1N746A - 1N759A
V
Z
:
3.3至12V
P
D
:
500mW
产品特点：
硅平面功率齐纳二极管。
标准齐纳电压容差
±
5%
其他公差可根据要求提供。
无铅/符合RoHS免费
齐纳二极管
DO - 35玻璃
(DO-204AH)
0.079 （2.0）最大。
1.00 (25.4)
分钟。
阴极
标志
0.150 (3.8)
马克斯。
机械数据：
案例：
DO- 35玻璃柜
重量：
约。 0.13克
0.020 （0.52）最大。
1.00 (25.4)
分钟。
尺寸以英寸（毫米）
等级25
°
C环境温度，除非另有规定。
最大额定值和热特性
参数
齐纳电流见表"Characteristics"
最大正向电压在我
F
= 200毫安。
在T功耗
L
= 75°C
热阻结到环境空气
结温
存储温度范围
V
F
P
D
R
θ
JA
T
J
T
S
1.2
500
(1)
300
(2)
175
-65到+ 150
V
mW
° C / W
°C
°C
符号
价值
单位
注意事项：
(1) T
L
自体测3/8“ 。
（2）有效的规定，导致在从情况下的距离的3/8“被保持在环境温度。
第1页2
启示录02 ： 2005年3月25日
电气特性
等级25
°
C环境温度，除非另有规定。
TYPE
公称
齐纳电压
V
Z
@ I
ZT
(V)
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
12
TEST
当前
I
ZT
（MA ）
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
1N746A
1N747A
1N748A
1N749A
1N750A
1N751A
1N752A
1N753A
1N754A
1N755A
1N756A
1N757A
1N758A
1N759A
注意事项：
最大
齐纳
阻抗
Z
ZT
@ I
ZT （1）
()
28
24
23
22
19
17
11
7
5
6
8
10
17
30
最大反向
漏电流
(2)
I
R
@ V
R
=1V
Ta=25°C
Ta=150°C
(A)
(A)
10
30
10
10
2
2
1
1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
30
30
30
30
20
20
20
20
20
20
20
20
20
最大直流。
齐纳电流
I
ZM
（MA ）
110
100
95
85
75
70
65
60
55
50
45
40
35
30
（1）齐纳阻抗是从1千赫兹的交流电压具有的RMS值等于10％的交流电流时，其导致来自
齐纳电流（Ⅰ
ZT
）被叠加在我
ZT
。齐纳阻抗的测量是在两个点，以确保在一个锋利的膝
故障曲线，消除不稳定的单位。
（2）有效的规定，导致在从情况下的距离的3/8“被保持在环境温度。
（3）中列出的类型数对的标称齐纳电压的标准公差
±
5.0%.
第2页2
启示录02 ： 2005年3月25日
日前，Vishay
1N746A到1N759A
威世半导体
齐纳二极管
\
特点
硅平面功率齐纳二极管。
标准齐纳电压容限是"A" ± 5 ％
后缀。
94 9367
机械数据
案例：
DO- 35玻璃柜
重量：
约。 130毫克
包装代码/选项：
每13 "卷轴TR / 10K ， 30K /箱
每弹药带（52毫米磁带） ， 30K /盒TAP / 10K
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
齐纳电流（见表"Characteristics" ）
功耗
1)
测试条件
T
AMB
= 75 °C
符号
P
合计
价值
500
1)
单位
W
T
L
被测量，导致在3/8 "从壳体的距离被保持在环境温度下
最大热阻
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
热阻结到
环境空气
最高结温
存储温度范围
1)
测试条件
符号
R
θJA
T
j
T
S
价值
300
1)
单位
° C / W
°C
°C
175
- 65 + 175
有效的提供，导致在3/8 "从壳体的距离被保持在环境温度下
文档编号85756
第2版， 04 -APR- 03
www.vishay.com
1
1N746A到1N759A
威世半导体
电气特性
1N746A到1N759A
部分号码
额定齐纳
电压
V
Z
@ I
ZT 3 ）
V
1N746A
1N747A
1N748A
1N749A
1N750A
1N751A
1N752A
1N753A
1N754A
1N755A
1N756A
1N757A
1N758A
1N759A
1)
日前，Vishay
测试电流
最大
动态
阻抗
Z
ZT
@ I
ZT 1 ）
28
24
23
22
19
17
11
7
5
6
8
10
17
30
最大
调节器
当前
I
ZM2)
mA
110
100
95
85
75
70
65
60
55
50
45
40
35
30
最大反向漏电流
(I
R
@ V
R
= 1V)
T
AMB
= 25 °C
A
10
10
10
2
2
1
1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
T
AMB
= 150 °C
A
30
30
30
30
30
20
20
20
20
20
20
20
20
20
I
ZT
mA
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
12
齐纳阻抗是从1千赫兹的交流电压具有的RMS值等于10％的交流电流时，其导致来自
齐纳电流（I
ZT
）被叠加在我
ZT
.Zener阻抗的测量是在两个点，以确保锋利膝盖击穿曲线上
和消除不稳定的单元。
2)
有效的提供，导致在从情况下的距离的3/8 "被保持在环境温度。
在热平衡器件结。
3)
测
包装尺寸（mm）
阴极鉴定
技术图纸
根据DIN
特定网络阳离子
94 9366
0.55
马克斯。
1.7
马克斯。
标准玻璃柜
54 A 2 DIN 41880
JEDEC DO 35
重最大。 0.3克
26分钟。
3.9最大。
26分钟。
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2
