SENSITRON
半导体
技术参数
数据表5090 ， REV 。一
超快恢复整流器
全封闭，无腔体的玻璃封装
冶金结合
o
o
工作和存储温度： -65℃至+175
SS6620 ， U，美通SS6625 ， U，美国
MAX 。额定值/电气特性
等级
工作峰值反向电压
1N6620 ， U，美国
1N6621 ， U，美国
1N6622 ， U，美国
1N6623 ， U，美国
1N6624 ， U，美国
1N6625 ， U，美国
平均正向电流整流
1N6620 ， U，美通1N6622 ， U，美国
1N6623 ， U，美通1N6625 ， U，美国
峰值正向浪涌电流
1N6620 ， U，美通1N6624 ， U，美国
1N6625 ， U，美国
最大反向电流
1N6620 ， U，美通1N6624 ， U，美国
1N6625 ， U，美国
最大反向电流
1N6620 ， U，美通1N6624 ， U，美国
1N6625 ， U，美国
MAX 。峰值正向电压（脉冲）
1N6620 ， U，美通1N6622 ， U，美国
1N6623 ， U，美国& 1N6624 ， U，美国
1N6625 ， U，美国
峰值恢复电流
1N6620 ， U，美通1N6622 ， U，美国
1N6623 ， U，美国& 1N6624 ， U，美国
1N6625 ， U，美国
最大反向恢复时间
1N6620 ， U，美通1N6622 ， U，美国
1N6623 ， U，美国& 1N6624 ， U，美国
1N6625 ， U，美国
正向恢复电压
1N6620 ， U，美通1N6622 ， U，美国
1N6623 ， U，美国& 1N6624 ， U，美国
1N6625 ， U，美国
热阻（轴向）
1N6620 1N6625直通
热阻（ MELF ）
1N6620U ，美通1N6625U ，美国
o
所有评级ARE AT＆T
A
= 25℃ ，除非另有
指定的。
符号
条件
最大
200
400
600
800
900
1000
1.2
1.0
单位
V
RWM
伏
I
o
安培
I
FSM
T
p
=8.3ms
20
15
0.5
1.0
150
200
1.60
1.80
1.95
3.5
4.2
5.0
30
50
60
12
18
30
38
A（ PK）
I
R
@ V
RWM
T
j
= 25
o
C
T
j
= 150
o
C
μAMPS
μAMPS
I
R
@ V
RWM
V
FM
I
F
=2.0A
I
F
=1.5μA
I
F
=1.5μA
I
F
=2A,
100A/μ
伏
I
RM
A（ PK）
T
rr
I
F
=0.5A
I
RM
=1.0A
ns
V
FRM
I
F
=0.5A
t
r
=12ns
L=.375
L=0
伏
Rθ
JL
Rθ
JC
o
C / W
C / W
o
20
221西工业苑
鹿园，NY 11729-4681电话（ 631 ） 586 7600传真：（ 631 ） 242 9798
万维网网站 - http://www.sensitron.com
电子邮件Addre1N - sales@sensitron.com
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半导体
技术参数
数据表5090 ， REV 。一
SS6620 ， U，美通SS6625 ， U，美国
外形尺寸（英寸） / （毫米）
轴向
MELF
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SS6620 ， U，美通SS6625 ， U，美国
免责声明：
1本文提供的信息，包括规格和尺寸，如有更改，恕不另行通知
提高产品的性能。订货前，买家应联系Sensitron半导体销售
部门数据表（S ）的最新版本。
2 - 在需要极高可靠性的情况下（如核电控制，航空航天，交通用
设备，医疗设备和安全设备），安全性应该通过使用半导体装置来确保
功能保证安全，或借助于用户的“故障 - 安全注意事项或其他安排。
3-在任何情况下， Sensitron半导体对任何损害可能会导致意外事故或其他原因的责任
该用户的单元操作过程中，根据所述数据表（多个） 。 Sensitron半导体公司不承担任何责任
任何知识产权索赔或任何其他问题可能导致的信息，产品或电路的应用程序
在数据表中所述。
4-在任何情况下， Sensitron半导体是在半导体设备的任何故障或任何二次伤害承担责任
从使用而造成的价值超过绝对最大额定值。
5没有获发牌照以任何专利或任何第三方或Sensitron半导体的其他权利的数据表（S ） 。
6数据表（S ）不得转载或复制，以任何形式，全部或部分，未经书面表达
Sensitron半导体公司的许可。
7-产品（技术）的数据表中的（多个）描述不应被提供给任何一方，其目的在其
应用程序会妨碍维护国际和平与安全也不是由他们直接应用于该用途
购买者或任何第三方。在出口这些产品（技术） ，必要的程序都将采取的
根据有关法律法规。
