B
1PMT5926B
1PMT5927B
1PMT5928B
1PMT5929B
1PMT5930B
1PMT5931B
1PMT5932B
1PMT5933B
1PMT5934B
1PMT5935B
1PMT5936B
1PMT5937B
1PMT5938B
1PMT5939B
1PMT5940B
1PMT5941B
1PMT5942B
1PMT5943B
1PMT5944B
1PMT5945B
1PMT5946B
1PMT5947B
1PMT5948B
1PMT5949B
1PMT5950B
1PMT5951B
1PMT5952B
1PMT5953B
1PMT5954B
1PMT5955B
1PMT5956B
913
914
915
916
917
918
919
920
921
922
923
924
925
926
927
928
929
930
931
932
933
934
935
936
937
938
939
940
941
942
943
944
945
946
947
948
949
950
951
952
953
954
955
956
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
82
91
100
110
120
130
150
160
180
200
注1 :
所示产品的标准公差
±5%
在额定齐纳电压。另外,在2 %和1%可用
公差分别为后缀C和D 。 V
Z
的测量是在我
ZT
与锝( TAB 1 ) 30 ℃。电压测量是
应用直流电流的20秒后进行。
注2 :
齐纳阻抗是由叠加在我衍生
ZT
60Hz的交流电有效值电流等于我10 %
ZT
.
注3 :
基于3 W的最大功率耗散。津贴已取得用于与相关联的更高的电压
操作在更高的电流和温度。用于与从I电流偏差判定电压变化的
ZT
看到微注202 。
MSC0995.PDF
ISO 9001认证
F版99年11月1日
1PMT5920B系列
3.2塑料瓦
表面贴装
POWERMITE
3.2瓦齐纳二极管这个完整的新生产线提供中
高效微小型,节省空间的表面贴装的
独特的散热设计。该POWERMITE包具有相同的
虽然是在小50 %的散热性能与SMA
占位面积和提供的最低高度配置文件之一( 1.1
毫米)的行业。由于其体积小,非常适合使用
蜂窝式电话,便携式设备,商用机器和许多其他
工业/消费应用。
规格特点:
http://onsemi.com
塑料表面贴装
3.2 WATT ZENER DIODES
6.2 - 47伏
齐纳击穿电压: 6.2 - 47伏
DC功耗: 3.2瓦用Tab 1 (阴极) @ 75℃
低漏< 5
mA
ESD额定值3类( > 16千伏)每人体模型
薄型 - 1.1 mm最大高度
一体式散热器/锁片
全金属底消除焊剂截留
体积小 - 中8.45毫米占位面积
2
提供12毫米磁带和卷轴
每卷T1 = 3000单位
每卷T3 = 12000台
POWERMITE是JEDEC注册为DO- 216AA
阴极指示的极性带
机械特性:
案例:
无空隙,传递模塑,热固性塑料
表面处理:
所有的外部表面耐腐蚀和导线
1
1 :阴极
2 :阳极
2
1
2
POWERMITE
CASE 457
塑料
标记图
D
2
阳极
随手可焊
安装位置:
任何
最大外壳焊接温度的目的:
1
阴极
XXB
xx
D
XXB
260℃ 10秒
=具体设备守则
= 20 41
=
(见表下一页)
=日期代码
订购信息
设备
航运
1PMT59xxBT1 POWERMITE 3000 /磁带&卷轴
1PMT59xxBT3 POWERMITE 12000元/磁带&卷轴
铅定向在TAPE :
阴极(短)导致齿孔
半导体元件工业有限责任公司, 2003
1
2003年7月 - 修订版0
出版订单号:
1PMT5920B/D
1PMT5920B系列
最大额定值
等级
DC功率耗散@ T
A
= 25 ° C(注1 )
减免上述25℃
从结点到环境的热阻
热阻结到铅(正极)
最大直流功率耗散(注2 )
热阻结到标签(阴极)
工作和存储温度范围
1.安装有建议的最小焊盘尺寸, PC板FR- 4 。
2.在选项卡(阴极)温度T
TAB
= 75°C
符号
°P
D
°
R
qJA
R
qJanode
°P
D
°
R
qJcathode
T
J
, T
英镑
价值
500
4.0
248
35
3.2
23
-55到+150
单位
°毫瓦
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
W
° C / W
°C
电气特性
(T
L
= 25°C ,除非
另有说明,V
F
= 1.5 V最大。 @我
F
= 200 MADC为所有类型的)
符号
V
Z
I
ZT
Z
ZT
I
ZK
Z
ZK
I
R
V
R
I
F
V
F
参数
反向击穿电压@ I
ZT
反向电流
最大齐纳阻抗@ I
ZT
反向电流
最大齐纳阻抗@ I
ZK
反向漏电流@ V
R
反向电压
正向电流
正向电压@ I
F
V
Z
V
R
I
F
I
I
R
V
F
I
ZT
V
齐纳稳压器
电气特性
(T
L
= 30℃ ,除非另有说明,V
F
= 1.25伏特@ 200毫安)
齐纳电压
(注3)
设备
记号
20B
21B
22B
23B
24B
25B
27B
29B
30B
31B
33B
34B
35B
36B
39B
41B
V
Z
@ I
ZT
(伏)
5.89
6.46
7.12
7.79
8.64
9.5
11.4
14.25
15.2
17.1
20.9
22.8
25.65
28.5
37.05
44.65
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
12
15
16
18
22
24
27
30
39
47
最大
6.51
7.14
7.88
8.61
9.56
10.5
12.6
15.75
16.8
18.9
23.1
25.2
28.35
31.5
40.95
49.35
I
ZT
(MA )
60.5
55.1
50
45.7
41.2
37.5
31.2
25
23.4
20.8
17
15.6
13.9
12.5
9.6
8.0
I