文档编号85756
第2版， 04 -APR- 03
日前，Vishay
消耗臭氧层物质的政策声明
它的策略
威世半导体有限公司
to
1N746A到1N759A
威世半导体
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售的业绩和
operatingsystems相对于它们的健康和员工的安全和公众的影响，如
以及它们对环境的影响。
这是特别关注，以控制或消除这些物质排放到它们的气息
被称为消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990）打算严格限制使用消耗臭氧层物质
并严禁在未来十年内的使用。不同的国家和国际行动正加紧为
对这些物质的早期禁令。
威世半导体有限公司
已经能够利用不断改进的政策，以消除
使用消耗臭氧层物质的列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦修正列表
分别
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
威世半导体有限公司
可以证明，我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计的权利
并且可以这样做，恕不另行通知。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个验证
客户应用程序由客户。如买方使用威世半导体产品的任何
意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿威世半导体对所有
索赔，费用，损失，费用，直接或间接地产生出来的，个人的任何索赔
损害，伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
电话： 49 （ 0 ） 67 7131 2831 ，传真号码： 49 （ 0 ） 67 7131 2423
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3
齐纳二极管（ 1N746A - 1N759A ）
齐纳二极管
1N746A - 1N759A
绝对最大额定值*
符号
P
D
T
英镑
T
J
T
A
= 25 ° C除非另有说明
公差： A = 5 ％
参数
功耗
存储温度范围
工作结温
焊接温度（ 1/16“从案例10
秒）
价值
500
-65到+200
+ 175
+ 230
单位
mW
°C
°C
°C
*
这些额定值的限制值，超过该二极管的适用性可能受到损害。
注意事项：
1)
这些评级是基于200度C的最高结温
2)
这些都是稳定状态的限制。工厂应在涉及脉冲应用咨询
或低工作周期操作。
DO-35
颜色频带为负极
电气特性
设备
1N746A
1N747A
1N748A
1N749A
1N750A
1N751A
1N752A
1N753A
1N754A
1N755A
1N756A
1N757A
1N758A
1N759A
T
A
= 25 ° C除非另有说明
V
Z
(V)
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
12
Z
Z
()
28
24
23
22
19
17
11
7.0
5.0
6.0
8.0
10
17
30
@
I
Z
（MA ）
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
I
R1
(A)
10
10
10
2.0
2.0
1.0
1.0
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
@
V
R
(V)
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
I
R2
(A)
@
V
R
(V)
30
30
30
30
30
20
20
20
20
20
20
20
20
20
T
A
=150°C
°
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
(%/°C)
°
- 0.070
- 0.065
- 0.060
+/- 0.055
+/- 0.030
+/- 0.030
+ 0.038
+ 0.045
+ 0.050
+ 0.058
+ 0.062
+ 0.068
+ 0.075
+ 0.077
T
C
I
ZRM
*
（MA ）
110
100
95
85
75
70
65
60
55
50
45
40
35
38
*
I
如图（最大齐纳额定电流）值是基于对400毫瓦的JEDEC评级。其中，实际的齐纳电压（ VZ ）被称为在
ZRM
工作点，最大齐纳电流可以增大，并且由衰减曲线限定。
2001
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
1N746A - 1N759A版本C
齐纳二极管（ 1N746A - 1N759A ）
齐纳二极管（ 1N746A - 1N759A ）
（续）
典型特征
35
5000
V
Z
= 33.0V
V
Z
- 齐纳电压（ V）
25
20
15
10
5
V
Z
= 5.1V
T
A
= 25
C
Z
Z
- 阻抗（欧姆）
30
2000
1000
500
V
Z
= 3.3V
200
100
50
V
Z
= 5.1V
T
A
= 25
C
V
Z
= 33.0V
V
Z
= 12.0V
V
Z
= 3.3V
20
10
V
Z
= 12.0V
5
2
1
0.1
1
2
5
10
I
Z
- 齐纳电流（mA）
20
30
0.2
0.5
1
2
5
I
Z
- 齐纳电流（mA）
10
20
齐纳电流与齐纳电压
齐纳电流与齐纳阻抗
5
V
Z
= 3.3V
6
V
Z
= 5.1V
V
Z
- 齐纳电压（ V）
V
Z
- 齐纳电压（ V）
4
T
A
= -25
C
T
A
= 25
C
5.5
T
A
= 125
C
3
T
A
= 85
C
5
T
A
= 100
C
T
A
= 25
C
T
A
= 85
C
2
T
A
= 100
C
T
A
= 125
C
4.5
T
A
= -25
C
1
4
1
2
5
10
