【齐纳二极管（ 1N746A - 1N759A ）齐纳二极管1N746A - 1N759A绝对最大额定】,IC型号1N746A-1N759A,1N746A-1N759A PDF资料,1N746A-1N759A经销商,ic,电子元器件-51电子网

齐纳二极管（ 1N746A - 1N759A ）

齐纳二极管

1N746A - 1N759A

绝对最大额定值*

符号

P

D

T

英镑

T

J

T

A

= 25 ° C除非另有说明

公差： A = 5 ％

参数

功耗

存储温度范围

工作结温

焊接温度（ 1/16“从案例10

秒）

价值

500

-65到+200

+ 175

+ 230

单位

mW

°C

*

这些额定值的限制值，超过该二极管的适用性可能受到损害。

注意事项：

1)

这些评级是基于200度C的最高结温

2)

这些都是稳定状态的限制。工厂应在涉及脉冲应用咨询

或低工作周期操作。

DO-35

颜色频带为负极

电气特性

设备

1N746A

1N747A

1N748A

1N749A

1N750A

1N751A

1N752A

1N753A

1N754A

1N755A

1N756A

1N757A

1N758A

1N759A

T

A

= 25 ° C除非另有说明

V

Z

(V)

3.3

3.6

3.9

4.3

4.7

5.1

5.6

6.2

6.8

7.5

8.2

9.1

10

12

Z

()

28

24

23

22

19

17

11

7.0

5.0

6.0

8.0

10

17

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@

I

Z

（MA ）

20

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(A)

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@

V

R

(V)

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(A)

@

V

R

(V)

30

20

T

A

=150°C

°

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(%/°C)

