2830 S.锦绣街
圣安娜，CA 92704
PH ： （ 714 ） 979-8220
传真： （ 714 ） 966-5256
1N6819
(MSASC75W45F)
特点
钨肖特基势垒
氧化物钝化结构为非常低的漏电流
增加反向能量的能力保护环保护
外延结构最小正向电压降
密封，低调的陶瓷表面贴装功率封装
低封装电感
极低的热阻
可作为标准极性（带阳极是： 1N6819 ）和反向
极性（表带阴极： 1N6819R ）
初步
1N6819R
45伏
75安培
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
I
F（ AVE ）
dI
F
/ DT
I
FSM
I
RRM
T
j
T
英镑
θ
JC
马克斯。
45
45
45
75
4
500
2
-55到+150
-55到+150
0.50
0.65
(MSASC75W45FR)
最大额定值@ 25 ° （除非另有说明）
C
描述
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
平均正向电流整流， Tc≤ 125 °
C
降额，正向电流， Tc≥ 125 °
C
非重复性峰值浪涌电流， TP = 8.3毫秒，半正弦波
峰值重复反向浪涌电流， TP = 1μs的时间， F = 1kHz时
结温范围
存储温度范围
热阻，结到外壳：
1N6819
1N6819R
低漏
当前
肖特基二极管
单位
伏
伏
伏
安培
安培/ °
C
安培
AMP
°
C
°
C
°
C / W
机械概要
ThinKey 4
数据表＃ MSC1030A
QQ：2881677436 复制