I
Z
- 齐纳电流（mA）
20
30
1
2
5
10
I
Z
- 齐纳电流（mA）
20
30
3.3齐纳电压与温度的关系
5.1齐纳电压与温度的关系
15
V
Z
= 12.0V
40
T
A
= 125
C
V
Z
= 33.0V
T
A
= 100
C
T
A
= 125
C
V
Z
- 齐纳电压（ V）
V
Z
- 齐纳电压（ V）
35
10
T = -25
C
A
T
A
= 25
C
T
A
= 85
C
T
A
= 100
C
30
T
A
= -25
C
T
A
= 25
C
T
A
= 85
C
5
25
0
1
2
5
10
I
Z
- 齐纳电流（mA）
20
30
20
1
2
5
10
I
Z
- 齐纳电流（mA）
20
30
12齐纳电压与稳压温度
33齐纳电压与稳压温度
2001
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
1N746A - 1N759A版本C
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
DenseTrench
DOME
EcoSPARK
E
2
CMOS
TM
EnSigna
TM
FACT
FACT静音系列
放弃
快
FASTr
FRFET
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
等平面
LittleFET
的MicroFET
采用MicroPak
MICROWIRE
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
Power247
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
SILENT SWITCHER
SMART START
* STAR POWER
隐形
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TruTranslation
UHC
UltraFET
VCX
STAR *电源根据许可证使用
飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT
注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或
2.关键部件是在生命的任何组件
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
支持设备或系统，其故障执行能
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
可以合理预期造成的生命的失败
不履行时，按照正确使用
支持设备或系统，或影响其安全性或
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
H4牧师
TRANSYS
电子
L I M I T E
硅稳压二极管
1N746为1N759
DO- 35 400毫瓦
密封的玻璃封装稳压二极管
绝对最大额定值
描述
符号
价值
单位
ZV
3.3 12
V
齐纳电压
PD
400
mW
D C功率耗散
3.2
毫瓦/摄氏度
降额超过50摄氏度
TJ ， TSTG
-65到+175
摄氏度
操作&存储结
温度范围
电气特性（Ta = 25℃ ，除非另有规定， VF <1.5V @ 200毫安
设备标称*
齐纳
最大
最大
@
VR最大
典型值
TYPE ＃
齐纳
TEST
齐纳
反向电流
齐纳
温度
(1)
电压
阻抗
@ 25℃
@ 150摄氏度
当前
齐纳二极管的COEFF
VZ @ IZT
IZT
ZZT @ IZT
最大
最大
IZM
电压* VZ
(V)
（MA ）
（欧姆）
（ UA）
（ UA）
(V)
（MA ）
（ ％ ℃）
1N746
3.3
20
28
10
30
1.0
110
-0.066
1N747
3.6
20
24
10
30
1.0
100
-0.058
1N748
3.9
20
23
10
30
1.0
95
-0.046
1N749
4.3
20
22
2.0
30
1.0
85
-0.033
1N750
4.7
20
19
2.0
30
1.0
75
-0.015
1N751
5.1
20
17
1.0
20
1.0
70
+-0.010
1N752
5.6
20
11
1.0
20
1.0
65
+0.030
1N753
6.2
20
7
0.1
20
1.0
60
+0.049
1N754
6.8
20
5
0.1
20
1.0
55
+0.053
1N755
7.5
20
6
0.1
20
1.0
50
+0.057
1N756
8.2
20
8
0.1
20
1.0
45
+0.060
1N757
9.1
20
10
0.1
20
1.0
40
+0.061
1N758
10
20
17
0.1
20
1.0
35
+0.062
1N759
12
20
30
0.1
20
1.0
30
+0.062
注（ 1 ） ： - 无后缀+ -10 ％
后缀A + - 5 ％
*脉冲条件： 20ms的<tp 50毫秒，占空比Cycle<2 ％
DO- 35轴向玻璃封装
A
B
A
暗淡
A
C
B
D
笔记
1.阴极的特点是频带。
2.所有尺寸以毫米为单位。
C
D
民
25.40
3.03
0.46
1.52
最大
—
4.44
0.56
2.29
DO- 35 ， 52毫米编带标准
1.05最大。
1.5 R M AX 。
5.50
4.50
52毫米编带标准
1中。T & A表示轴向带&上午谟包装（ 52毫米
带间距） 。
2. 300米米（米）上的每个线轴的引带。
3号EM PTY地方允许编0.25 ％（重量） ithout
连续EM PTY地方。
4.两端引线应最好不要伸出
录音带。
5. COM ponents应带足够举办或
磁带，使他们不能COM è自由在规范人
处理。
利达
中线
± 1.05
54.00
50.00
6.0
5.0
52.0
11 IO DES
48.0
所有的暗淡ensions在M M 。
胶带
FE ê
D
6 . 0 ± 1 .0
52 ± 2
. 0 .0
6.0 ± 1.
0
85.0 mm
LABEL
.
255
73 .