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- 0.070

- 0.065

- 0.060

+/- 0.055

+/- 0.030

+ 0.038

+ 0.045

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+ 0.058

+ 0.062

+ 0.068

+ 0.075

+ 0.077

T

C

I

ZRM

*

（MA ）

110

100

95

85

75

70

65

60

55

50

45

40

35

38

*

I

如图（最大齐纳额定电流）值是基于对400毫瓦的JEDEC评级。其中，实际的齐纳电压（ VZ ）被称为在

ZRM

工作点，最大齐纳电流可以增大，并且由衰减曲线限定。

2001

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION

1N746A - 1N759A版本C

齐纳二极管（ 1N746A - 1N759A ）

（续）

典型特征

35

5000

V

Z

= 33.0V

V

Z

- 齐纳电压（ V）

25

20

15

10

5

V

Z

= 5.1V

T

A

= 25

C

Z

- 阻抗（欧姆）

30

2000

1000

500

V

Z

= 3.3V

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100

50

V

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= 5.1V

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Z

= 33.0V

V

Z

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V

Z

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5

2

1

0.1

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Z

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20

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2

5

I

Z

- 齐纳电流（mA）

10

20

齐纳电流与齐纳电压

齐纳电流与齐纳阻抗

5

V

Z

= 3.3V

6

V

Z

= 5.1V

V

Z

- 齐纳电压（ V）

V

Z

- 齐纳电压（ V）

4

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T

A

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3

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C

T

A

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T

A

= 85

C

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T

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30

1

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I

Z

- 齐纳电流（mA）

20

30

3.3齐纳电压与温度的关系

5.1齐纳电压与温度的关系

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A

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C

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- 齐纳电压（ V）

V

Z

- 齐纳电压（ V）

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A

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C

T

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25

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5

10

I

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- 齐纳电流（mA）

20

30

20

1

2

5

10

I

Z

- 齐纳电流（mA）

20

30

12齐纳电压与稳压温度

33齐纳电压与稳压温度

2001

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION

1N746A - 1N759A版本C

商标

下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是

并非意在将所有这样的商标的详尽清单。

ACEX

深不见底

CoolFET

CROSSVOLT

DenseTrench

DOME

EcoSPARK

E

2

CMOS

TM

EnSigna

TM

FACT

FACT静音系列

放弃

快

FASTr

FRFET

GlobalOptoisolator

GTO

HiSeC

等平面

LittleFET

的MicroFET

采用MicroPak

MICROWIRE

OPTOLOGIC

OPTOPLANAR

吃豆

POP

Power247

的PowerTrench

QFET

QS

QT光电

静音系列

SILENT SWITCHER

SMART START

* STAR POWER

隐形

SuperSOT-3

SuperSOT-6

SuperSOT-8

SyncFET

TinyLogic

TruTranslation

UHC

UltraFET

VCX

STAR *电源根据许可证使用

飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT

注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD

不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的

或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利

权利，也没有他人的权利。

生命支持政策

飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件

设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。

如本文所用：

1.生命支持设备或系统的设备或

2.关键部件是在生命的任何组件

其中，（ a）打算通过外科手术移植到系统中

支持设备或系统，其故障执行能

人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其

可以合理预期造成的生命的失败

不履行时，按照正确使用

支持设备或系统，或影响其安全性或

与标示中的使用说明，可以

有效性。

合理预期会导致显著伤害

用户。

产品状态定义

条款的德网络nition

数据表标识

超前信息

产品状态

形成或

在设计

德网络nition

该数据表包含了设计规范

产品开发。特定网络阳离子可改变

恕不另行通知方式。

该数据表包含的初步数据，和

补充资料将在晚些时候公布。

飞兆半导体保留做出正确的

在任何时候，恕不另行通知，以提高变化

设计。

该数据表包含最终规格。飞兆半导体

半导体公司保留在作出变更的权利

恕不另行通知，以便随时改进设计。

初步

一是生产

没有Identi网络所需的阳离子

满负荷生产

过时的

不在生产中

该数据表包含在产品规格

已经停产了仙童半导体公司。

数据表打印仅供参考信息。

H4牧师

齐纳二极管（ 1N746A - 1N759A ）

齐纳二极管

1N746A - 1N759A

绝对最大额定值*

符号

P

D

T

英镑

T

J

T

A

= 25 ° C除非另有说明

公差： A = 5 ％

参数

功耗

存储温度范围

工作结温

焊接温度（ 1/16“从案例10

秒）

价值

500

-65到+200

+ 175

+ 230

单位

mW

°C

*

这些额定值的限制值，超过该二极管的适用性可能受到损害。

注意事项：

1)

这些评级是基于200度C的最高结温

2)

这些都是稳定状态的限制。工厂应在涉及脉冲应用咨询

或低工作周期操作。

DO-35

颜色频带为负极

电气特性

设备

1N746A

1N747A

1N748A

1N749A

1N750A

1N751A

1N752A

1N753A

1N754A

1N755A

1N756A

1N757A

1N758A

1N759A

T

A

= 25 ° C除非另有说明

V

Z

(V)

3.3

3.6

3.9

4.3

4.7

5.1

5.6

6.2

6.8

7.5

8.2

9.1

10

12

Z

()

28

24

23

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19

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@

I

Z

（MA ）

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I

R1

(A)

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V

R

(V)

1.0

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(A)