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半导体
技术参数
数据表5089 ， REV 。一
超快恢复整流器
全封闭，无腔体的玻璃封装
冶金结合
o
o
工作和存储温度： -65℃至+175
1N6620 ， U，美通1N6625 ， U，美国
SJ
SX
SV
MAX 。额定值/电气特性
等级
工作峰值反向电压
1N6620 ， U，美国
1N6621 ， U，美国
1N6622 ， U，美国
1N6623 ， U，美国
1N6624 ， U，美国
1N6625 ， U，美国
平均正向电流整流
1N6620 ， U，美通1N6622 ， U，美国
1N6623 ， U，美通1N6625 ， U，美国
峰值正向浪涌电流
1N6620 ， U，美通1N6624 ， U，美国
1N6625 ， U，美国
最大反向电流
1N6620 ， U，美通1N6624 ， U，美国
1N6625 ， U，美国
最大反向电流
1N6620 ， U，美通1N6624 ， U，美国
1N6625 ， U，美国
MAX 。峰值正向电压（脉冲）
1N6620 ， U，美通1N6622 ， U，美国
1N6623 ， U，美国& 1N6624 ， U，美国
1N6625 ， U，美国
峰值恢复电流
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1N6623 ， U，美国& 1N6624 ， U，美国
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最大反向恢复时间
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1N6623 ， U，美国& 1N6624 ， U，美国
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正向恢复电压
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1N6623 ， U，美国& 1N6624 ， U，美国
1N6625 ， U，美国
热阻（轴向）
1N6620 1N6625直通
热阻（ MELF ）
1N6620U ，美通1N6625U ，美国
o
所有评级ARE AT＆T
A
= 25℃ ，除非另有
指定的。
符号
条件
最大
200
400
600
800
900
1000
1.2
1.0
单位
V
RWM
伏
I
o
安培
I
FSM
T
p
=8.3ms
20
15
0.5
1.0
150
200
1.60
1.80
1.95
3.5
4.2
5.0
30
50
60
12
18
30
38
A（ PK）
I
R
@ V
RWM
T
j
= 25
o
C
T
j
= 150
o
C
μAMPS
μAMPS
I
R
@ V
RWM
V
FM
I
F
=2.0A
I
F
=1.5μA
I
F
=1.5μA
I
F
=2A,
100A/μ
伏
I
RM
A（ PK）
T
rr
I
F
=0.5A
I
RM
=1.0A
ns
V
FRM
I
F
=0.5A
t
r
=12ns
L=.375
L=0
伏
Rθ
JL
Rθ
JC
o
C / W
C / W
o
20
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数据表5089 ， REV 。一
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外形尺寸（英寸） / （毫米）
轴向
MELF
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提高产品的性能。订货前，买家应联系Sensitron半导体销售
部门数据表（S ）的最新版本。
2 - 在需要极高可靠性的情况下（如核电控制，航空航天，交通用
设备，医疗设备和安全设备），安全性应该通过使用半导体装置来确保
功能保证安全，或借助于用户的“故障 - 安全注意事项或其他安排。
3-在任何情况下， Sensitron半导体对任何损害可能会导致意外事故或其他原因的责任
该用户的单元操作过程中，根据所述数据表（多个） 。 Sensitron半导体公司不承担任何责任
任何知识产权索赔或任何其他问题可能导致的信息，产品或电路的应用程序
在数据表中所述。
4-在任何情况下， Sensitron半导体是在半导体设备的任何故障或任何二次伤害承担责任
从使用而造成的价值超过绝对最大额定值。
5没有获发牌照以任何专利或任何第三方或Sensitron半导体的其他权利的数据表（S ） 。
6数据表（S ）不得转载或复制，以任何形式，全部或部分，未经书面表达
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7-产品（技术）的数据表中的（多个）描述不应被提供给任何一方，其目的在其
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