5m
0m
m
m
DO -35 ： - 5000个/业余M O对包
DIO DE AM M O对PACK
上也提供26毫米磁带和弹药包的请求
包装细节
包
DO- 35 T&A
标准包装
详细
净重量/数量
5K /弹药箱
0.88公斤/ 5K个
内箱箱
SIZE
数量
10" X 3.5" X 3.5"
5.0K
SIZE
外箱BOX
数量
克重量
125.0K
25公斤
12.7" X 12.7" X 20"
LEADED （ THRU - HOLE ）
齐纳二极管
400mW的玻璃体稳压二极管
工作温度： -65℃ 150℃
RF
交
公称
TEST
最大齐纳最大反向漏最大DC
最大
包
概要
型号Refernce
齐纳
阻抗
V
R
=1V
齐纳温
（最大值为英寸）
电压@IZT
@I
ZT
T
A
= 25 ° （C T）
A
= 150 ℃，电流系数
V
Z
(V)
I
ZT
（MA ）
Z
ZT
(W)
I
R
（MA ）
I
R
（MA ）
I
ZM
（MA ）
(a
VZ
)
散装/卷
1N746A
1N5226B
3.3
20
28
10.0
30
110
-0.07
1000/10000
1N747A
1N5227B
3.6
20
24
10.0
30
100
-0.065
1000/10000
1N748A
1N5228B
3.9
20
23
10.0
30
95
-0.06
1000/10000
1N749A
1N5229B
4.3
20
22
2.0
30
85
-0.055
1000/10000
1N750A
1N5230B
4.7
20
19
2.0
30
75
-0.03
1000/10000
1N751A
1N5231B
5.1
20
17
1.0
20
70
0.03
1000/10000
1N752A
1N5232B
5.6
20
11
1.0
20
65
0.038
1000/10000
1N753A
1N5234B
6.2
20
7
0.1
20
65
0.045
1000/10000
1N754A
1N5235B
6.8
20
5
0.1
20
55
0.05
1000/10000
1N755A
1N5236B
7.5
20
6
0.1
20
50
0.058
1000/10000
1N756A
1N5237B
8.2
20
8
0.1
20
45
0.062
1000/10000
1N757A
1N5239B
9.1
20
10
0.1
20
40
0.068
1000/10000
1N758A
1N5240B
10.0
20
17
0.1
20
35
0.075
1000/10000
1N759A
1N5242B
12.0
20
30
0.1
20
30
0.077
1000/10000
400mW的玻璃体稳压二极管
RF
交
公称
TEST
最大齐纳稳压最大测试
最大
最大反向测试最大齐纳
型号Refernce
齐纳
阻抗阻抗电流温度LKG电流电压电流
电压@IZT
@I
ZT
@I
ZT
系数
@ V
R
I
ZM
位于C
V
Z
(V)
I
ZT
（MA ）
Z
ZT
(W)
Z
ZK
(W)
I
ZK
（MA ）
(a
VZ
)
I
R
（MA ）
V
R
(V)
(V)
1N964B
1N5243B
13
9.5
13
700
0.25
0.079
5
9.9
24
1N965B
1N5245B
15
8.5
16
700
0.25
0.082
5
11.4
21
1N966B
1N5246B
16
7.8
17
700
0.25
0.083
5
12.2
19
1N967B
1N5248B
18
7
21
750
0.25
0.085
5
13.7
17
1N968B
1N5250B
20
6.2
25
750
0.25
0.086
5
15.2
15
1N969B
1N5251B
22
5.6
29
750
0.25
0.087
5
16.7
14
1N970B
1N5252B
24
5.2
33
750
0.25
0.088
5
18.2
13
1N971B
1N5254B
27
4.6
41
750
0.25
0.09
5
20.6
11
1N972B
1N5256B
30
4.2
49
1000
0.25
0.091
5
22.8
10
1N973B
1N5257B
33
3.8
58
1000
0.25
0.092
5
25.1
9
1N974B
1N5258B
36
3.4
70
1000
0.25
0.093
5
27.4
1N975B
1N5259B
39
3.2
80
1000
0.25
0.094
5
29.7
1N976B
1N5260B
43
3
93
1500
0.25
0.095
5
32.7
1N977B
1N5261B
47
2.7
105
1500
0.25
0.095
5
35.8
1N978B
1N5262B
51
2.5
125
1500
0.25
0.096
5
38.8
包
工作温度： -65℃ 150℃
概要
（最大值为英寸）
散装/卷
1000/10000
1000/10000
1000/10000
1000/10000
1000/10000
1000/10000
1000/10000
1000/10000
1000/10000
1000/10000
1000/10000
1000/10000
1000/10000
1000/10000
1000/10000
500mW的玻璃体稳压二极管
RF
交
公称
TEST
最大齐纳稳压最大
最大齐纳
最大反向测试最大齐纳
型号Refernce
齐纳
阻抗阻抗电压温度。 LKG电流电压电流
电压@IZT
@I
ZT
@I
ZT
系数
@ V
R
I
ZM
位于C
V
Z