@

V

R

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+ 0.075

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C

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*

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45

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35

38

*

I

如图（最大齐纳额定电流）值是基于对400毫瓦的JEDEC评级。其中，实际的齐纳电压（ VZ ）被称为在

ZRM

工作点，最大齐纳电流可以增大，并且由衰减曲线限定。

2001

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION

1N746A - 1N759A版本C

齐纳二极管（ 1N746A - 1N759A ）

（续）

典型特征

35

5000

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Z

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V

Z

- 齐纳电压（ V）

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= 5.1V

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= 33.0V

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V

Z

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V

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Z

= 5.1V

V

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V

Z

- 齐纳电压（ V）

4

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10

I

Z

- 齐纳电流（mA）

20

30

1

2

5

10

I

Z

- 齐纳电流（mA）

20

30

3.3齐纳电压与温度的关系

5.1齐纳电压与温度的关系

15

V

Z

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Z

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T

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- 齐纳电压（ V）

V

Z

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T = -25

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A

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A

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C

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A

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1

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I

Z

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20

30

20

1

2

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I

Z

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20

30

12齐纳电压与稳压温度

33齐纳电压与稳压温度

2001

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION

1N746A - 1N759A版本C

商标

下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是

并非意在将所有这样的商标的详尽清单。

ACEX

深不见底

CoolFET

CROSSVOLT

DenseTrench

DOME

EcoSPARK

E

2

CMOS

TM

EnSigna

TM

FACT

FACT静音系列

放弃

快

FASTr

FRFET

GlobalOptoisolator

GTO

HiSeC

等平面

LittleFET

的MicroFET

采用MicroPak

MICROWIRE

OPTOLOGIC

OPTOPLANAR

吃豆

POP

Power247

的PowerTrench

QFET

QS

QT光电

静音系列

SILENT SWITCHER

SMART START

* STAR POWER

隐形

SuperSOT-3

SuperSOT-6

SuperSOT-8

SyncFET

TinyLogic

TruTranslation

UHC

UltraFET

VCX

STAR *电源根据许可证使用

飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT

注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD

不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的

或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利

权利，也没有他人的权利。

生命支持政策

飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件

设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。

如本文所用：

1.生命支持设备或系统的设备或

2.关键部件是在生命的任何组件

其中，（ a）打算通过外科手术移植到系统中

支持设备或系统，其故障执行能

人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其

可以合理预期造成的生命的失败

不履行时，按照正确使用

支持设备或系统，或影响其安全性或

与标示中的使用说明，可以

有效性。

合理预期会导致显著伤害

用户。

产品状态定义

条款的德网络nition

数据表标识

超前信息

产品状态

形成或

在设计

德网络nition

该数据表包含了设计规范

产品开发。特定网络阳离子可改变

恕不另行通知方式。

该数据表包含的初步数据，和

补充资料将在晚些时候公布。

飞兆半导体保留做出正确的

在任何时候，恕不另行通知，以提高变化

设计。

该数据表包含最终规格。飞兆半导体

半导体公司保留在作出变更的权利

恕不另行通知，以便随时改进设计。

初步

一是生产

没有Identi网络所需的阳离子

满负荷生产

过时的

不在生产中

该数据表包含在产品规格

已经停产了仙童半导体公司。

数据表打印仅供参考信息。

H4牧师

齐纳二极管（ 1N746A - 1N759A ）

齐纳二极管

1N746A - 1N759A

绝对最大额定值*

符号

P

D

T

英镑

T

J

T

A

= 25 ° C除非另有说明

公差： A = 5 ％

参数

功耗

存储温度范围

工作结温

焊接温度（ 1/16“从案例10

秒）

价值

500

-65到+200

+ 175

+ 230

单位

mW

°C

*

这些额定值的限制值，超过该二极管的适用性可能受到损害。

注意事项：

1)

这些评级是基于200度C的最高结温

2)

这些都是稳定状态的限制。工厂应在涉及脉冲应用咨询

或低工作周期操作。

DO-35

颜色频带为负极

电气特性

设备

1N746A

1N747A

1N748A

1N749A

1N750A

1N751A

1N752A

1N753A

1N754A

1N755A

1N756A

1N757A

1N758A

1N759A

T

A

= 25 ° C除非另有说明

V

Z

(V)

3.3

3.6

3.9

4.3

4.7

5.1

5.6

6.2

6.8

7.5

8.2

9.1

10

12

Z

()

28

24

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8.0

10

17

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@

I

Z

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I

R1

(A)

10

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@

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R

(V)

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I

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(A)

@

V

R

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T

A

=150°C

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(%/°C)

