2830 S.锦绣街
圣安娜，CA 92704
PH ： （ 714 ） 979-8220
传真： （ 714 ） 966-5256
1N6820
(MSASC75W100F)
特点
钨肖特基势垒低VF
氧化物钝化结构为非常低的漏电流
增加反向能量的能力保护环保护
外延结构最小正向电压降
密封，低调的陶瓷表面贴装功率封装
低封装电感
极低的热阻
可作为标准极性（带阳极是： 1N6820 ）和反向
极性（表带阴极： 1N6820R ）
初步
1N6820R
100伏
75安培
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
I
F（ AVE ）
dI
F
/ DT
I
FSM
I
RRM
T
j
T
英镑
θ
JC
马克斯。
45
45
45
75
4
500
2
-55到+150
-55到+150
0.50
0.65
(MSASC75W100FR)
最大额定值@ 25 ° （除非另有说明）
C
描述
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
平均正向电流整流， Tc≤ 125 °
C
降额，正向电流， Tc≥ 125 °
C
非重复性峰值浪涌电流， TP = 8.3毫秒，半正弦波
峰值重复反向浪涌电流， TP = 1μs的时间， F = 1kHz时
结温范围
存储温度范围
热阻，结到外壳：
1N6820
1N6820R
低反向
泄漏
肖特基二极管
单位
伏
伏
伏
安培
安培/ °
C
安培
AMP
°
C
°
C
°
C / W
机械概要
ThinKey 4
数据表＃ MSC1031A
1N6820 （ MSASC75W100F ）
1N6820R （ MSASC75W100FR ）
电气参数
描述
反向（漏）
当前
正向电压
脉冲试验
PW = 300
s
D / C≤ 2 ％
符号
IR
25
IR
125-1
IR
125-2
IR
125
VF1
VF2
VF3
VF4
VF5
VF6
VF7
VF8
VF9
VF10
VF11
VF12
VF13
VF14
VF15
VF16
VFA
VFB
VFC
Cj1
Cj2
BVR
条件
VR = 100伏， TC = 25 °
C
VR = 24伏直流，TC = 125 °
C
VR = 80伏直流，TC = 125 °
C
VR = 100伏，TC = 125 °
C
IF = 2一，TC = 25 °
C
IF = 10 A ，TC = 25 °
C
IF = 25 A ，TC = 25 °
C
IF = 50 A ，TC = 25 °
C
IF = 75 A，锝= 25 °
C
IF = 100 A ，TC = 25 °
C
IF = 2一，TC = -55 °
C
IF = 10 A ，TC = -55 °
C
IF = 25 A ，TC = -55 °
C
IF = 50 A ，TC = -55 °
C
IF = 75 A，锝= -55 °
C
IF = 2一，TC = 125 °
C
IF = 10 A ，TC = 125 °
C
IF = 25 A ，TC = 125 °
C
IF = 50 A ，TC = 125 °
C
IF = 75 A，锝= 125 °
C
IF = 100 mA时，锝= 25 °
C
IF = 100 mA时，锝= 125 °
C
IF = 100 mA时，锝= -55 °
C
VR = 10 VDC
VR = 5 VDC
IR = 5毫安， TC = 25 °
C
IR = 5毫安，TC = -55 °
C
民
典型值。
10
1.25
2.5
4
450
590
710
790
840
875
555
645
760
900
1020
340
495
585
655
700
350
200
480
1100
1400
115
110
最大
500
-
-
50
-
650
780
-
920
-
-
710
840
-
1100
-
550
660
-
780
-
-
-
-
1600
单位
uA
mA
mA
mA
mV
mV
mV
mV
mV
mV
mV
MV
MV
MV
mV
MV
MV
MV
MV
mV
mV
mV
mV
pF
pF
V
V
结电容
击穿电压
100
1.200
1.000
0.800
0.600
0.400
0.200
0.000
1
10
100
IF （ A）
1000
-55C
+25C
+125C
VF （ V）
QQ：2881677436 复制