(V)
I
ZT
（MA ）
Z
ZT
(W)
Z
ZK
(W)
a
VZ
(%°C)
I
R
（MA ）
V
R
(V)
(V)
1N5221B
2.4
20
30
1200
-0.085
100.0
1.0
191
1N5222B
2.5
20
30
1250
-0.085
100.0
1.0
182
1N5223B
2.7
20
30
1300
-0.080
75.0
1.0
168
1N5224B
2.8
20
30
1400
-0.080
75.0
1.0
162
1N5225B
3.0
20
29
1600
-0.075
50.0
1.0
151
1N5226B
3.3
20
28
1600
-0.070
25.0
1.0
138
1N5227B
3.6
20
24
1700
-0.065
15.0
1.0
126
1N5228B
3.9
20
23
1900
-0.060
10.0
1.0
115
1N5229B
4.3
20
22
2000
-0.055
5.0
1.0
106
1N5230B
4.7
20
19
1900
-0.030
5.0
2.0
97
1N5231B
5.1
20
17
1600
+0.030
5.0
2.0
89
1N5232B
5.6
20
11
1600
+0.038
5.0
3.0
81
1N5233B
6.0
20
7
1600
+0.038
5.0
3.5
76
1N5234B
6.2
20
7
1000
+0.045
5.0
4.0
73
1N5235B
6.8
20
5
750
+0.050
3.0
5.0
67
1N5236B
7.5
20
6
500
+0.058
3.0
6.0
61
1N5237B
8.2
20
8
500
+0.062
3.0
6.5
55
1N5238B
8.7
20
8
600
+0.065
3.0
6.5
52
1N5239B
9.1
20
10
600
+0.068
3.0
7.0
50
1N5240B
10.0
20
17
600
+0.075
3.0
8.0
45
1N5241B
11.0
20
22
600
+0.076
3.0
8.4
41
1N5242B
12
20
30
600
+0.077
1.0
9.1
38
1N5243B
13
9.5
13
600
+0.079
0.5
9.9
35
1N5244B
14
9
15
600
+0.082
0.1
10
32
1N5245B
15
8.5
16
600
+0.082
0.1
11
30
1N5246B
16
7.8
17
600
+0.083
0.1
12
28
1N5247B
17
7.4
19
600
+0.084
0.1
13
27
1N5248B
18
7
21
600
+0.085
0.1
14
25
1N5249B
19
6.6
23
600
+0.085
0.1
14
24
1N5250B
20
6.2
25
600
+0.086
0.1
15
23
1N5251B
22
5.6
29
600
+0.087
0.1
17
21.2
1N5252B
24
5.2
33
600
+0.088
0.1
18
19.1
1N5253B
25
5
35
600
+0.089
0.1
19
18.2
1N5254B
27
4.6
41
600
+0.090
0.1
21
16.8
1N5255B
28
4.5
44
600
+0.091
0.1
21
16.2
1N5256B
30
4.2
49
600
+0.091
0.1
23
15.1
1N5257B
33
3.8
58
700
+0.092
0.1
25
13.8
1N5258B
36
3.4
70
700
+0.093
0.1
27
12.6
1N5259B
39
3.2
80
800
+0.094
0.1
30
11.5
1N5260B
43
3
93
900
+0.095
0.1
33
10.6
1N5261B
47
2.7
150
1000
+0.095
0.1
36
9.7
1N5262B
51
2.5
125
1100
+0.096
0.1
39
8.9
1N5263B
56
2.2
150
1300
+0.096
0.1
43
8.1
包
工作温度： -65℃ 150℃
概要
（最大值为英寸）
散装/卷
1000/10000
1000/10000
1000/10000
1000/10000
1000/10000
1000/10000
1000/10000
1000/10000
1000/10000
1000/10000
1000/10000
1000/10000
1000/10000
1000/10000
1000/10000
1000/10000
1000/10000
1000/10000
1000/10000
1000/10000
1000/10000
1000/10000
1000/10000
1000/10000
1000/10000
1000/10000
1000/10000
1000/10000
1000/10000
1000/10000
1000/10000
1000/10000
1000/10000
1000/10000
1000/10000
1000/10000
1000/10000
1000/10000
1000/10000
1000/10000
1000/10000
1000/10000
1000/10000
RFE国际
电话： （ 949 ） 833-1988 传真： （ 949 ） 833-1788 电子邮件Sales@rfeinc.com
C3CC01
REV 2001年
德昌
行货
安森美半导体
,
的商标。
半导体
元件工业， LLC的
齐纳科技
和
制品
.