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+ 0.068

+ 0.075

+ 0.077

T

C

I

ZRM

*

（MA ）

110

100

95

85

75

70

65

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55

50

45

40

35

38

*

I

如图（最大齐纳额定电流）值是基于对400毫瓦的JEDEC评级。其中，实际的齐纳电压（ VZ ）被称为在

ZRM

工作点，最大齐纳电流可以增大，并且由衰减曲线限定。

2001

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION

1N746A - 1N759A版本C

齐纳二极管（ 1N746A - 1N759A ）

（续）

典型特征

35

5000

V

Z

= 33.0V

V

Z

- 齐纳电压（ V）

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20

15

10

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V

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T

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2000

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Z

= 33.0V

V

Z

= 12.0V

V

Z

= 3.3V

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V

Z

= 12.0V

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2

1

0.1

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I

Z

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20

30

0.2

0.5

1

2

5

I

Z

- 齐纳电流（mA）

10

20

齐纳电流与齐纳电压

齐纳电流与齐纳阻抗

5

V

Z

= 3.3V

6

V

Z

= 5.1V

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Z

- 齐纳电压（ V）

V

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- 齐纳电压（ V）

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T

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T

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3

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T

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4

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2

5

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Z

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20

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1

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I

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- 齐纳电流（mA）

20

30

3.3齐纳电压与温度的关系

5.1齐纳电压与温度的关系

15

V

Z

= 12.0V

40

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= 125

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V

Z

= 33.0V

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A

= 100

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T

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Z

- 齐纳电压（ V）

V

Z

- 齐纳电压（ V）

35

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A

= 25

C

T

A

= 85

C

T

A

= 100

C

30

T

A

= -25

C

T

A

= 25

C

T

A

= 85

C

5

25

0

1

2

5

10

I

Z

- 齐纳电流（mA）

20

30

20

1

2

5

10

I

Z

- 齐纳电流（mA）

20

30

12齐纳电压与稳压温度

33齐纳电压与稳压温度

2001

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION

1N746A - 1N759A版本C

商标

下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是

并非意在将所有这样的商标的详尽清单。

ACEX

深不见底

CoolFET

CROSSVOLT

DenseTrench

DOME

EcoSPARK

E

2

CMOS

TM

EnSigna

TM

FACT

FACT静音系列

放弃

快

FASTr

FRFET

GlobalOptoisolator

GTO

HiSeC

等平面

LittleFET

的MicroFET

采用MicroPak

MICROWIRE

OPTOLOGIC

OPTOPLANAR

吃豆

POP

Power247

的PowerTrench

QFET

QS

QT光电

静音系列

SILENT SWITCHER

SMART START

* STAR POWER

隐形

SuperSOT-3

SuperSOT-6

SuperSOT-8

SyncFET

TinyLogic

TruTranslation

UHC

UltraFET

VCX

STAR *电源根据许可证使用

飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT

注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD

不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的

或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利

权利，也没有他人的权利。

生命支持政策

飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件

设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。

如本文所用：

1.生命支持设备或系统的设备或

2.关键部件是在生命的任何组件

其中，（ a）打算通过外科手术移植到系统中

支持设备或系统，其故障执行能

人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其

可以合理预期造成的生命的失败

不履行时，按照正确使用

支持设备或系统，或影响其安全性或

与标示中的使用说明，可以

有效性。

合理预期会导致显著伤害

用户。

产品状态定义

条款的德网络nition

数据表标识

超前信息

产品状态

形成或

在设计

德网络nition

该数据表包含了设计规范

产品开发。特定网络阳离子可改变

恕不另行通知方式。

该数据表包含的初步数据，和

补充资料将在晚些时候公布。

飞兆半导体保留做出正确的

在任何时候，恕不另行通知，以提高变化

设计。

该数据表包含最终规格。飞兆半导体

半导体公司保留在作出变更的权利

恕不另行通知，以便随时改进设计。

初步

一是生产

没有Identi网络所需的阳离子

满负荷生产

过时的

不在生产中

该数据表包含在产品规格

已经停产了仙童半导体公司。

数据表打印仅供参考信息。

H4牧师

齐纳二极管（ 1N746A - 1N759A ）

齐纳二极管

1N746A - 1N759A

绝对最大额定值*

符号

P

D

T

英镑

T

J

T

A

= 25 ° C除非另有说明

公差： A = 5 ％

参数

功耗

存储温度范围

工作结温

焊接温度（ 1/16“从案例10

秒）

价值

500

-65到+200

+ 175

+ 230

单位

mW

°C

*

这些额定值的限制值，超过该二极管的适用性可能受到损害。

注意事项：

1)

这些评级是基于200度C的最高结温

2)

这些都是稳定状态的限制。工厂应在涉及脉冲应用咨询

或低工作周期操作。

DO-35

颜色频带为负极

电气特性

设备

1N746A

1N747A

1N748A

1N749A

1N750A

1N751A

1N752A

1N753A

1N754A

1N755A

1N756A

1N757A

1N758A

1N759A

T

A

= 25 ° C除非另有说明

V

Z

(V)

3.3

3.6

3.9

4.3

4.7

5.1

5.6

6.2

6.8

7.5

8.2

9.1

10

12

Z

()

28

24

23

22

19

17

11

7.0

5.0

6.0

8.0

10

17

30

@

I

Z

（MA ）

20

I

R1

(A)

10

2.0

1.0

0.1

@

V

R

(V)

1.0

I

R2

(A)

@

V

R

(V)

30

20

T

A

=150°C

°

1.0

(%/°C)