R
@ V
R
(MA )
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
V
R
(V)
4.0
5.2
6.0
6.5
7.0
8.0
9.1
11.4
12.2
13.7
16.7
18.2
20.6
22.8
29.7
35.8
Z
ZT
@ I
ZT
(注4 )
(W)
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
6.5
9.0
10
12
17.5
19
23
28
45
67
Z
ZK
@ I
ZK
(注4 )
(W)
200
200
400
400
500
500
550
600
600
650
650
700
700
750
900
1000
I
ZK
(MA )
1.0
1.0
0.5
0.5
0.5
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
设备
1PMT5920BT1 , T3
1PMT5921BT1 , T3
1PMT5922BT1 , T3
1PMT5923BT1 , T3
1PMT5924BT1 , T3
1PMT5925BT1 , T3
1PMT5927BT1 , T3
1PMT5929BT1 , T3
1PMT5930BT1 , T3
1PMT5931BT1 , T3
1PMT5933BT1 , T3
1PMT5934BT1 , T3
1PMT5935BT1 , T3
1PMT5936BT1 , T3
1PMT5939BT1 , T3
1PMT5941BT1 , T3
3.齐纳电压的测量可以在热平衡的器件结以25 ℃的环境温度下进行。
4.齐纳阻抗推导
ZT
和Z
ZK
通过分割所施加的交流电流加在器件上的交流电压降进行测量。该
规定的限度是我
Z
(交流) = 0.1余
Z
( DC)与交流频率为60赫兹。
http://onsemi.com
2
1PMT5920B系列
典型特征
P D,最大功耗( W)
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
25
50
75
100
125
150
175
T,温度( ° C)
0.1
5
6
7
8
9
10
V
Z
,齐纳电压(伏)
11
T
L
100
I
Z
,齐纳电流(毫安)
10
1
图1.稳态功率降额
q
VZ
,温度系数(毫伏/ ° C)
100
IZ ,齐纳电流(毫安)
50
30
20
10
5
3
2
1
0.5
0.3
0.2
0.1
0
10
20
30
40
50
60
70
80
V
Z
,齐纳电压(伏)
90
100
10
8
6
4
2
0
2
4
2
4
V
Z
@ I
ZT
图2. V
Z
以10伏
6
8
10
V
Z
,齐纳电压(伏)
12
图3. V
Z
= 12通47伏
q
VZ
,温度系数(毫伏/ ° C)
200
ZZ ,动态阻抗(欧姆)
V
Z
@ I
ZT
100
70
50
30
20
图4.齐纳电压 - 以12伏
200
I
Z( DC )
= 1毫安
100
70
50
30
20
10
7
5
3
2
5
7
10毫安
20毫安
i
Z( RMS)
= 0.1 I
Z( DC )
70
100
10
10
20
30
50
70
100
V
Z
,齐纳电压(伏)
200
10
20
30
50
V
Z
,齐纳电压(伏)
图5.齐纳电压 - 14至47伏
齐纳电压的图6的影响
http://onsemi.com
3
1PMT5920B系列
Z Z ,动态阻抗(欧姆)
1k
500
200
100
50
20
10
5
2
1
0.5 1
22 V
6.8 V
2
5
10
20
50 100 200
500
I
Z
,齐纳测试电流(mA )
12 V
T
J
= 25°C
i
Z( RMS)
= 0.1 I
Z( DC )
齐纳电流的图7的影响
10,000
C,电容(pF )
1000
标准@ 0 V BIAS
标准@ 50 %V
R
100
10
1
10
V
Z
,反向齐纳电压(伏)
100
图8.电容与反向
齐纳电压
http://onsemi.com
4
1PMT5920B系列
典型焊加热曲线
对于任何给定的电路板,将有一组
控制设置,这将得到期望的加热方式。该
操作者必须设置温度数个加热区
和一个数字带速。两者合计,这些控制
设置补热“轮廓”为特定
电路板。在由计算机控制的机器,所述
计算机从一个操作系统会记住这些配置文件
会话到下一个。图9示出了一个典型的加热分布
用于焊接表面贴装时,设备在印刷
电路板。此配置文件将焊接各不相同
系统,但它是一个很好的起点。因素,可以
影响的信息包括焊接系统中的类型
使用时,密度和成分上的板型,类型
焊料使用,并且基板或基片材料的类型
被使用。这个曲线显示温度随时间的变化。
第1步
预热
1区
RAMP"
200°C
步骤2步骤3
VENT
加热
SOAK" 2区& 5
RAMP"
图上的线表示的实际温度
在可能经历了测试板的表面上或
靠近中央焊点。两个配置文件基于一个
高密度和低密度板。该维多利绍德
SMD310对流/红外回流焊接系统是
用于生成此信息。所使用的焊料类型是
62/36/2铅锡银带之间的熔点
177-189 ℃。当这种类型的炉子是用于焊料
回流工作时,电路板和焊点倾向于
先热。电路板上的组件,然后通过加热
传导。在电路板上,因为它有一个大的表面
面积,更有效地吸收的热能,然后
分配的能量,以该组件。因为这
效果,一个组件的所述主体可以是最多30个
度比相邻焊点冷却。
第6步
VENT
STEP 7
冷却
205 ° 219℃
高峰
焊点
第4步
步骤5
加热
加热
开发区3及6个区域4和7
SOAK"
SPIKE"
170°C
160°C
所需的曲线用于高
MASS ASSEMBLIES
150°C
150°C
100°C
100°C
所需的曲线FOR LOW
MASS ASSEMBLIES
50°C
140°C
焊料液
40至80秒
(根据
装配质量)
时间( 37分钟总)
T
最大
图9.典型的焊接暖气简介
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