500毫瓦的DO -35气密
密封的玻璃齐纳电压
稳压器
轴向引线
DO35
最大额定值
（注1 ）
等级
最大稳态功耗
@TL≤75℃,
引线长度= 3/8 “
减免上述75 ℃
工作和存储
温度范围
T
J
, T
英镑
4.0
-65到+200
毫瓦/ °
°C
L
43xxA
=标志
= 1N43xxA器件代码
符号
P
D
价值
500
单位
mW
L
43
xx
A
注1 ：某些零件号系列有更低的JEDEC注册的收视率。
规格特点：
齐纳电压范围2.4V = 12V至
ESD等级3级（ >6 KV ）每人体模型
DO- 35封装（ DO- 204AH ）
双弹头式建筑
冶金结合建设
符合RoHS
焊接热浸锡（Sn ），铅完成
L
7xxA
=标志
= 1N7xxA器件代码
L
7x
xA
规格特点：
例
完
:
双塞型，密闭玻璃
:
所有的外部表面耐腐蚀和信息很容易焊
阴极
阳极
极性：
阴极指示的极性带
安装：
任何
2006年11月/ C
第1页
1N4370A通过1N759A系列
德昌
电气特性
(
T
A
= 25 ° C除非另有说明）
齐纳电压
（注3 ）
设备
（注2 ）
设备
记号
民
1N4370A
1N4371A
1N4372A
1N746A
1N747A
1N748A
1N749A
1N750A
1N751A
1N752A
1N753A
1N754A
1N755A
1N756A
1N757A
1N758A
1N759A
1N4370A
1N4371A
1N4372A
1N746A
1N747A
1N748A
1N749A
1N750A
1N751A
1N752A
1N753A
1N754A
1N755A
1N756A
1N757A
1N758A
1N759A
2.28
2.57
2.85
3.14
3.42
3.71
4.09
4.47
4.85
5.32
5.89
6.46
7.13
7.79
8.65
9.50
11.4
V
Z
（伏）
喃
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
12
最大
2.52
2.84
3.15
3.47
3.78
4.10
4.52
4.94
5.36
5.88
6.51
7.14
7.88
8.61
9.56
10.5
12.6
@I
ZT
（MA ）
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
行货
安森美半导体
,
的商标。
半导体
元件工业， LLC的
齐纳科技
和
制品
.
齐纳阻抗
Z
ZT
@I
ZT
（注4 ）
()
30
30
29
28
24
23
22
19
17
11
7
5
6
8
10
17
30
IR @VR = 1V
T
AMB
25℃
（ UA）
100
75
50
10
10
10
2
2
1
1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
T
AMB
125℃
（ UA）
200
150
100
30
30
30
30
30
20
20
20
20
20
20
20
20
20
I
ZM
（注5 ）
（MA ）
150
135
120
110
100
95
85
75
70
65
60
55
50
45
40
35
30
VF正向电压= 1.5V最大@ I
F
= 200毫安所有类型
2.公差和电压DESIGNATION
列出的类型的数字对的标称齐纳电压的标准公差
±5%.
3.齐纳电压（V
Z
）测量
齐纳电压（V
Z
）是脉冲条件下进行测试。测得的
V
Z
被保证是在规定范围内用设备
结在热平衡。
4.齐纳阻抗（Z
Z
）推导
Z
ZT
是通过将所施加的交流电流加在器件上的交流电压降进行测量。在规定的限度是我
Z（ AC）
=
0.1 I
Z（ DC ）
交流频率= 60Hz的。
5.最大齐纳电流额定值（我
ZM
)
示值是基于400毫瓦的JEDEC等级在实际的齐纳电压（V
Z
）是已知的，在该操作点，所述
齐纳电流可以增大，并且由衰减曲线限定。
2006年11月/ C
第2页
德昌
包装外形
案例外形
行货
安森美半导体
,
的商标。
半导体
元件工业， LLC的
齐纳科技
和
制品
.
DO-35
暗淡
民
MILLIMETERS
最大
民
英寸
最大
A
B
C
D
0.46
3.05
25.40
1.52
0.56
5.08
38.10
2.29
0.018
0.120
1.000
0.060
0.022
0.200
1.500
0.090
注意：
所有尺寸JEDEC标准之内。
该数据表呈现德昌的齐纳二极管的技术数据。规格齐全，适合各个设备
在数据表的形式提供。全面的产品选择指南包含简化选择的最好的一组任务
所需的特定的应用程序组件。有关更多信息，请访问我们的网站
http://www.takcheong.com 。
虽然此数据表中的信息已经过仔细核对，对错误的责任可以承担德
畅。详情请咨询离您最近的德昌的销售办事处为进一步协助。
德昌保留随时更改，恕不另行通知这里的任何产品，进一步提高可靠性的权利，
功能和设计方面，成本和生产率。
德昌
和
注册德昌电子（集团）有限公司的商标。
2006年11月/ C
第3页
1N746A - 1N759A系列
分立功率&信号
技术
N
1N746A - 1N759A系列半瓦齐纳二极管
绝对最大额定值*
参数
存储温度范围
最高结工作温度
焊接温度（ 1/16“从案例10秒）
器件总功耗
减免上述25℃
TA = 25° C除非另有说明
公差： A = 5 ％
价值
-65到+200
+ 175
+ 230
500
3.33
单位
°C
°C
°C
mW
毫瓦/°C的
*
这些额定值的限制值，超过该二极管的适用性可能受到损害。
DO-35
注意事项：
1)
这些评级是基于200度C的最高结温
2)
这些都是稳定状态的限制。工厂应在涉及脉冲应用咨询
或低工作周期操作。
电气特性
设备
1N746A
1N747A
1N748A
1N749A
1N750A
1N751A
1N752A
1N753A
1N754A
1N755A
1N756A
1N757A
1N758A
1N759A
TA = 25° C除非另有说明
V
Z
(V)
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
12
()
28
24
23
22
19
17
11
7.0
5.0
6.0
8.0
10
17
30
Z
Z
@
I
ZT
（MA ）
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
( A)
10
10
10
2.0
2.0
1.0
1.0
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