°

- 0.070

- 0.065

- 0.060

+/- 0.055

+/- 0.030

+ 0.038

+ 0.045

+ 0.050

+ 0.058

+ 0.062

+ 0.068

+ 0.075

+ 0.077

T

C

I

ZRM

*

（MA ）

110

100

95

85

75

70

65

60

55

50

45

40

35

38

*

I

如图（最大齐纳额定电流）值是基于对400毫瓦的JEDEC评级。其中，实际的齐纳电压（ VZ ）被称为在

ZRM

工作点，最大齐纳电流可以增大，并且由衰减曲线限定。

2001

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION

1N746A - 1N759A版本C

齐纳二极管（ 1N746A - 1N759A ）

（续）

典型特征

35

5000

V

Z

= 33.0V

V

Z

- 齐纳电压（ V）

25

20

15

10

5

V

Z

= 5.1V

T

A

= 25

C

Z

- 阻抗（欧姆）

30

2000

1000

500

V

Z

= 3.3V

200

100

50

V

Z

= 5.1V

T

A

= 25

C

V

Z

= 33.0V

V

Z

= 12.0V

V

Z

= 3.3V

20

10

V

Z

= 12.0V

5

2

1

0.1

1

2

5

10

I

Z

- 齐纳电流（mA）

20

30

0.2

0.5

1

2

5

I

Z

- 齐纳电流（mA）

10

20

齐纳电流与齐纳电压

齐纳电流与齐纳阻抗

5

V

Z

= 3.3V

6

V

Z

= 5.1V

V

Z

- 齐纳电压（ V）

V

Z

- 齐纳电压（ V）

4

T

A

= -25

C

T

A

= 25

C

5.5

T

A

= 125

C

3

T

A

= 85

C

5

T

A

= 100

C

T

A

= 25

C

T

A

= 85

C

2

T

A

= 100

C

T

A

= 125

C

4.5

T

A

= -25

C

1

4

1

2

5

10

I

Z

- 齐纳电流（mA）

20

30

1

2

5

10

I

Z

- 齐纳电流（mA）

20

30

3.3齐纳电压与温度的关系

5.1齐纳电压与温度的关系

15

V

Z

= 12.0V

40

T

A

= 125

C

V

Z

= 33.0V

T

A

= 100

C

T

A

= 125

C

V

Z

- 齐纳电压（ V）

V

Z

- 齐纳电压（ V）

35

10

T = -25

C

A

T

A

= 25

C

T

A

= 85

C

T

A

= 100

C

30

T

A

= -25

C

T

A

= 25

C

T

A

= 85

C

5

25

0

1

2

5

10

I

Z

- 齐纳电流（mA）

20

30

20

1

2

5

10

I

Z

- 齐纳电流（mA）

20

30

12齐纳电压与稳压温度

33齐纳电压与稳压温度

2001

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION

1N746A - 1N759A版本C

商标

下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是

并非意在将所有这样的商标的详尽清单。

ACEX

深不见底

CoolFET

CROSSVOLT

DenseTrench

DOME

EcoSPARK

E

2

CMOS

TM

EnSigna

TM

FACT

FACT静音系列

放弃

快

FASTr

FRFET

GlobalOptoisolator

GTO

HiSeC

等平面

LittleFET

的MicroFET

采用MicroPak

MICROWIRE

OPTOLOGIC

OPTOPLANAR

吃豆

POP

Power247

的PowerTrench

QFET

QS

QT光电

静音系列

SILENT SWITCHER

SMART START

* STAR POWER

隐形

SuperSOT-3

SuperSOT-6

SuperSOT-8

SyncFET

TinyLogic

TruTranslation

UHC

UltraFET

VCX

STAR *电源根据许可证使用

飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT

注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD

不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的

或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利

权利，也没有他人的权利。

生命支持政策

飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件

设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。

如本文所用：

1.生命支持设备或系统的设备或

2.关键部件是在生命的任何组件

其中，（ a）打算通过外科手术移植到系统中

支持设备或系统，其故障执行能

人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其

可以合理预期造成的生命的失败

不履行时，按照正确使用

支持设备或系统，或影响其安全性或

与标示中的使用说明，可以

有效性。

合理预期会导致显著伤害

用户。

产品状态定义

条款的德网络nition

数据表标识

超前信息

产品状态

形成或

在设计

德网络nition

该数据表包含了设计规范

产品开发。特定网络阳离子可改变

恕不另行通知方式。

该数据表包含的初步数据，和

补充资料将在晚些时候公布。

飞兆半导体保留做出正确的

在任何时候，恕不另行通知，以提高变化

设计。

该数据表包含最终规格。飞兆半导体

半导体公司保留在作出变更的权利

恕不另行通知，以便随时改进设计。

初步

一是生产

没有Identi网络所需的阳离子

满负荷生产

过时的

不在生产中

该数据表包含在产品规格

已经停产了仙童半导体公司。

数据表打印仅供参考信息。

H4牧师