I
R1
@
V
R
(V)
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
@
T
A
=150° C
°
( A)
(V)
30
1.0
30
1.0
30
1.0
30
1.0
30
1.0
20
1.0
20
1.0
20
1.0
20
1.0
20
1.0
20
1.0
20
1.0
20
1.0
20
1.0
I
R2
V
R
°
(%/° C)
- 0.070
- 0.065
- 0.060
+/- 0.055
+/- 0.030
+/- 0.030
+ 0.038
+ 0.045
+ 0.050
+ 0.058
+ 0.062
+ 0.068
+ 0.075
+ 0.077
T
C
I
ZM
*
（MA ）
110
100
95
85
75
70
65
60
55
50
45
40
35
38
*
如图IZM （最大齐纳额定电流）值是基于对400毫瓦的JEDEC评级。在实际的齐纳电压（ VZ ）被称为
在工作点时，最大齐纳电流可以增大，并且由衰减曲线限定。
日前，Vishay
1N746A到1N759A
威世半导体
齐纳二极管
\
特点
硅平面功率齐纳二极管。
标准齐纳电压容限是"A" ± 5 ％
后缀。
94 9367
机械数据
案例：
DO- 35玻璃柜
重量：
约。 130毫克
包装代码/选项：
每13 "卷轴TR / 10K ， 30K /箱
每弹药带（52毫米磁带） ， 30K /盒TAP / 10K
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
齐纳电流（见表"Characteristics" ）
功耗
1)
测试条件
T
AMB
= 75 °C
符号
P
合计
价值
500
1)
单位
W
T
L
被测量，导致在3/8 "从壳体的距离被保持在环境温度下
最大热阻
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
热阻结到
环境空气
最高结温
存储温度范围
1)
测试条件
符号
R
θJA
T
j
T
S
价值
300
1)
单位
° C / W
°C
°C
175
- 65 + 175
有效的提供，导致在3/8 "从壳体的距离被保持在环境温度下
文档编号85756
第2版， 04 -APR- 03
www.vishay.com
1
1N746A到1N759A
威世半导体
电气特性
1N746A到1N759A
部分号码
额定齐纳
电压
V
Z
@ I
ZT 3 ）
V
1N746A
1N747A
1N748A
1N749A
1N750A
1N751A
1N752A
1N753A
1N754A
1N755A
1N756A
1N757A
1N758A
1N759A
1)
日前，Vishay
测试电流
最大
动态
阻抗
Z
ZT
@ I
ZT 1 ）
28
24
23
22
19
17
11
7
5
6
8
10
17
30
最大
调节器
当前
I
ZM2)
mA
110
100
95
85
75
70
65
60
55
50
45
40
35
30
最大反向漏电流
(I
R
@ V
R
= 1V)
T
AMB
= 25 °C
A
10
10
10
2
2
1
1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
T
AMB
= 150 °C
A
30
30
30
30
30
20
20
20
20
20
20
20
20
20
I
ZT
mA
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
12
齐纳阻抗是从1千赫兹的交流电压具有的RMS值等于10％的交流电流时，其导致来自
齐纳电流（I
ZT
）被叠加在我
ZT
.Zener阻抗的测量是在两个点，以确保锋利膝盖击穿曲线上
和消除不稳定的单元。
2)
有效的提供，导致在从情况下的距离的3/8 "被保持在环境温度。
在热平衡器件结。
3)
测
包装尺寸（mm）
阴极鉴定
技术图纸
根据DIN
特定网络阳离子
94 9366
0.55
马克斯。
1.7
马克斯。
标准玻璃柜
54 A 2 DIN 41880
JEDEC DO 35
重最大。 0.3克
26分钟。
3.9最大。
26分钟。
www.vishay.com
2
文档编号85756
第2版， 04 -APR- 03
日前，Vishay
消耗臭氧层物质的政策声明
它的策略
威世半导体有限公司
to
1N746A到1N759A
威世半导体
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售的业绩和
operatingsystems相对于它们的健康和员工的安全和公众的影响，如
以及它们对环境的影响。
这是特别关注，以控制或消除这些物质排放到它们的气息
被称为消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990）打算严格限制使用消耗臭氧层物质
并严禁在未来十年内的使用。不同的国家和国际行动正加紧为
对这些物质的早期禁令。
威世半导体有限公司
已经能够利用不断改进的政策，以消除
使用消耗臭氧层物质的列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦修正列表
分别
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
威世半导体有限公司
可以证明，我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计的权利
并且可以这样做，恕不另行通知。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个验证
客户应用程序由客户。如买方使用威世半导体产品的任何
意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿威世半导体对所有
索赔，费用，损失，费用，直接或间接地产生出来的，个人的任何索赔
损害，伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
电话： 49 （ 0 ） 67 7131 2831 ，传真号码： 49 （ 0 ） 67 7131 2423
文档编号85756
第2版， 04 -APR- 03
www.vishay.com
3
1N746A - 1N759A系列
分立功率&信号
技术
1N746A - 1N759A系列半瓦齐纳二极管
绝对最大额定值*
参数
存储温度范围
最高结工作温度
焊接温度（ 1/16“从案例10秒）
器件总功耗
减免上述25℃
TA = 25° C除非另有说明
公差： A = 5 ％
价值
-65到+200
+ 175
+ 230
500
3.33
单位
°C
°C
°C
mW
毫瓦/°C的
*
这些额定值的限制值，超过该二极管的适用性可能受到损害。
DO-35
注意事项：
1)
这些评级是基于200度C的最高结温
2)
这些都是稳定状态的限制。工厂应在涉及脉冲应用咨询
或低工作周期操作。
电气特性
设备
1N746A
1N747A
1N748A
1N749A
1N750A
1N751A
1N752A
1N753A
1N754A
1N755A
1N756A
1N757A
1N758A
1N759A
TA = 25° C除非另有说明
V
Z
(V)
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
12
Z
Z
()
28
24
23
22
19
17
11
7.0
5.0
6.0
8.0
10
17
30
@
I
ZT
（MA ）
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
I
R1
(A)
10
10
10
2.0
2.0
1.0
1.0
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
@
V
R
(V)
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
@
T
A
=150°C
(A)
(V)
1.0
30
1.0
30
1.0
30
1.0
30
1.0
30
20
1.0
20
1.0
20
1.0
20
1.0
1.0
20
1.0
20
1.0
20
1.0
20
1.0
20
I
R2
V
R
T
C
(%/°C)
- 0.070
- 0.065
- 0.060
+/- 0.055
+/- 0.030
+/- 0.030
+ 0.038
+ 0.045
+ 0.050
+ 0.058
+ 0.062
+ 0.068
+ 0.075
+ 0.077
I
ZM
*
（MA ）
110
100
95
85
75
70
65
60
55
50
45
40
35
38
*
如图IZM （最大齐纳额定电流）值是基于对400毫瓦的JEDEC评级。在实际的齐纳电压（ VZ ）被称为
在工作点时，最大齐纳电流可以增大，并且由衰减曲线限定。
1997仙童半导体公司
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
CoolFET
CROSSVOLT
E
2
CMOS
TM
FACT
FACT静音系列
快
FASTr
GTO
HiSeC
放弃
等平面
MICROWIRE
POP
的PowerTrench
QS
静音系列
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
TinyLogic
飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT
注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或
2.关键部件是在生命的任何组件
支持设备或系统，其故障执行能
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
可以合理预期造成的生命的失败
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
支持设备或系统，或影响其安全性或
不履行时，按照正确使用
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
1N746A - 1N759A系列
分立功率&信号
技术
N
1N746A - 1N759A系列半瓦齐纳二极管
绝对最大额定值*
参数
存储温度范围
最高结工作温度
焊接温度（ 1/16“从案例10秒）
器件总功耗
减免上述25℃
TA = 25° C除非另有说明
公差： A = 5 ％
价值
-65到+200
+ 175
+ 230
500
3.33
单位
°C
°C
°C
mW
毫瓦/°C的
*
这些额定值的限制值，超过该二极管的适用性可能受到损害。
DO-35
注意事项：
1)
这些评级是基于200度C的最高结温
2)
这些都是稳定状态的限制。工厂应在涉及脉冲应用咨询
或低工作周期操作。
电气特性
设备
1N746A
1N747A
1N748A
1N749A
1N750A
1N751A
1N752A
1N753A
1N754A
1N755A
1N756A
1N757A
1N758A
1N759A
TA = 25° C除非另有说明
V
Z
(V)
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
12
()
28
24
23
22
19
17
11
7.0
5.0
6.0
8.0
10
17
30
Z
Z
@
I
ZT
（MA ）
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
( A)
10
10
10
2.0
2.0
1.0
1.0
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
I
R1
@
V
R
(V)
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
@
T
A
=150° C
°
( A)
(V)
30
1.0
30
1.0
30
1.0
30
1.0
30
1.0
20
1.0
20
1.0
20
1.0
20
1.0
20
1.0
20
1.0
20
1.0
20
1.0
20
1.0
I
R2
V
R
°
(%/° C)
- 0.070
- 0.065
- 0.060
+/- 0.055
+/- 0.030
+/- 0.030
+ 0.038
+ 0.045
+ 0.050
+ 0.058
+ 0.062
+ 0.068
+ 0.075
+ 0.077
T
C
I
ZM
*
（MA ）
110
100
95
85
75
70
65
60
55
50
45
40
35
38
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如图IZM （最大齐纳额定电流）值是基于对400毫瓦的JEDEC评级。在实际的齐纳电压（ VZ ）被称为
在工作点时，最大齐纳电流可以增大，并且由衰减曲线限定。
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